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Technical Physics
ISSN 1063-7842 (Print) ISSN 1090-6525 (Online)
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Palavras-chave Barrier Discharge Circular Polarization Coherent Scattering Region Differential Scanning Calorimetry Electric Discharge Electric Field Strength Electron Diffraction Pattern Excited Mode External Electric Field Ferrite Inelastic Energy Loss Ionization Cross Section Magnetron Discharge Martensite Percolation Threshold Plasma Channel Spend Nuclear Fuel Surface Relief Technical Physic Thermal Conductivity Transmission Coefficient
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Informaçao sobre o Autor

Grekhov, I. V.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 61, Nº 2 (2016) Solid State Electronics Parameters of pulse generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diodes: The influence of electron drift velocity saturation
Volume 61, Nº 3 (2016) Solid State Electronics Powerful diode nanosecond current opening switch made of p-silicon (p-SOS)
Volume 62, Nº 1 (2017) Short Communications Analysis of the process of turning off an integrated thyristor with external MOSFET control
Volume 62, Nº 5 (2017) Short Communications High-power subnanosecond silicon avalanche shaper
Volume 62, Nº 11 (2017) Solid State Electronics Analysis of integrated thyristor switching-off by a reverse gate pulse current
Volume 62, Nº 12 (2017) Theoretical and Mathematical Physics The Numerical Simulation of the Nanosecond Switching of a p-SOS Diode
Volume 63, Nº 1 (2018) Optics Generation of High-Voltage Pulses by Sharp-Recovery SiC Drift Diodes (n-Base versus p-Base Diodes)
Volume 63, Nº 6 (2018) Short Communications Influence of Dopant Incomplete Ionization on the Capacitance of a Reverse-Biased 4H-SiC p+−i−n+ Diode
Volume 64, Nº 3 (2019) Solid State Electronics Numerical and Experimental Study of an Optimized p-SOS Diode
 

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