Thermal Conductivity of Silicicated Silicon Carbide at 1400−2200 K


Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The authors present the results of an experimental study of the thermal conductivity of silicicated silicon carbide within the temperature range of 1400−2200 K.

Sobre autores

A. Kostanovskiy

Joint Institute for High Temperatures

Autor responsável pela correspondência
Email: Kostanovskiy@gmail.com
Rússia, Moscow, 125412

M. Zeodinov

Joint Institute for High Temperatures

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Rússia, Moscow, 125412

M. Kostanovskaya

Joint Institute for High Temperatures

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Rússia, Moscow, 125412

A. Pronkin

Joint Institute for High Temperatures

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Rússia, Moscow, 125412

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Declaração de direitos autorais © Pleiades Publishing, Inc., 2019