Pore nucleation and growth in n-type Si during its electrochemical etching
- Авторы: Abramova E.N.1, Khort A.M.1, Yakovenko A.G.1, Prokhorov D.I.1, Shvets V.I.1
-
Учреждения:
- Institute of Fine Chemical Technologies
- Выпуск: Том 473, № 2 (2017)
- Страницы: 67-69
- Раздел: Chemistry
- URL: https://journal-vniispk.ru/0012-5008/article/view/153935
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0012500817040012
- ID: 153935
Цитировать
Аннотация
A mechanism is suggested for pore formation in n-type Si through the stage of nucleation in the most probable places.
Об авторах
E. Abramova
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
A. Khort
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
A. Yakovenko
Institute of Fine Chemical Technologies
Автор, ответственный за переписку.
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
D. Prokhorov
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
V. Shvets
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
Дополнительные файлы
