MICROSTRUCTURE OF A CrSi2 TRANSITION LAYER PRODUCED BY HOT PRESSING OF Cr AND Si

M. S. Lukasov; Лукасов М. С.; N. A. Arkharova; Архарова Н. А.; A. S. Orekhov; Орехов А. С.; E. V. Rakova; Ракова Е. В.; F. Yu. Solomkin; Соломкин Ф. Ю.; V. V. Klechkovskaya; Клечковская В. В.

doi:10.31857/S002347612360026X

Микроструктура переходного слоя CrSi₂, полученного методом горячего прессования Cr и Si

Авторы: Лукасов М.С.¹, Архарова Н.А.¹, Орехов А.С.¹, Ракова Е.В.¹, Соломкин Ф.Ю.², Клечковская В.В.¹
Учреждения:
1. Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
2. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Выпуск: Том 68, № 4 (2023)
Страницы: 615-620
Раздел: НАНОМАТЕРИАЛЫ, КЕРАМИКА
URL: https://journal-vniispk.ru/0023-4761/article/view/137445
DOI: https://doi.org/10.31857/S002347612360026X
EDN: https://elibrary.ru/IBYRNK
ID: 137445

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

В процессе горячего прессования при 1213 К и последующего отжига на воздухе монокристалла Si в объеме электролитического порошка Cr на границе раздела исходных компонентов происходит формирование промежуточного поликристаллического слоя силицида. Фазовый состав и микроструктура переходного слоя и его окрестностей исследовались методами растровой электронной микроскопии, рентгеновского энерго-дисперсионного микроанализа и дифракции обратно рассеянных электронов. Переходный слой имеет кристаллическую структуру гексагональной фазы дисилицида хрома (пр. гр. P6₂22). Дополнительный отжиг до 120 ч приводит к незначительной рекристаллизации мелких зерен в более крупные.

Ключевые слова

ULTRAFAST MAGNETIC DYNAMICS, Co/Pt MULTILAYER STRUCTURES

Список литературы

Burkov A.T., Ivanov Y.I. // Silicide Thermoelectrics. In Advanced Thermoelectric Materials / Ed. Park C.R. 2019. V. 165.
Gel’d P.V., Sidorenko F.A. // Silicides of Transition Metals of the Fourth Period. M.: Metallurgiya, 1971. P. 90.
Gokhale A.B., Abbaschian G.J. // J. Phase Equilibria. 1987. V. 8. P. 474. https://doi.org/10.1007/BF02893156
Okamoto H. // J. Phase Equilibria. 2001. V. 22 P. 593. https://doi.org/10.1361/105497101770332866
Boren B. // Archive Chem., Mineral. Geol. 1933. V. 11. P. 1.
Dauben C.H., Templeton D.H., Myers C.E. // J. Phys. Chem. 1956. V. 60. P. 443. https://doi.org/10.1021/j150538a015
Tanaka K., Nawata K., Koiwa M. et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2001. V. 646. P. 4.3.1.
Соломкин Ф.Ю., Суворова Е.И., Зайцев В.К. и др. // ЖТФ. 2011. Т. 81. № 2. С. 147.
Соломкин Ф.Ю., Зайцев В.К., Новиков С.В. и др. // ЖТФ. 2013. Т. 83. № 2. С. 141.
Соломкин Ф.Ю., Зайцев В.К., Картенко Н.Ф. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 1. С. 152.
Соломкин Ф.Ю., Зайцев В.К., Картенко Н.Ф. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 5. С. 157.
Fedorov M., Zaitsev V. // Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano / Ed. Rowe D.M. N.Y.: CRC press, 2006. P. 31.
Burkov A., Vinzelberg H., Schumann J. et al. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. № 12. P. 7903.
Novikov S.V., Burkov A.T., Schumann J. // J. Electron. Mater. 2014. V. 43. № 6. P. 2420.
Novikov S.V., Burkov A.T., Schumann J. // J. Alloys Compd. 2013. V. 557. P. 239.
Hielscher R., Schaeben C. // J. Appl. Cryst. 2008. V. 41. P. 1024.