Отправить статью по E-mail 
ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ НА РАЗЛИЧНЫХ СТАДИЯХ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ХИМИЧЕСКОГО ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ
- Авторы: Логинов А.Б.1, Исмагилов Р.Р.1, Федотов П.В.2,3, Сапков И.В.1, Куватов М.М.1, Логинов Б.А.4, Образцова Е.Д.2,3, Образцов А.Н.1
-
Учреждения:
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
- Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
- Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
- Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
- Выпуск: Том 165, № 3 (2024)
- Страницы: 355-366
- Раздел: Статьи
- URL: https://journal-vniispk.ru/0044-4510/article/view/256494
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451024030052
- ID: 256494
Цитировать
Аннотация
Исследовано формирование мезопористых пленок дихалькогенидов переходных металлов (MoS2, WS2) в ходе процесса химического газофазного осаждения с использованием газообразного сероводорода и термически распыляемого переходного металла (Mo или W). Исследованы морфология, спектры комбинационного рассеяния света, фотолюминесцентные свойства и электрическая проводимость пленок дихалькогенидов переходных металлов, полученных при различных концентрациях прекурсоров и длительности осаждения. Проведенный анализ позволил выявить основные стадии роста пленок: формирование островков в виде изолированных двумерных кристаллитов; частичное наложение кристаллитов при их постепенном разрастании в плоскости подложки; формирование сплошной планарной пленки; образование и дальнейший рост пластинчатых кристаллитов, ориентированных перпендикулярно к поверхности подложки. Качественные изменения морфологии, фотолюминесцентной и электрической проводимостей на различных стадиях формирования покрытий дихалькогенидами переходных металлов объясняются с учетом взаимодействия их электронной подсистемы с подложкой и соседними кристаллитами.
Ключевые слова
Об авторах
А. Б. Логинов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Россия, 119991, Москва
Р. Р. Исмагилов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Россия, 119991, Москва
П. В. Федотов
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Россия, 119991, Москва; 141701, Московская обл., Долгопрудный
И. В. Сапков
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Россия, 119991, Москва
М. М. Куватов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Россия, 119991, Москва
Б. А. Логинов
Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Россия, 124498, Москва
Е. Д. Образцова
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Россия, 119991, Москва; 141701, Московская обл., Долгопрудный
А. Н. Образцов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Автор, ответственный за переписку.
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru
Россия, 119991, Москва
Список литературы
- S. Manzeli, D. Ovchinnikov, D. Pasquier et al., Nat. Rev. Mater. 2, 17033 (2017).
- Л. А. Чернозатонский, А. А. Артюх, УФН 188, 3 (2018).
- G. R. Bhimanapati, Z. Lin, V. Meunier et al., ACS Nano 9, 11509 (2015).
- Y. Feng, L. Shen, M. Yang et al., WIREs Comput. Mol. Sci. 7, 5 (2017).
- J. R. Schaibley, H. Yu, G. Clark et al., Nat. Rev. Mater. 1, 16055 (2016).
- T.-H. Wang and H.-T. Jeng, Npj Comput. Mater. 3, 5 (2017).
- Y. Yi, Z. Chen, X. Yu et al., Adv. Quantum Technol. 2, 1800111 (2019).
- Y. Lin, X. Ling, L. Yu et al., Nano Lett. 14, 5569 (2014).
- K. F. Mak and J. Shan, Nat. Photonics 10, 216 (2016).
- X.-Q. Zhang, C.-H. Lin, Y.-W. Tseng et al., Nano Lett. 15, 410 (2015).
- Y. Liu, N. O. Weiss, X. Duan et al., Nature Rev. Mat., 1, 16042 (2016).
- P. K. Sahoo, S. Memaran, Y. Xin et al., Nature, 553, 7686, 63 (2018).
- M. Bernardi, M. Palummo, and J. C. Grossman, Nano Lett. 13, 3664 (2013).
- Y. Sheng, T. Chen, Y. Lu et al., ACS Nano 13, 4530 (2019).
- H. F. Liu, S. L. Wong, D. Z. Chi, Chem. Vap. Depos. 21, 241 (2015).
- C. S. Lau, J. Y. Chee, L. Cao et al., Adv. Mater. 34, 2103907, (2022).
- X. Ma, J. Zhang, Y. Sun et al., ACS Appl. Mater. Interfaces 14 41, 47288 (2022).
- X. Peng, J. Chen, S. Wang et al., Appl. Surf. Sci. 599, 153904 (2022).
- S. Mobtakeri, S. Habashyani, and E. Gur, ACS Applied Materials and Interfaces, 14, 25741 (2022).
- V. Forsberg, R. Zhang, J. Backstrom et al., PLOS ONE 11, e0154522 (2016).
- J. Sun, X. Li, W. Guo et al., Crystals 7, 198 (2017).
- S. Li, X. Chen, F. Liu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 11636 (2019).
- A. B. Loginov, P. V. Fedotov, S. N. Bokova-Sirosh et al., Phys. Stat. Sol. B 260, 2200481 (2022).
- А. Б. Логинов, Р. Р. Исмагилов, С. Н. Бокова-Сирош и др., ЖТФ 91, 1509 (2021).
- С. А. Смагулова, П. В. Винокуров, А. А. Семенова и др., ФТП 54, 376 (2020).
- М. С. Аржаков, Н. А. Александрова, А. Е. Жирнов и др., ДАН 418, 782 (2008).
- А. А. Золотухин, А. Н. Образцов, А. О. Устинов и др., ЖЭТФ 124, 1291 (2003).
- N. Scheuschner, O. Ochedowski, A.-M. Kaulitz et al., Phys. Rev. B 89, 125406 (2014).
- A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang et al., Nano Lett. 10, 1271 (2010).
- K. F. Mak, K. He, C. Lee et al., Nat. Mater. 12, 207 (2013).
- A. R. Klots, A. K. M. Newaz, B. Wang et al., Sci. Rep. 4, 6608 (2014).
- B. M. Lee and K. J. Loh, J. Mater. Sci. 50, 2973 (2015).
Дополнительные файлы
