Исследование пленок SiO2, полученных методом PECVD и легированных ионами Zn

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты исследования пленок оксида кремния, полученных методом PECVD на Si-подложках. Их имплантировали ионами 64Zn+ с энергией 50 кэВ (доза 7 × 1016 см-2), а затем отжигали в атмосфере кислорода при повышенных температурах. Обнаружено, что после имплантации в пленке SiO2 цинк распределен по нормальному закону с максимумом около 40 нм. После имплантации цинк находится в пленке оксида кремния как в металлической фазе (ближе к поверхности пленки), так и в окисленном состоянии (в глубине пленки). После отжигов до 800°С профиль цинка смещается вглубь пленки, в этом случае цинк находится в пленке только в окисленном состоянии. При высоких температурах (более 800°С) профиль цинка смещается к поверхности пленки.

Об авторах

В. В. Привезенцев

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"-НИИ системных исследований

Email: v.privezentsev@mail.ru
Москва, 117218 Россия

А. А. Фирсов

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"-НИИ системных исследований

Email: v.privezentsev@mail.ru
Москва, 117218 Россия

В. С. Куликаускас

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, НИИЯФ им. Д.В. Скобельцына

Email: v.privezentsev@mail.ru
Москва, 119991 Россия

В. В. Затекин

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, НИИЯФ им. Д.В. Скобельцына

Email: v.privezentsev@mail.ru
Москва, 119991 Россия

Е. П. Кириленко

Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН

Email: v.privezentsev@mail.ru
Москва, 119991 Россия

А. В. Горячев

Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН

Email: v.privezentsev@mail.ru
Москва, 119991 Россия

Список литературы

  1. Старостин В.В. Материалы и методы нанотехнологий. М.: БИНОМ, 2015. 434 с.
  2. Litton С.W., Collins T.C., Reynolds D.S. Zinc Oxide Material for Electronic and Optoelectronic Device Application. Chichester: Wiley, 2011.
  3. Neshataeva E., Kümmell T., Bacher G., Ebbers A. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 091115. https://doi.org/10.1063/1.3093675
  4. Chu S., Olmedo M., Yang Zh. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 181106. https://doi.org/10.1063/1.3012579
  5. Smestad G.P., Gratzel M. // J. Chem. Educ. 1998. V. 75. P. 752. https: j.chem.wisc.edu.
  6. Li C., Yang Y., Sun X.W., Lei W., Zhang X.B., Wang B.P., Wang J.X., Tay B.K., Ye J.D., Lo G.Q., Kwong D.L. // Nanotechnology. 2007. V. 18. P. 135604. https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/13/135604
  7. Mehonic A., Shluger A.L., Gao D., Valov I., Miranda E., Ielmini D., Bricalli A., Ambrosi E., Li C., Yang J.J., Xia Q., Kenyon A.J. // Adv. Mater. 2018. V. 30. 43. P. 1801187. https://doi.org/10.1002/adma.201801187
  8. Sirelkhatim A., Mahmud S., Seeni A., Kaus N.H.M., Ann L.C., ohd Bakhori S.K., Hasan H., Mohamad D. // Nano-Micro Lett. 2015. V. 7. P. 219. https://doi.org/10.1007/s40820-015-0040-x
  9. Inbasekaran S., Senthil R., Ramamurthy G., Sastry T.P. // Intern. J. Innov. Res. Sci. Eng. Technol. 2014. V. 3. P. 8601. www.ijirset.com.
  10. Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Myatiev A.A., Straumal P.B., Schütz G., van Aken P.A., Goering E., Baretzky B. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 205206. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.79.205206
  11. Ilyas N., Li C., Wang J., Jiang X., Fu H., Liu F., Gu D., Jiang Y., Li W. // J. Phys. Chem. Lett. 2022. V. 13 (3). P. 884. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.1c03912
  12. Qin F., Zhang Y., Guo Z. et al. // Mater. Adv. 2024. V. 5. P. 4209. https://doi.org/10.1039/d3ma01142
  13. Okulich E.V., Okulich V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. // Mater. Lett. 2022. V. 310. P. 131494. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2021.131494
  14. Mehonic A., Gerard T., Kenyon A.J. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. P. 233502. https://doi.org/10.1063/1.5009069
  15. Chang K.C., Tsai T.M., Chang T.C., Wu H.H., Chen J.H., Syu Y.E., Chang G.W., Chu T.J., Liu G.R., Su Y.T., Chen M.C., Pan J.H., Chen J.Y., Tung C.W., Huang H.C., Tai Y.H., Gan D.S., Sze S.M. // IEEE Eelecron. Dev. Lett. 2013. V. 34 (9). P. 399. https://doi.org/10.1109/LED.2013.2241725
  16. Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Kiselev D.A., Voronova M.I. // J. Surf. Invest.: X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2022. V. 16 (3). P. 402. https://doi.org/ 10.1134/S1027451022030314
  17. Hofmann S. Auger- and X-Ray Photoelectron Spectroscopy in Material Science. Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 2013.
  18. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Ред. Бриггс Д., Сих М.П. М.: Мир, 1987. 600 с.
  19. Монахова Ю.Б., Муштакова С.П. // Журнал аналитической химии. 2012. Т. 67. Вып. 12. С. 1044.
  20. SIMNRA code. https://mam.home.ipp.mpg.de/
  21. Ziegler J.F., Biersack J.P. SRIM 2013 (http://www.srim.org).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Институт физики твердого тела РАН, Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».