English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Беттің Тақырыбы
Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print) ISSN 1090-6533 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Fullerene Mach Number Martensite Shock Wave Technical Physic Letter dark current. epitaxy heterostructure high-electron-mobility transistor magnetic field mass spectrum molecular beam epitaxy multijunction solar cell photoluminescence plasma quantum dots semiconductor laser silicon tokamak wide-bandgap semiconductors zinc oxide
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Fullerene Mach Number Martensite Shock Wave Technical Physic Letter dark current. epitaxy heterostructure high-electron-mobility transistor magnetic field mass spectrum molecular beam epitaxy multijunction solar cell photoluminescence plasma quantum dots semiconductor laser silicon tokamak wide-bandgap semiconductors zinc oxide
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Drozdov, Yu. N.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 42, № 3 (2016) Article Nonlinear calibration curves in secondary ion mass spectrometry for quantitative analysis of gesi heterostructures with nanoclusters
Том 42, № 8 (2016) Article Extremely deep profiling analysis of the atomic composition of thick (>100 μm) GaAs layers within power PIN diodes by secondary ion mass spectrometry
Том 43, № 5 (2017) Article Selective analysis of the elemental composition of InGaAs/GaAs nanoclusters by secondary ion mass spectrometry
Том 44, № 4 (2018) Article New Cluster Secondary Ions for Quantitative Analysis of the Concentration of Boron Atoms in Diamond by Time-of-Flight Secondary-Ion Mass Spectrometry
Том 44, № 4 (2018) Article A New Limitation of the Depth Resolution in TOF-SIMS Elemental Profiling: the Influence of a Probing Ion Beam
Том 45, № 1 (2019) Article A New Approach to TOF-SIMS Analysis of the Phase Composition of Carbon-Containing Materials
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP