Technical Physics
ISSN 1063-7842 (Print)
ISSN 1090-6525 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Barrier Discharge
Circular Polarization
Coherent Scattering Region
Differential Scanning Calorimetry
Electric Discharge
Electric Field Strength
Electron Diffraction Pattern
Excited Mode
External Electric Field
Ferrite
Inelastic Energy Loss
Ionization Cross Section
Magnetron Discharge
Martensite
Percolation Threshold
Plasma Channel
Spend Nuclear Fuel
Surface Relief
Technical Physic
Thermal Conductivity
Transmission Coefficient
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Barrier Discharge
Circular Polarization
Coherent Scattering Region
Differential Scanning Calorimetry
Electric Discharge
Electric Field Strength
Electron Diffraction Pattern
Excited Mode
External Electric Field
Ferrite
Inelastic Energy Loss
Ionization Cross Section
Magnetron Discharge
Martensite
Percolation Threshold
Plasma Channel
Spend Nuclear Fuel
Surface Relief
Technical Physic
Thermal Conductivity
Transmission Coefficient
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Tregulov, V. V.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 61, № 11 (2016)
Solid State Electronics
Specific features of current flow mechanisms in the semiconductor structure of a photoelectric converter with an
n
+
–
p
-junction and an antireflective porous silicon film
Том 63, № 12 (2018)
Solid State Electronics
Features of the Frequency Dependence of Capacitance–Voltage Characteristics of a Semiconductor Structure of a Photoelectric Converter Based on a
p
–
n
Junction with an Antireflective Film of Porous Silicon
Том 64, № 5 (2019)
Solid State Electronics
Current Transmission Mechanisms in the Semiconductor Structure of a Photoelectric Transducer with an
n
+
–
p
Junction and an Antireflection Porous Silicon Film Formed by Color Etching
TOP