Временная динамика экситонной и рекомбинационной люминесценции квантовых точек CdTe/SiO2 (ядро/оболочка)

Cover Page

Cite item

Full Text

Abstract

Представлены результаты исследования временной динамики интенсивности фотолюминесценции квантовых точек теллурида кадмия, покрытых оболочкой диоксида кремния, при непрерывном оптическом облучении. Установлены как минимум два механизма, оказывающих влияние на излучение квантовых точек CdTe/SiO2. Обнаружено, что на ранних стадиях эксперимента наблюдается увеличение интенсивности люминесценции квантовых точек CdTe/SiO2, а на поздней стадии облучения начинает преобладать фотодеградация люминесценции. Первый механизм, связанный с фотоусилением, обусловлен пассивацией поверхностных дефектов молекулами воды и уменьшением количества центров безызлучательной рекомбинации, а второй механизм, связанный с фотодеградацией, объясняется фотоокислением ядра CdTe под действием кислорода.

Full Text

ВВЕДЕНИЕ

Полупроводниковые коллоидные квантовые структуры [1–5], в частности нуль-мерные наночастицы – квантовые точки (КТ) [6–9] – представляют значительный интерес для решения задач современной оптоэлектроники и фотоники благодаря своим уникальным размерно-зависимым и нелинейным оптическим свойствам [10–14]. При этом фотолюминесценция (ФЛ) квантовых точек может быть связана как с межзонными переходами (между зоной проводимости и валентной зоной), так и переходами с участием поверхностных ловушек [15–18]. Кроме того, на свойства КТ и коллоидных нанокристаллов различной морфологии могут оказывать влияние внешние факторы, такие как температура [19] или электрическое поле [20–23]. При увеличении температуры могут происходить смещение и уширение полос излучения, а также тушение интенсивности как экситонной, так и рекомбинационной люминесценции [24, 25]. Внешнее электрическое поле зачастую приводит к тушению интенсивности люминесценции вследствие уменьшения интеграла перекрытия между волновыми функциями электрона и дырки под действием электрического поля [26]. Однако на люминесцентные свойства КТ влияют не только описанные внешние факторы – оптические свойства коллоидных нанокристаллов могут также изменяться со временем [27, 28]. Так, например, возможны процессы фотодеградации [29] или фотоусиления [30] интенсивности ФЛ коллоидных наночастиц. Фотодеградация может происходить за счет окисления на воздухе [31], отрыва лигандов [32] или/и вследствие неоднородного покрытия ядра КТ оболочкой [33]. Фотоусиление ФЛ может возникать за счет нагрева нанокристаллов под действием лазерного облучения (термический отжиг уменьшает количество ловушек) [34], за счет адсорбции молекул воды на интерфейсах КТ (происходит пассивация ловушек) [28], за счет стабилизации молекулами поверхностно-активных веществ (происходит пассивация ловушек) [35], за счет фотоокисления и фотокоррозии КТ (исчезают дефекты на поверхности) [33]. Многие авторы отмечают, что покрытие КТ полупроводниковой оболочкой способствует большей фотостабильности их оптических свойств и увеличению квантового выхода ФЛ [36, 37]. Однако не всегда КТ типа ядро/оболочка являются абсолютно фотостабильными [38]. Таким образом, исследование фотостабильности и, наоборот, фотодеградации и фотоусиления люминесцентных свойств сферических полупроводниковых наночастиц является перспективным направлением, поскольку понимание механизмов и процессов, которые протекают в КТ, позволяет улучшить их свойства и повысить эффективность устройств на основе подобного рода коллоидных нанокристаллов.

Целью работы было изучение временной динамики межзонной и рекомбинационной люминесценции сферических наночастиц CdTe/SiO2.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Cинтез сферических наночастиц CdTe/SiO2 проводили с использованием поверхностных лигандов с тиоловой группой с последующим их замещением [39], где в качестве прекурсора теллура выступал порошок оксида теллура, а в качестве прекурсора кадмия – бромид кадмия. Конечная смесь представляла собой раствор сферических наночастиц в водной среде.

Морфологию КТ исследовали с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Использовали микроскоп JEOL JEM-2100 с ускоряющим напряжением 200 кВ. На основе ПЭМ-изображения определяли распределение КТ по размерам.

Для регистрации спектров ФЛ в качестве источника излучения использовали непрерывный светодиод Luxeon III Star, излучающий на длине волны 405 нм, средняя мощность излучения составляла 125 мВт, а в качестве приемника люминесценции – спектрометр с ПЗС-матрицей Ocean Optics Maya 2000Pro.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Анализ ПЭМ-изображения (рис. 1а) показал, что синтезированные коллоидные полупроводниковые наночастицы CdTe/SiO2 имеют форму, близкую к сферической. Из гистограммы (рис. 1б), которая соответствует распределению по размерам КТ, видно, что средний размер КТ составляет порядка 2.16 нм с дисперсией 0.29 нм. Нужно учесть, что полученное значение среднего размера (2.16 нм) включает в себя как размер ядра CdTe, так и толщину оболочки SiO2.

 

Рис. 1. Морфология КТ: ПЭМ-изображение (а) и распределение по размерам (б).

 

В спектре ФЛ (рис. 2а) наблюдается явно выраженная экситонная полоса, максимум интенсивности которой приходится на длину волны 523 нм, ее полная ширина на полувысоте составила 58 нм. В красной области спектра присутствует небольшое уширение полосы ФЛ, связанное с наличием излучательных переходов с участием ловушек. Стоит отметить, что вклад таких переходов в спектр ФЛ гораздо меньше, чем вклад ФЛ, обусловленной межзонными переходами. Спектр ФЛ исследуемых КТ смещен в синюю область относительно более крупных КТ и объемного полупроводника CdTe, что обусловлено квантово-размерным эффектом [40].

 

Рис. 2. Репрезентативная серия спектров ФЛ КТ CdTe/SiO2, зарегистрированных при непрерывном оптическом облучении: “День 1” (а) и “День 2” (б).

 

Для исследования временной динамики интенсивности ФЛ КТ CdTe/SiO2 регистрировали спектры ФЛ при непрерывном оптическом возбуждении в течение длительного времени. Эксперимент проводился в два этапа (два дня). В первый день (“День 1”) каждые 5 мин регистрировали спектры ФЛ КТ при непрерывном облучении светодиодом в течение 7 ч. Затем возбуждающее излучение выключали на 1 день. Во второй день (“День 2”) КТ повторно облучали в течение 7 ч и регистрировали спектры ФЛ аналогично первому дню.

На рис. 2а представлена репрезентативная серия спектров ФЛ КТ CdTe/SiO2, полученных в результате эксперимента “День 1”. Видно, что за время эксперимента “День 1” при непрерывном оптическом возбуждении происходило фотоусиление интенсивности люминесценции КТ. Интенсивность экситонной полосы увеличилась примерно на 60%.

Для количественной оценки наблюдаемого эффекта фотоусиления рассчитывали интегральную интенсивность (ИИ) ФЛ КТ. Под интегральной интенсивностью следует понимать площадь под спектром ФЛ. На рис. 3 представлена зависимость ИИ ФЛ от времени при непрерывном оптическом возбуждении за “День 1” (красные квадраты). Видно, что за 7 ч ИИ ФЛ исследуемых КТ увеличилась примерно на 34%. Подобное фотоусиление интенсивности ФЛ коллоидных полупроводниковых КТ CdTe/SiO2 связано с адсорбцией молекул воды на поверхности КТ [28]. При адсорбции молекулы воды пассивируют поверхностные дефекты, тем самым уменьшая вероятность безызлучательных переходов с участием ловушек, что в свою очередь приводит к увеличению интенсивности ФЛ КТ [28, 30, 41].

 

Рис. 3. Зависимости ИИ ФЛ при непрерывном оптическом облучении от времени за “День 1” (красные квадраты) и “День 2” (синие круги); черная кривая – аппроксимация с помощью выражения (1).

 

Для моделирования временной динамики процесса фотоусиления интенсивности ФЛ КТ можно использовать экспоненциальную функцию вида [41]

It=Im+Aexp−tτβ, (1)

где I (t) – зависимость интенсивности ФЛ от времени, Im – конечное значение интенсивности ФЛ при t → ∞, t – время, A – параметр, характеризующий изменение интенсивности ФЛ за время фотоусиления (начальное значение I0 минус конечное значение Im), τ – характерная постоянная времени и β – параметр растяжения экспоненциальной функции. При этом величину ξ=31βτ можно интерпретировать как время, за которое интенсивность ФЛ изменяется на 95% [41]. Результаты аппроксимации приведены в табл. 1 (предварительно проводили нормировку спектров ФЛ на максимум интенсивности люминесценции при t = 0).

 

Таблица 1. Параметры, полученные в результате аппроксимации экспериментальных данных за “День 1” с помощью выражения (1)

Im

A

τ, мин

β

ξ, мин

1.54

−0.54

434.14

1.05

1236.04 (20.60 ч)

 

Из рис. 3 видно, что теоретическая кривая (1) достаточно хорошо согласуется с экспериментальными данными, полученными за “День 1”. Можно предположить, что при более длительном аналогичном эксперименте (порядка 20 ч) ИИ ФЛ коллоидных КТ CdTe/SiO2 увеличится на 95%. Однако, как будет показано далее, во время эксперимента “День 2” наблюдалось уменьшение ИИ со временем.

Синими кругами на рис. 3 показана зависимость ИИ ФЛ КТ от времени при непрерывном оптическом возбуждении за “День 2” (репрезентативная серия спектров ФЛ за второй день представлена на рис. 2б). Видно, что ИИ ФЛ выросла относительно последнего измерения ИИ ФЛ за “День 1”. В результате ИИ ФЛ увеличилась на 58% относительно начала эксперимента по регистрации временной динамики интенсивности ФЛ. Увеличение ИИ ФЛ между этапами “День 1” и “День 2” можно объяснить тем фактом, что процесс пассивации поверхностных дефектов молекулами воды не зависит от наличия оптического облучения и не прекращается в его отсутствие.

За время эксперимента “День 2”, однако, наблюдалось уменьшение интенсивности ФЛ КТ CdTe/SiO2 (рис. 3). За 7 ч непрерывного облучения ИИ ФЛ уменьшилась примерно на 12%. В результате двух этапов экспериментов ИИ ФЛ увеличилась на 39% относительно начального момента времени (“День 1”, t = 0). Увеличение интенсивности ФЛ за этап облучения “День 1” и медленное уменьшение интенсивности ФЛ за этап “День 2” свидетельствуют о наличии как минимум двух конкурирующих процессов, влияющих на излучение исследуемых КТ. Первый процесс, отвечающий за фотоусиление, обусловлен адсорбцией молекул воды на интерфейсах КТ и, как следствие, пассивацией центров безызлучательной рекомбинации (доминирует на ранниx стадиях). Второй процесс, отвечающий за фотодеградацию, связан с фотоокислением ядра CdTe под действием кислорода (проявляется на поздних стадиях). Молекулы кислорода медленно диффундируют через оболочку SiO2 к ядру CdTe, окисляя тем самым поверхность КТ. Длительное воздействие кислорода вызывает образование новых поверхностных ловушек и приводит к тушению интенсивности ФЛ [27, 28].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе спектральных исследований установлено, что излучение КТ CdTe/SiO2 в большей степени происходит вследствие межзонных переходов, однако в длинноволновой области спектра наблюдается слабая люминесценция с участием ловушек. Спектр люминесценции КТ CdTe/SiO2 смещен в синюю область спектра относительно спектра ФЛ объемного кристалла CdTe, что связано с проявлением квантово-размерного эффекта.

Обнаружено, что пассивация молекулами воды ловушек происходит как при непрерывном оптическом облучении, так и в его отсутствие. Пассивация ловушек в свою очередь приводит к фотоусилению ФЛ. При более длительном облучении, когда КТ долгое время находится на воздухе, происходит фотодеградация люминесцентных свойств исследуемых наночастиц. Длительное воздействие кислорода на ядро CdTe вызывает образование новых поверхностных ловушек, что и приводит к фотодеградации.

ФИНАНСИРОВАНИЕ РАБОТЫ

Структурные исследования образцов КТ CdTe/SiO2 выполнены при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации по соглашению № 075-15-2021-1351.

КОНФЛИКТ ИНТЕРЕСОВ

Авторы заявляют, что у них нет конфликта интересов.

×

About the authors

Д. С. Дайбаге

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук; Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Author for correspondence.
Email: daibage@bmstu.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 53, Москва, 119991; ул. 2-я Бауманская, 5, Москва, 105005

О. В. Овчинников

Воронежский государственный университет

Email: daibage@bmstu.ru
Russian Federation, Университетская пл., 1, Воронеж, 394006

М. С. Смирнов

Воронежский государственный университет

Email: daibage@bmstu.ru
Russian Federation, Университетская пл., 1, Воронеж, 394006

С. А. Амброзевич

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук; Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Email: daibage@bmstu.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 53, Москва, 119991; ул. 2-я Бауманская, 5, Москва, 105005

И. А. Захарчук

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук

Email: daibage@bmstu.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 53, Москва, 119991

А. В. Осадченко

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук

Email: daibage@bmstu.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 53, Москва, 119991

А. С. Селюков

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук

Email: daibage@bmstu.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 53, Москва, 119991

References

  1. Behrle R., Krause V., Seifner M.S., Köstler B., Dick K.A., Wagner M., Sistani M., Barth S. Electrical and Structural Properties of Si1−xGex Nanowires Prepared from a Single-Source Precursor // Nanomaterials. 2023. V. 13. № 4. P. 627. https://doi.org/10.3390/nano13040627
  2. Дайбаге Д.С., Захарчук И.А., Осадченко А.В., Селюков А.С., Амброзевич С.А., Скориков М.Л., Васильев Р.Б. Люминесцентные и колориметрические свойства ультратонких наносвитков селенида кадмия // Кр. Сообщ. по физике ФИАН. 2023. T. 50. № 11. С. 83–91.
  3. Meliakov S.R., Belykh V.V., Kalitukha I.V., Golovatenko A.A., Di Giacomo A., Moreels I., Rodina A.V., Yakovlev D.R. Coherent Spin Dynamics of Electrons in CdSe Colloidal Nanoplatelets // Nanomaterials. 2023. V. 13. № 23. P. 3077. https://doi.org/10.3390/nano13233077
  4. Grevtseva I., Ovchinnikov O., Smirnov M., Perepelitsa A., Chevychelova T., Derepko V., Osadchenko A., Selyukov A. IR Luminescence of Plexcitonic Structures Based on Ag2S/L-Cys Quantum Dots and Au Nanorods // Opt. Express. 2022. V. 30. № 4. P. 4668–4679. https://doi.org/10.1364/OE.447200
  5. Babaev A.A., Skurlov I.D., Cherevkov S.A., Parfenov P.S., Baranov M.A., Kuzmenko N.K., Koroleva A.V., Zhizhin E.V., Fedorov A.V. PbSe/PbS Core/Shell Nanoplatelets with Enhanced Stability and Photoelectric Properties // Nanomaterials. 2023. V. 13. № 23. P. 3051. https://doi.org/10.3390/nano13233051
  6. Chae Y.B., Kim S.Y., Choi H.D., Moon D.G., Lee K.H., Kim C.K. Enhancing Efficiency in Inverted Quantum Dot Light-Emitting Diodes through Arginine-Modified ZnO Nanoparticle Electron Injection Layer // Nanomaterials. 2024. V. 14. № 3. P. 266. https://doi.org/10.3390/nano14030266
  7. Tosa K., Ding C., Chen S., Hayase S., Shen Q. Classifying the Role of Surface Ligands on the Passivation and Stability of Cs2NaInCl6 Double Perovskite Quantum Dots // Nanomaterials. 2024. V. 14. № 4. P. 376. https://doi.org/10.3390/nano14040376
  8. Дайбаге Д.С., Амброзевич, С.А., Перепелица А.С., Захарчук И.А., Осадченко А.В., Безверхняя Д.М., Авраменко А.И., Селюков А.С. Спектральные и кинетические свойства квантовых точек сульфида серебра во внешнем электрическом поле // Научно-технический вестн. информационных технологий, механики и оптики. 2022 Т. 22. № 6. С. 1098–1103. https://doi.org/10.17586/2226-1494-2022-22-6-1098-1103
  9. Derepko V.N., Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Grevtseva I.G., Kondratenko T.S., Selyukov A.S., Turishchev S.Y. Plasmon-Exciton Nanostructures, Based on CdS Quantum Dots with Exciton and Trap State Luminescence // J. Lumin. 2022. V. 248. P. 118874. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2022.118874
  10. Korepanov O., Kozodaev D., Aleksandrova O., Bugrov A., Firsov D., Kirilenko D., Mazing D., Moshnikov V., Shomakhov Z. Temperature-and Size-Dependent Photoluminescence of CuInS2 Quantum Dots // Nanomaterials. 2023. V. 13. № 21. P. 2892. https://doi.org/10.3390/nano13212892
  11. Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Korolev N.V., Golovinski P.A., Vitukhnovsky A.G. The Size Dependence Recombination Luminescence of Hydrophilic Colloidal CdS Quantum Dots in Gelatin // J. Lumin. 2016. V. 179. P. 413–419. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2016.07.016
  12. Yu W. W., Qu L., Guo W., Peng X. Experimental Determination of the Extinction Coefficient of CdTe, CdSe, and CdS Nanocrystals // Chem. Mater. 2003. V. 15. № 14. P. 2854–2860. https://doi.org/10.1021/cm034081k
  13. Bhakti B., Datta S., Ghosh M. Influence of Spatial Extension of Impurity on the Nonlinear Optical Properties of Doped GaAs Quantum Dot in Presence of Noise // Mod. Phys. Lett. B. 2024. V. 38. № 5. P. 2350242. https://doi.org/10.1142/S0217984923502421
  14. Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Chevychelova T.A., Zvyagin A.I., Selyukov A.S. Nonlinear Absorption Enhancement of Methylene Blue in the Presence of Au/SiO2 Core/Shell Nanoparticles // Dyes Pigments. 2022. V. 197. P. 109829. https://doi.org/10.1016/j.dyepig.2021.109829
  15. Кондратенко Т.С., Гревцева И.Г., Звягин А.И., Овчинников О.В., Смирнов М.С. Люминесцентные и нелинейно-оптические свойства гибридных ассоциатов квантовых точек Ag2S с молекулами тиазиновых красителей // Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 124. № 5. С. 640–647. https://doi.org/10.21883/OS.2018.05.45945.310-17
  16. Deng Z., Guyot-Sionnest P. Intraband Luminescence from HgSe/CdS Core/Shell Quantum Dots // ACS Nano. 2016. V. 10. № 2. P. 2121–2127. https://doi.org/10.1021/acsnano.5b06527
  17. Grevtseva I.G., Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Perepelitsa A.S., Chevychelova T.A., Derepko V.N., Osadchenko A.V., Selyukov A.S. The Structural and Luminescence Properties of Plexcitonic Structures Based on Ag2S/ l-Cys Quantum Dots and Au Nanorods // RSC Adv. 2022. V. 12. № 11. P. 6525–6532. https://doi.org/10.1039/D1RA08806H
  18. Дайбаге Д. С. Спектральные и кинетические характеристики свернутых в виде свитков ультратонких нанопластин селенида кадмия // Научно-технический вестн. информационных технологий, механики и оптики. 2023. Т. 23. № 5. С. 920–926. https://doi.org/10.17586/2226-1494-2023-23-5-920-926
  19. Du J., Feng A., Poelman D. Temperature Dependency of Trap‐Controlled Persistent Luminescence // Laser Photonics Rev. 2020. V. 14. № 8. P. 2000060. https://doi.oxrg/10.1002/lpor.202000060
  20. Wang Z., Huang Z., Liu G., Cai B., Zhang S., Wang Y. In‐Situ and Reversible Enhancement of Photoluminescence from CsPbBr3 Nanoplatelets by Electrical Bias // Adv. Opt. Mater. 2021. V. 9. № 15. P. 2100346. https://doi.org/10.1002/adom.202100346
  21. Дайбаге Д.С., Амброзевич С.А., Перепелица А.С., Захарчук И.А., Смирнов М.С., Овчинников О.В., Асланов С.В., Осадченко А.В., Селюков А.С. Влияние электрического поля на рекомбинационную люминесценцию коллоидных квантовых точек сульфида серебра // Вестн. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки. 2023. № 3. С. 100–117. https://doi.org/10.18698/1812-3368-2023-3-100-117
  22. Муравицкая А.О., Гуринович Л.И., Прудников А.В., Артемьев М.В., Гапоненко С.В. Влияние внешнего электрического поля на фотолюминесценцию коллоидных наночастиц CdSe различной топологии // Оптика и спектроскопия. 2017. Т. 122. № 1. С. 91–95. https://doi.org/10.7868/S0030403417010214
  23. Nakabayashi T., Ohshima R., Ohta N. Electric Field Effects on Photoluminescence of CdSe Nanoparticles in a PMMA Film // Crystals. 2014. V. 4. № 2. P. 152–167. https://doi.org/10.3390/cryst4020152
  24. Kushavah D., Mohapatra P.K., Ghosh P., Singh M., Vasa P., Bahadur D., Singh B.P. Photoluminescence Characteristics of CdSe Quantum Dots: Role of Exciton–Phonon Coupling and Defect/Trap States // Mater. Res. Express. 2017. V. 4. № 7. P. 075007. https://doi.org/10.1088/2053-1591/aa7a4f
  25. de Mello Donegá C., Bode M., Meijerink A. Size-and Temperature-Dependence of Exciton Lifetimes in CdSe Quantum Dots // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. № 8. P. 085320. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.085320
  26. Vitukhnovsky A.G., Selyukov A.S., Solovey V.R., Vasiliev R.B., Lazareva E.P. Photoluminescence of CdTe Colloidal Quantum Wells in External Electric Field // J. Lumin. 2017. V. 186. P. 194–198. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2017.02.041
  27. Moon H., Lee C., Lee W., Kim J., Chae H. Stability of Quantum Dots, Quantum Dot Films, and Quantum Dot Light‐Emitting Diodes for Display Applications // Adv. Mater. 2019. V.31. № 34. P. 1804294. https://doi.org/10.1002/adma.201804294
  28. Patra S., Samanta A. Effect of Capping Agent and Medium on Light-Induced Variation of the Luminescence Properties of CdTe Quantum Dots: a Study Based on Fluorescence Correlation Spectroscopy, Steady State and Time-Resolved Fluorescence Techniques // J. Phys. Chem. C. 2014. V. 118. № 31. P. 18187–18196. https://doi.org/10.1021/jp5048216
  29. Malashin I.P., Daibagya D.S., Tynchenko V.S., Nelyub V.A., Borodulin A.S., Gantimurov A.P., Ambrozevich S.A., Selyukov A.S. ML-based Forecasting of Temporal Dynamics in Luminescence Spectra of Ag2S Colloidal Quantum Dots // IEEE Access. 2024. V. 12. P. 53320–53334. https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3387024
  30. Zaini M.S., Ying Chyi Liew J., Alang Ahmad S.A., Mohmad A.R., Kamarudin M.A. Quantum Confinement Effect and Photoenhancement of Photoluminescence of PbS and PbS/MnS Quantum Dots // Appl. Sci. 2020. V. 10. № 18. P. 6282. https://doi.org/10.3390/app10186282
  31. Cordero S.R., Carson P.J., Estabrook R.A., Strouse G.F., Buratto S.K. Photo-Activated Luminescence of CdSe Quantum Dot Monolayers // J. Phys. Chem. B. 2000. V. 104. № 51. P. 12137–12142. https://doi.org/10.1021/jp001771s
  32. Aldana J., Wang Y.A., Peng X. Photochemical Instability of CdSe Nanocrystals Coated by Hydrophilic Thiols // JACS. 2001. V. 123. № 36. P. 8844–8850. https://doi.org/10.1021/ja016424q
  33. Carrillo-Carrión C., Cárdenas S., Simonet B.M., Valcárcel M. Quantum Dots Luminescence Enhancement due to Illumination with UV/Vis Light // Chem. Commun. 2009. № 35. P. 5214–5226. https://doi.org/10.1039/B904381K
  34. Cai Q., Zhou H., Lu F. Enhanced Infrared Response of Si Base p–n Diode with Self-Assembled Ge Quantum Dots by Thermal Annealing // Appl. Surf. Sci. 2008. V. 254. № 11. P. 3376–3379. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2007.11.019
  35. Bao H., Gong Y., Li Z., Gao M. Enhancement Effect of Illumination on the Photoluminescence of Water-Soluble CdTe Nanocrystals: Toward Highly Fluorescent CdTe/CdS Core−Shell Structure // Chem. Mater. 2004. V. 16. № 20. P. 3853–3859. https://doi.org/10.1021/cm049172b
  36. Shim H.S., Ko M., Nam S., Oh J. H., Jeong S., Yang Y., Park S.M., Do Y.R., Song J.K. InP/ZnSeS/ ZnS Quantum Dots with High Quantum Yield and Color Purity for Display Devices // ACS Appl. Nano Mater. 2023. V. 6. № 2. P.1285–1294. https://doi.org/10.1021/acsanm.2c04936
  37. Dabbousi B.O., Rodriguez-Viejo J., Mikulec F.V., Heine J.R., Mattoussi H., Ober R., Jensen K.F., Bawendi M.G. (CdSe)ZnS Core−Shell Quantum Dots: Synthesis and Characterization of a Size Series of Highly Luminescent Nanocrystallites // J. Phys. Chem. B. 1997. V. 101. № 46. P. 9463–9475. https://doi.org/10.1021/jp971091y
  38. Van Sark W.G., Frederix P.L., Van den Heuvel D.J., Gerritsen H.C., Bol A.A., Van Lingen J.N., de Mello Donegá C., Meijerink A. Photooxidation and Photobleaching of Single CdSe/ZnS Quantum Dots Probed by Room-Temperature Time-Resolved Spectroscopy // J. Phys. Chem. B. 2001. V. 105. № 35. P. 8281–8284. https://doi.org/10.1021/jp012018h
  39. Daibagya D.S, Ambrozevich S.A., Zakharchuk I.A., Osadchenko A.V., Smirnov M.S., Ovchinnikov O.V., Selyukov A.S. Emission behaviour of CdTe/SiO2 Core/Shell Quantum Dots in External Electric Field // Opt. Mater. 2024. V. 150. P. 115297. https://doi.org/10.1016/j.optmat.2024.115297
  40. Sathyamoorthy R., Sudhagar P., Kumar R. S., Sathyadevan T. M. Low-Temperature Synthesis of Thiol-Functionalized CdTe Nanoclusters with Different Tellurium Contents // Cryst. Res. Technol. 2010. V. 45. № 1. P. 99–103. https://doi.org/10.1002/crat.200900479
  41. Llopis M.V., Rodríguez J.C.C., Martín F.J.F., Coto A.M., Fernandez-Argueelles M.T., Costa-Fernández J.M., Sanz-Medel A. Dynamic Analysis of the Photoenhancement Process of Colloidal Quantum Dots with Different Surface Modifications // Nanotechnology. 2011. V. 22. № 38. P. 385703. https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/38/385703

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download
2. Fig. 1. CT morphology: SEM image (a) and size distribution (b).

Download (537KB)
Indexing metadata
3. Fig. 2. Representative series of CdTe/SiO2 CT FL spectra recorded under continuous optical irradiation: ‘Day 1’ (a) and ‘Day 2’ (b).

Download (285KB)
Indexing metadata
4. Fig. 3. Time dependences of FL AI under continuous optical irradiation for ‘Day 1’ (red squares) and ‘Day 2’ (blue circles); black curve - approximation using expression (1).

Download (81KB)
Indexing metadata

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».