Магнетотранспортные свойства монокристаллического n-CdAs2 при высоком давлении

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Электросопротивление и поперечное магнетосопротивление (МС) монокристалла n-CdAs2 измерялись при давлении до 50 ГПа и комнатной температуре. С увеличением давления увеличивается отрицательное баросопротивление, возрастающее с магнитным полем и достигающее максимума в 8% при 1 Тл. Обнаружен резкий рост отрицательного МС в области давлений, предшествующих структурным изменениям. Измеренные свойства позволили впервые идентифицировать новый структурный фазовый переход I рода, наблюдающийся в окрестности 35 ГПа при компрессии и в области 20 ГПа при декомпрессии. Барический гистерезис шириной 15 ГПа свидетельствует о наличии метастабильной высокобарической фазы и сосуществовании низко- и высокобарической фаз в широком интервале давлений.

Об авторах

Л. А. Сайпулаева

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДФИЦ Российской академии наук

Email: l.saypulaeva@gmail.com
ул. Ярагского, 94, Махачкала, 367003 Россия

А. В. Тебеньков

Уральский федеральный университет, Институт естественных наук и математики

Email: l.saypulaeva@gmail.com
ул. Куйбышева, 48, Екатеринбург, 620000 Россия

Ш. Б. Абдулвагидов

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДФИЦ Российской академии наук

Email: l.saypulaeva@gmail.com
ул. Ярагского, 94, Махачкала, 367003 Россия

С. Ф. Маренкин

Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук

Email: l.saypulaeva@gmail.com
Ленинский пр., 31, Москва, 119991 Россия

Ю. Б. Нечушкин

Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук; Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”

Автор, ответственный за переписку.
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Ленинский пр., 31, Москва, 119991 Россия; Ленинский пр., 4, Москва, 119991 Россия

Список литературы

  1. Маренкин С.Ф., Трухан В.М. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск: Вараскин А.Н., 2010. 224 с.
  2. Turner W.J., Fischler A.S., Reese W.E. Physical Properties of Several II–V Semiconductors // Phys. Rev. 1961. V. 121. № 3. P. 759–767.
  3. Маренкин С.Ф., В.А. Морозова В.А., Кошелев О.Г. Структурные дефекты и параметры зонной структуры монокристаллов CdAs2, ZnAs2, Cd1–xZnxAs2, Zn1–xCdxAs2 // Неорган. материалы. 2010. Т. 46. № 9. С. 1114–1120.
  4. Okamoto H. The As-Zn (arsenic-zinc) system // J. Phase Equilib. 1992. V. 13. № 2. P. 155–161.
  5. Тонков Е.Ю. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. М.: Наука, Физматлит, 1979. 464 с.
  6. Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Арсланов Р.К., Маренкин С.Ф. Влияние гидростатического сжатия на электрофизические свойства монокристаллического диарсенида кадмия // Неорган. материалы. 2001. Т. 37. № 4. С. 405–408.
  7. Mollaev A. Yu., Saypulaeva L.A., Arslanov R.K., Gabibov S.F., Marenkin S.F. Electrophysical Properties of ZnAs2 and CdAs2 at Hydrostatic Pressure up to 9 GPa // High Pressure Res J. 2002. V. 22. № 1. P. 181–184.
  8. Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Арсланов Р.К., Габибов С.Ф., Маренкин С.Ф., Вольфкович А.Ю. Удельное электросопротивление и эффект Холла диарсенида цинка при гидростатическом давлении до 9 ГПа // Неорган. материалы. 2002. Т. 38. № 3. С. 263–264.
  9. Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Алибеков А.Г., Маренкин С.Ф., Бабушкин А.Н. Фазовые превращения в полупроводниках AIIBV при высоком давлении // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 6. С. 730–734.
  10. Маренкин С.Ф., Раухман А.М., Маймасов А.Б., Попов В.А. Особенности выращивания монокристаллов CdAs2 по методу Бриджмена // Неорган. материалы. 1997. Т. 33. № 12. С. 1439–1447.
  11. Vereschagin L.F., Yakovlev E.N., Vinogradov B.V., Stepanov G.N., Bibaev K. Kh., Alaeva T.J., Sakun V.P. Megabar Pressure Between Anvils // High Temp., High Pressures. 1974. V. 6. P. 99–505.
  12. Babushkin A.N., Pilipenko G.I., Gavrilov F.F. The Electrical Conductivity and Thermal Electromotive Force of Lithium Hydride and Lithium Deuteride at 20–50 GPa // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V. 5. P. 8659–8664.
  13. Сайпулаева Л.А., Абдулвагидов Ш.Б., Тебеньков А.В., Маренкин С.Ф. Структурные фазовые превращения в n-CdAs2, индуцированные давлением: рентгеновские и электрофизические свойства // Физика и техника высоких давлений. 2024. Т. 34. № 4. С. 62–73.
  14. Żdanowicz E., Portal J.C., Wojciechowski W., Sokolovskii V.A. Proc. 16th School on Physics of Semiconducting Compounds // Acta Phys. Pol. A. 1988. V. 73. P. 3
  15. Kawabata A. Theory of Negative Magnetoresistance I. Application to Heavily Doped Semiconductors // J. Phys. Soc. Jpn. 1980. V. 49. P. 628–637.
  16. Oubraham A., Biskupski G., Zdanowicz E. Negative Magnetoresistance of n-type Compensated Cadmium Arsenide (CdAs2) in the Temperature Range 1.1 K — 4.2 K // Solid State Commun. 1991. V. 77. № 5. P. 351–354.
  17. Toyozawa Y. Theory of Localized Spins and Negative Magnetoresistance in the Metallic Impurity Conduction // J. Phys. Jpn. 1962. V. 17. № 6. P. 986–1004.
  18. Al’tshuler B.L., Aronov A.G., Khmel’nitskii D.E. Negative Magnetoresistance in Semiconductors in the Hopping Conduction Region // JETP Lett. 1982. V. 36. № 5. P. 195–198.
  19. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 615 с.
  20. Berkowitz A.E., Mitchell J.R., Carey M.J., Young A.P., Zhang S., Spada F.E., Parker F.T., Hutten A., Thomas G. Giant Magnetoresistance in Heterogeneous Cu-Co alloys // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. P. 3745–3748.
  21. Fratila L., Maurin I., Dubourdieu C., Villégier J.C. Spin-polarized Quasiparticles Injection in La0.7Sr0.3MnO3 / SrTiO3 / Nb heterostructure devices // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. № 12. 122505.
  22. Soulen R.J., Byers J.M., Osofsky M.S., Nadgorny B., Ambrose T., Cheng S.F., Broussard P.R., Tanaka C.T., Nowak J., Moodera J.S., Barry A., Coey J.M. Measuring the Spin Polarization of a Metal with a Superconducting Point Contact // Science. 1998. V. 282. P. 85–88.
  23. Сайпулаева Л.А., Риль А.И., Маренкин С.Ф., Абдулвагидов Ш.Б., Залибеков У.З. Влияние высокого давления на кинетические характеристики гетерогенного сплава Cd3As2(MnAs)0.03 // ФТТ. 2024. Т. 66. № 5. С. 699–702.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».