English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Беттің Тақырыбы
Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print) ISSN 1090-6533 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Fullerene Mach Number Martensite Shock Wave Technical Physic Letter dark current. epitaxy heterostructure high-electron-mobility transistor magnetic field mass spectrum molecular beam epitaxy multijunction solar cell photoluminescence plasma quantum dots semiconductor laser silicon tokamak wide-bandgap semiconductors zinc oxide
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Fullerene Mach Number Martensite Shock Wave Technical Physic Letter dark current. epitaxy heterostructure high-electron-mobility transistor magnetic field mass spectrum molecular beam epitaxy multijunction solar cell photoluminescence plasma quantum dots semiconductor laser silicon tokamak wide-bandgap semiconductors zinc oxide
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Jmerik, V. N.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 42, № 4 (2016) Article X-ray diffractometry of AlN/c-sapphire templates obtained by plasma-activated molecular beam epitaxy
Том 42, № 6 (2016) Article Solar-blind AlxGa1–xN (x > 0.45) p–i–n photodiodes with a polarization-p-doped emitter
Том 43, № 5 (2017) Article Stress generation and relaxation in (Al,Ga)N/6H-SiC heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
Том 44, № 2 (2018) Article Spontaneous Formation of Indium Clusters in InN Epilayers Grown by Molecular-Beam Epitaxy
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP