Dynamics of deposition and removal of a fluorocarbon film in the cyclic process of plasma-chemical etching of silicon

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Аннотация

In situ measurements of the dynamics of deposition and etching of a fluorocarbon film (FCF) during cyclic plasma-chemical etching of silicon using a laser interferometer have been carried out. Direct measurements of the deposition and etch rates, as well as the etch time of the FCF, open up new possibilities for optimizing the cycle procedure. For example, adjusting the etching time of the FCF improves the selectivity of the etching process.

Авторлар туралы

O. Morozov

Valiev Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences, Yaroslavl Branch

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: moleg1967@yandex.ru
Ресей, Yaroslavl, 150007

Әдебиет тізімі

  1. Wu B., Kumar A., Pamarthy S. // J. Appl. Phys. 2010 V. 108. No. 5. Art. No. 051101.
  2. Abdolvand R., Ayazi F. // Sens. Actuators. A Phys. 2008 V. 144. No. 1. P. 109.
  3. Chang B., Leussink P., Jensen F. et al. // Microelectron. Eng. 2018. V. 191. P. 77.
  4. Lips B. Puers R. // J. Phys. Conf. Ser. 2016. V. 757. Art. No. 012005.
  5. Gerlt M.S., Läubli N.F., Manser M. et al. // Micromachines. 2021. V. 12. No. 5. P. 542.
  6. Lin P., Xie X., Wang Y. et al. // Microsyst. Technol. 2019. V. 25. P. 2693.
  7. Meng L. Yan J. // Appl. Phys. A. 2014. V. 117. P. 1771.
  8. Meng L. Yan J. // Micromech. Microeng. 2015. V. 25. Art. No. 035024.
  9. Руденко К.В., Мяконьких А.В., Орликовский А.А. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 3. С. 206. Rudenko K.V., Myakon’kikh A.V., Orlikovsky A.A. // Russ. Microelectron. 2007. V. 36. No. 3. P. 179.
  10. Морозов О.В., Амиров И.И. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 5. С. 380. Morozov O.V., Amirov I.I. // Russ. Microelectron. 2007. Т. 36. No. 5. С. 333.
  11. Lai L., Johnson D., Westerman R. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V. 24. P. 1283.
  12. Saraf I.R., Goeckner M.J., Goodlin B.E. et.al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2013. V. 31. Art. No. 011208.
  13. Oehrlein G.S., Reimanis I., Lee Y.H. // Thin Solid Films. 1986. V. 143. No. 3. P. 269.
  14. Амиров И.И., Алов Н.В. // Хим. высок. энергий. 2006. Т. 40. № 4. С. 311. Amirov I.I., Alov N.V. // High Energy Chem. 2006. V. 40. No. 4. P. 267.
  15. Amirov I.I., Gorlachev E.S., Mazaletskiy L.A. et al. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2018. V. 51. No. 11. P. 267.
  16. Xu T., Tao Z., Li H. et al. // Adv. Mech. Eng. 2017. V. 9. No. 12. P. 1.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).