Crystal structure and dielectric properties of BiFeO3 multiferroics heteroepitaxial films grown on Pt(001)/MgO(001) substrates

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The crystal structure, dielectric and polarization properties of BiFeO3 films grown on a Pt(001)/MgO(001) substrate have been studied. It is established that the obtained films are single-phase, pure, single-crystal and have a high structural perfection. The obtained experimental results are discussed.

Sobre autores

A. Nazarenko

Federal Research Centre Southern Scientific Centre of the Russian Academy of Sciences

Autor responsável pela correspondência
Email: avnazarenko1@gmail.com
Russia, 344006, Rostov-on-Don

Ya. Matyash

Federal Research Centre Southern Scientific Centre of the Russian Academy of Sciences

Email: avnazarenko1@gmail.com
Russia, 344006, Rostov-on-Don

P. Popov

All-Russian Research Institute of Metrological Service

Email: avnazarenko1@gmail.com
Russia, 119361, Moscow

A. Pavlenko

Federal Research Centre Southern Scientific Centre of the Russian Academy of Sciences

Email: avnazarenko1@gmail.com
Russia, 344006, Rostov-on-Don

D. Stryukov

Federal Research Centre Southern Scientific Centre of the Russian Academy of Sciences

Email: avnazarenko1@gmail.com
Russia, 344006, Rostov-on-Don

Bibliografia

  1. Shimakawa Y., Azuma M., Ichikawa N. // Materials. 2011. V. 4. No. 1. P. 153.
  2. Ramesh R., Spaldin N.A. // Nature Mater. 2007. V. 6. P. 21.
  3. Kumar M., Shankar S., Brijmohan S. et al. // Phys. Lett. A. 2016. V. 381. P. 379.
  4. Kaur I., Verma N.K. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2015. V. 33. P. 32.
  5. Lakshmi B.D., Paratap K., Parvatheeswara Rao B. et al. // Ceram. Int. 2015. V. 42. P. 2186.
  6. Royen, P., Swars, K. // Angew. Chem. 1957. V. 69. No. 24. P. 779.
  7. Заславский А.И., Тутов А.Г. // Докл. АН СССР. 1960. Т. 135. № 4. С. 815.
  8. Smolenskii G.A., Bokov V.A., Isupov V.A. et al. // Helv. Phys Acta. 1968. V. 41. P. 1187.
  9. Michel C., Moreau J.-M., Achenbach G.D. et al. // Solid State Comm. 1969. V. 7. No. 9. P. 701.
  10. Catalan G., Scott J.F. // Adv. Mater. 2009. V. 21. P. 2463.
  11. Sosnowska I., Neumaier T.P., Steichele E. // J. Physics C. 1982. V. 15. P. 4835.
  12. Sando D., Bartheemy A., Bibes M. // J. Phys. Cond. Matter. 2014. V. 26. Art. No. 473201.
  13. Xue J.M., Wan D.M., Wang J. // Solid State Ionics. 2002. V. 151. P. 403.
  14. Cushing B.L., Kolesnichenko V.L., O’Connor C.J. // Chem. Rev. 2004. V. 104. P. 3893.
  15. Matsumuto K., Yamaguchi K., Fuji T., Ueno A. // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. P. 5918.
  16. Babooram K., Ye Z.-G. // Chem. Mater. 2006. V. 18. P. 532.
  17. Pechini M.P. Method of preparing lead and alkaline earth titanates and niobates and coating method using the same to form a capacitor. U.S. Patent № 3330697. 1967.
  18. Gulgun M.A., Nguyen M.H., Kriven W.M. // J. Amer. Ceram. Soc. 1999. V. 82. P. 556.
  19. Rajamathi M., Seshadri R. // Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 2002. V. 6. P. 337.
  20. Suslik K.S., Price G.J. // Annu. Rev. Mater. Sci. 1999. V. 29. P. 295.
  21. Patil K.C. // Bull. Mater. Sci. 1993. V. 16. P. 533.
  22. Jian Y., Juan Hao Ch. // Chin. Sci. Bull. 2008. V. 53. P. 2097.
  23. Singh A., Khan Z.R., Vilarinho P.M. et al. // Mater. Res. Bull. 2014. V. 49. P. 531.
  24. Картавцева М.С., Горбенко О.Ю., Кауль А.Р. и др. // Поверхн. Рентген., синхротрон. нейтрон. иссл. 2008. Т. 2. № 1. С. 3; Kartavtseva M.S., Gorbenko O.Yu., Kaul’ A.R. et al. // J. Surf. Invest. X-ray. Synchrotron. Neutron Techn. 2008. V. 2. No. 1. P. 1.
  25. Ternon C., Thery J., Baron T. et al. // Thin Solid Films. 2006. V. 515. No. 2. P. 481.
  26. Павленко А.В., Стрюков Д.В., Кубрин С.П. // ФТТ. 2022. № 2. С. 218; Pavlenko A.V., Stryukov D.V., Kubrin S.P. // Phys. Solid State. 2022. V. 64. No. 2. P. 212.
  27. Sharma S., Saravanan P., Pandey O.P. // J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2016. V. 27. P. 5909.
  28. Wang D., Wang G., Murakami S. et al. // J. Adv. Dielectric. 2018. V. 8. No. 6. Art. No. 1830004.
  29. Nie P.-X., Wang Y.-P., Yang Y. et al. // Energy Harvest. Syst. 2015. V. 2. No. 3–4. P. 157.
  30. Li W., Wang Y., Nie P. et al. // Physica B. 2015. V. 466–467. P. 11.
  31. Raghavan C.M., Kim J.W., Kim H.J. et al. // J. Sol-Gel Sci. Technol. 2012. V. 64. P. 178.
  32. Lee M.H., Park J.S., Cho H.J. et al. // J. Korean Phys. Soc. 2012. V. 60. No. 2. P. 272.
  33. Ahn Y., Son J.Y. // J. Korean Ceram. Soc. 2022. V. 59. No. 6. P. 787.
  34. Pan T.-M., Chou Y.-C., Her J.-L. // Mater. Chem. Phys. 2022. V. 278. Art. No. 125699.
  35. Zhang Y., Yu S., Cheng J. // J. Eur. Ceram. Soc. 2010. V. 30. No. 2. P. 271.
  36. Jun Y.K., Moon W.T., Chang C.M., et al. // Solid State Commun. 2005. V. 135. P. 133.
  37. Singh S.K., Ishiwara H., Maruyama K. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. Art. No. 064102.
  38. Singh S.K., Maruyama K., Ishiwara H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. Art. No. 112913.
  39. Jangid S., Barbar S.K., Roy M. Biosensors nanotechnology: advanced materials series. USA: Scrivener Publishing LLC, 2014. P. 433.
  40. Pavlovic N., D’Haen J., Modarresi H. et al. // J. Mater. Sci. 2015. V. 50. P. 4463.
  41. Venkateswarlu A.R., Varma G.D., Nath R. // AIP Advances. 2001. V. 1. Art. No. 042140.
  42. Reddy V.A., Pathak N.P., Nath R. // Thin Solid Films. 2013. V. 527. P. 358.
  43. Das S., Basu S., Mitra S., Chakravorty D. et al. // Thin Solid Films. 2010. V. 518. P. 4071.
  44. Gumiel C., Jardiel T., Calatayud D.G. et al. // J. Mater. Chem. C. 2020. V. 8. P. 4234.
  45. Gumiel C., Calatayud D.G. // Ceramica y Vidrio. 2022. V. 61. P. 708.
  46. Шилкина Л.А., Глазунова Е.В., Вербенко И.А. и др. // Вест. Луганск. нац. ун-та. им. В. Даля. 2019. № 7(25). С. 25.
  47. Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов-на-Дону: Изд-во ЮНЦ РАН, 2008. 224 с.
  48. Lee M. X-ray diffraction for materials research: from fundamentals to applications. N.Y.: Apple Academic Press, 2016. 302 p.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
2.

Baixar (1MB)
3.

Baixar (241KB)
4.

Baixar (49KB)
5.

Baixar (106KB)

Declaração de direitos autorais © А.В. Назаренко, Я.Ю. Матяш, П.В. Попов, А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, 2023

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».