English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Беттің Тақырыбы
Technical Physics
ISSN 1063-7842 (Print) ISSN 1090-6525 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Barrier Discharge Circular Polarization Coherent Scattering Region Differential Scanning Calorimetry Electric Discharge Electric Field Strength Electron Diffraction Pattern Excited Mode External Electric Field Ferrite Inelastic Energy Loss Ionization Cross Section Magnetron Discharge Martensite Percolation Threshold Plasma Channel Spend Nuclear Fuel Surface Relief Technical Physic Thermal Conductivity Transmission Coefficient
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Barrier Discharge Circular Polarization Coherent Scattering Region Differential Scanning Calorimetry Electric Discharge Electric Field Strength Electron Diffraction Pattern Excited Mode External Electric Field Ferrite Inelastic Energy Loss Ionization Cross Section Magnetron Discharge Martensite Percolation Threshold Plasma Channel Spend Nuclear Fuel Surface Relief Technical Physic Thermal Conductivity Transmission Coefficient
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Tregulov, V. V.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 61, № 11 (2016) Solid State Electronics Specific features of current flow mechanisms in the semiconductor structure of a photoelectric converter with an n+–p-junction and an antireflective porous silicon film
Том 63, № 12 (2018) Solid State Electronics Features of the Frequency Dependence of Capacitance–Voltage Characteristics of a Semiconductor Structure of a Photoelectric Converter Based on a p–n Junction with an Antireflective Film of Porous Silicon
Том 64, № 5 (2019) Solid State Electronics Current Transmission Mechanisms in the Semiconductor Structure of a Photoelectric Transducer with an n+–p Junction and an Antireflection Porous Silicon Film Formed by Color Etching
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP