The role of the etchant ion in the formation and growth of pores in silicon during its etching in hydrofluoric acid solutions

E. N. Abramova; A. M. Khort; V. N. Tsygankov; A. G. Yakovenko; V. I. Shvets

doi:10.1134/S0012500816030010

The role of the etchant ion in the formation and growth of pores in silicon during its etching in hydrofluoric acid solutions

Авторлар: Abramova E.N.¹, Khort A.M.¹, Tsygankov V.N.¹, Yakovenko A.G.¹, Shvets V.I.¹
Мекемелер:
1. Lomonosov State Academy of Fine Chemical Technology
Шығарылым: Том 467, № 1 (2016)
Беттер: 61-63
Бөлім: Chemistry
URL: https://journal-vniispk.ru/0012-5008/article/view/153585
DOI: https://doi.org/10.1134/S0012500816030010
ID: 153585

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The role of the etchant ion (HF₂)^– in the formation of pores in silicon during its etching in hydrofluoric acid solutions has been elucidated. The pore shape, size, and orientation in (100) and (111) silicon substrates have been explained by specific features of the etchant ion (HF₂)^–.