Температурная зависимость спиновой накачки в гетероструктурах Py/Pt, Py/W
- Авторы: Пахомов А.С.1,2, Скирдков П.Н.2,3, Юрлов В.В.1,2, Чернов А.И.1, Звездин К.А.2
-
Учреждения:
- МФТИ, Физтех
- ООО “Новые спинтронные технологии”
- Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
- Выпуск: Том 125, № 5 (2024)
- Страницы: 502-506
- Раздел: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА
- URL: https://journal-vniispk.ru/0015-3230/article/view/272563
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0015323024050022
- EDN: https://elibrary.ru/XXVXRV
- ID: 272563
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Исследованы сплошные пленки гетероструктур Py/Pt, Py/W методом ферромагнитного резонанса. Получены температурные зависимости параметра затухания Гильберта и напряжения обратного спинового эффекта Холла (ОСЭХ) в температурном диапазоне 5–290 К. Обнаружено аномальное увеличение параметра затухания Гильберта в районе 50 К и изменение напряжения ОСЭХ. Сделан вывод о том, что увеличение параметра затухания Гильберта имеет спин-орбитальную природу.
Полный текст
Введение
Возможность контроля динамики намагниченности является критически важной характеристикой передовых магнитных материалов современной спинтроники [1]. Благодаря возможности управлять динамикой намагниченности сегодня существует ряд различных спинтронных устройств, таких как SOT-MRAM [2–4], оптически переключаемая сверхбыстрая память [5, 6], а также большое количество магнонных устройств [7, 8]. В таких устройствах динамику намагниченности обычно характеризует феноменологический параметр затухания Гильберта α [9], который определяет быстродействие устройства, критический ток переключения и потребление энергии.
Существует несколько механизмов, объясняющих затухание динамики намагниченности. С одной стороны, затухание всегда зависит от характеристик самого материала, таких как рассеяние спин-поляризованных электронов проводимости на намагниченности [10], спиновое рассеяние на дефектах решетки [11, 12], электрон-электронное и электронно-примесное рассеяние [13], двухмагнонное рассеяние на дефектах, поверхностях, границах раздела [14] и др. Величину затухания оценивали как теоретически [15–17], так и определяли экспериментально [18, 19] для переходных металлов и сплавов. Были продемонстрированы материалы с рекордно низким затуханием, такие как железо-иттриевые гранаты [20–22], сплавы Гейслера [23–25] и железо, легированное ванадием [26–28]. Все упомянутые материалы достаточно сложны в изготовлении, что позволяет сплавам переходных металлов, таким как пермаллой Py или CoFeB, оставаться самыми распространенными в приложениях. С другой стороны, угловой момент намагниченности подвержен влиянию спиновых токов, что также влияет на характеристики затухания. В спинтронных гетероструктурах типа ферромагнетик/материал с большим спин-орбитальным взаимодействием одним из самых эффективных методов генерации спинового тока является спиновая накачка. Во время ферромагнитного резонанса, когда резонансная частота прецессии намагниченности совпадает с частотой внешнего переменного магнитного поля, начинает течь спиновый ток из ферромагнитного слоя в прилежащий слой. Таким образом изменяется магнитный момент свободного слоя, что может приводить к изменению ширины резонансной линии.
Спиновый ток можно также измерить с помощью обратного спинового эффекта Холла (ОСЭХ). Благодаря ОСЭХ спиновый ток преобразуется в зарядовый ток вследствие спин-орбитального взаимодействия. В то же время наличие зарядового тока может приводить к возникновению спинового тока – данное явление называется спиновый эффект Холла.
В настоящей работе нами был проведен эксперимент по спиновой накачке в широком температурном диапазоне (5–300 К) для образцов гетероструктур Py(20 нм)/W(5 нм) и Py(20 нм)/Pt(5 нм). Были определены значения параметра затухания Гильберта α и эффективной намагниченности насыщения Meff для упомянутых выше структур. Также было измерено напряжение ОСЭХ в том же температурном диапазоне.
Экспериментальная часть
Набор образцов изготавливали с помощью магнетронного напыления на установке ATC-2200-UHV. На сапфировую подложку сначала напыляли слой тяжелого металла, а затем слой ферромагнетика. Для лучшего качества интерфейса тяжелый металл/ферромагнетик слои напыляли методом in situ. Толщины образцов определяли с помощью рентгеновского дифрактометра Thermo ARL X’TRA. Толщина слоя тяжелого металла (Pt, W) составила 5±0.2 нм, толщина слоя пермаллоя составила 20±0.2 нм.
Набор образцов исследовали методом ферромагнитного резонанса в криостате замкнутого цикла Cryotrade CFSG-400. Для возбуждения прецессии намагниченности в ферромагнитном слое образец располагали на полосковом копланарном волноводе, подключенном к векторному анализатору цепей (ВАЦ) Keysight P5004A через коаксиальные кабельные сборки. Чтобы не было электрического контакта между сигнальной линией полоска и образцом, между ними располагали пленку политетрафторэтилена толщиной 5 мкм. Характеристики волновода были рассчитаны таким образом, чтобы его импеданс равнялся 50 Ом. Далее полосковую линию с образцом помещали на холодном пальце криостата.
Параметр S21 (отношение мощности на порте приемнике к мощности на порте излучателе в ВАЦ) измеряли на фиксированной частоте в диапазоне 5–16 ГГц в зависимости от внешнего магнитного поля H. Магнитное поле создавали электромагнитом, подключенным к источнику питания, управляемым с компьютера, и варьировали в диапазоне 4000–100 Э. Затем экспериментальные данные аппроксимировали выражением (1) – суммой двух Лоренцианов, где kS – коэффициент при симметричной части, kAS – коэффициент при несимметричной части, ΔH – ширина резонансной линии на полувысоте, Hres – положение резонансного пика [29, 30]. Для определения параметра затухания Гильберта зависимость ширины резонансной линии от частоты аппроксимировали выражением (2) [30]. Данную операцию проводили для каждой температуры.
(1)
. (2)
Напряжение ОСЭХ измеряли на том же стенде, но с небольшими доработками. В тракт был добавлен СВЧ-усилитель с малым уровнем собственных шумов. На образец подавали мощность 60 мВт. К образцу были подведены контакты, для детектирования изменения напряжения. Напряжение ОСЭХ детектировали с помощью нановольтметра Keithley 2182A. Полученные данные затем аппроксимировали выражением (3), в котором VS, коэффициент при симметричной части Лореницана, отвечает за напряжение ОСЭХ, VAS, коэффициент при антисимметричной части, относится к напряжению аномального эффекта Холла, ΔH и Hres являются шириной резонансной линии и резонансным полем соответственно [30]:
(3)
Обсуждение результатов
Температурная зависимость параметра затухания Гильберта представлена на рис. 1. Из графика видно, что наличие слоя тяжелого металла (W, Pt) ведет к увеличению α во всём температурном диапазоне в сравнении с чистой пермаллоевой пленкой толщиной 20 нм, где α принимает значения в районе 0.007 в том же температурном диапазоне [29, 30].
Рис. 1. Зависимость параметра затухания Гильберта для образцов Py/W (черные полые квадраты), Py/Pt (красные полые круги). Отчетливо наблюдается увеличения параметра Гильберта при уменьшении температуры от 100 К до 50 К, далее вплоть до 5 К идет уменьшение параметра.
В нашем случае в диапазоне температур от 295 до 100 К параметр Гильберта равен 0.01 для образца Py/W и 0.013 для структуры Py/Pt. Далее с уменьшением температуры для обоих образцов наблюдается характерное увеличение α до значений 0.014 (Py/W) и 0.019 (Py/Pt) при 50 К, затем наблюдается спад параметра вплоть до значений 0.011 (Py/W) и 0.015 (Py/Pt). Ранее на подобных структурах наблюдали схожее поведение температурных зависимостей, которое связывают с дополнительным слагаемым в суммарном затухании системы, которое возникает из влияния шероховатости поверхности образца и интерфейса тяжелый металл/ферромагнетик [29, 30, 31]. В случае с тонкими пленками пермаллоя также наблюдали максимум на температуре 50 К, но на образцах с меньшей толщиной пермаллоя (3 и 5 нм). В этом случае такое поведение системы объясняли тем, что имеет место спиновый переориентационный переход на поверхности пленки при низкой температуре [29]. В случае наших структур, где есть слой с материалом с большим спин-орбитальным взаимодействием (Pt, W), вышеупомянутый пик имеет большую амплитуду. Этот факт позволяет сделать вывод о том, что увеличение параметра затухания Гильберта в указанном температурном диапазоне имеет спин-орбитальный характер. Для подтверждения этой гипотезы нами был проведен эксперимент по измерению напряжения ОСЭХ.
В данной геометрии измеренное напряжение будет определяться не только ОСЭХ, но и так называемым спин-выпрямительным эффектом (СВЭ). СВЭ возникает вследствие синхронизации индуцированных поверхностных токов, текущих в образце, и колебаний магнетосопротивления, вызванных переменным высокочастотным магнитным полем. Разделение этих двух эффектов является довольно трудной задачей, в которой важную роль играет размер образцов, их толщины и взаимные ориентации слоев. В нашем случае размеры и толщина образцов одинаковы, различие только в материале тяжелого металла. Стоит учесть, что расстояние от центральной линии волновода до образца сравнительное велико (5 мкм) и образец отделен от сигнальной линии слоем диэлектрика (ПТФЭ). Принимая во внимание все вышеупомянутые факторы, мы считаем, что вклад от спин-выпрямительного эффекта в нашем случае минимален. На рис. 2 представлена температурная зависимость напряжения ОСЭХ для образцов Py/W и Py/Pt. Здесь мы видим увеличение напряжение ОСЭХ в обоих образцах от комнатной температуры до ~130 К. Далее наблюдается спад напряжения до значений комнатной температуры при 50 К, что совпадает положением пика по температуре в α, и затем вплоть до 5 К напряжение ОСЭХ снова начинает увеличиваться. Такое поведение может быть связано с тем, что в нашей системе помимо упомянутых выше ОСЭХ и СВЭ присутствует еще напряжение, связанное с аномальным эффектом Нернста (АЭН), которое имеет противоположный знак. В диапазоне температур от 50 до 5 К начинает существенно расти градиент температур по толщине образца, за счет теплопередачи от копланарной линии к образцу, вследствие чего и возникает АЭН. Таким образом, при низких температурах АЭН начинает играть доминирующую роль, что приводит к снижению измеряемого напряжения.
Рис. 2. Зависимость напряжения ОСЭХ для образцов Py/W (черные полые квадраты), Py/Pt (красные полые круги). Наблюдается увеличение напряжения ОСЭХ с уменьшением температуры от комнатной до ~130 К. Далее вплоть до 50 К идет уменьшение напряжения. Затем наблюдается резкий подъем.
Заключение
Исследованы гетероструктуры Py(20 нм)/W(5 нм) и Py(20 нм)/Pt(5 нм) методом ферромагнитного резонанса с температурным разрешением 5–295 К. Обнаружено характерное увеличение параметра затухания Гильберта в области 50 К. Данное поведение имеет спин-орбитальный характер.
Измерено напряжение обратного спинового эффекта Холла с разрешением по температуре, и обнаружен спад напряжения в области 50 К. Данное поведение мы связываем с наличием аномального эффекта Нернста, который начинает доминировать в области температур ниже 50 К.
Авторы выражают благодарность Министерству науки и высшего образования Российской Федерации за финансирование работ в рамках Соглашения № 075-11-2022-046.
Авторы данной работы заявляют, что у них нет конфликта интересов.
Об авторах
А. С. Пахомов
МФТИ, Физтех; ООО “Новые спинтронные технологии”
Автор, ответственный за переписку.
Email: a.pakhomov@nst.tech
Центр двумерных материалов и фотоники
Россия, 141701, Долгопрудный, Институтский переулок, 9; 121205, Москва, Большой бульвар, 30, стр.1П. Н. Скирдков
ООО “Новые спинтронные технологии”; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Email: a.pakhomov@nst.tech
Россия, 121205, Москва, Большой бульвар, 30, стр.1; 119991, ГСП-1, ул. Вавилова, 38, Москва
В. В. Юрлов
МФТИ, Физтех; ООО “Новые спинтронные технологии”
Email: a.pakhomov@nst.tech
Центр двумерных материалов и фотоники
Россия, 141701, Долгопрудный, Институтский переулок, 9; 121205, Москва, Большой бульвар, 30, стр.1А. И. Чернов
МФТИ, Физтех
Email: a.pakhomov@nst.tech
Центр двумерных материалов и фотоники
Россия, 141701, Долгопрудный, Институтский переулок, 9К. А. Звездин
ООО “Новые спинтронные технологии”
Email: a.pakhomov@nst.tech
Россия, 121205, Москва, Большой бульвар, 30, стр.1
Список литературы
- Azzawi S., Hindmarch A., and Atkinson D. Magnetic Damping Phenomena in Ferromagnetic Thin-films and Multilayers // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. No. 473001.
- Khvalkovskiy A.V., Apalkov D., Watts S., Chepulskii R., Beach R.S., Ong A., Tang X., Driskill-Smith A., Butler W.H., Visscher P.B. Basic Principles of STT-MRAM cell operation in memory arrays // J. Phys. D: Appl. Phys. 2013. V. 46. No. 074001.
- Apalkov D., Khvalkovskiy A., Watts S., Nikitin V., Tang X., Lottis D., Moon K., Luo X., Chen E., Ong A., Driskill-Smith A., Krounbi M. Spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM) // ACM J. Emerging Technologies in Computing Systems. 2013. (JETC) 9. 1.
- Ramaswamy R., Lee J.M., Cai K., Yang H. Recent advances in spin-orbit torques: Moving towards device applications // Appl. Phys. Rev. 2018. V. 5. No. 031107.
- Kirilyuk A., Kimel A.V. and Rasing T. Ultrafast optical manipulation of magnetic order // Rev. Mod. Phys. 2010. V. 82. No. 2731.
- Polley D., Pattabi A., Chatterjee J., Mondal S., Jhuria K., Singh H., Gorchon J., Bokor J. Progress toward picosecond on-chip magnetic memory // Appl. Phys. Letters. 2022. V. 120. No. 140501.
- Kruglyak V., Demokritov S., and Grundler D. Magnonics // J. Phys. D: Applied Physics, 2010. V. 43. No. 264001.
- Chumak A.V., Vasyuchka V.I., Serga A.A., and Hillebrands B. Magnon Spintronics // Nature Phys. 2015. V. 11. No. 453.
- Gilbert T.L. A Lagrangian formulation of the gyromagnetic equation of the magnetization field // Phys. Rev. 1955. V. 100. No. 1243.
- Zhang S. and Li Z. Roles of Nonequilibrium Conduction Electrons on the Magnetization Dynamics of Ferromagnets // Phys. Rev. Lett. 2004. V. 93. No. 127204.
- Kuneˇs J. and Kambersk´y V. First-principles investigation of the damping of fast magnetization precession in ferromagnetic 3d metals // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. No. 212411.
- Kambersk´y V. Spin-orbital Gilbert damping in common magnetic metals // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. No. 134416.
- Hankiewicz E.M., Vignale G., and Tserkovnyak Y. Inhomogeneous Gilbert damping from impurities and electron-electron interactions // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. No. 020404.
- Arias R. and Mills D.L. Extrinsic contributions to the ferromagnetic resonance response of ultrathin films // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. No. 7395.
- Ebert H., Mankovsky S., K¨odderitzsch D. and Kelly P.J. Ab Initio Calculation of the Gilbert Damping Parameter via the Linear Response Formalism // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 107. No. 066603.
- Gilmore K., Idzerda Y.U., and Stiles M.D. Identification of the Dominant Precession-Damping Mechanism in Fe, Co, and Ni by First-Principles Calculations // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. No. 027204.
- Mankovsky S., K¨odderitzsch D., Woltersdorf G., and H. Ebert. First-principles calculation of the Gilbert damping parameter via the linear response formalism with application to magnetic transition metals and alloys // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. No. 014430.
- Schoen M.A.W., Thonig D., Schneider M.L., Silva T.J., Nembach H.T., Eriksson O., Karis O., Shaw J.M. Ultra-low magnetic damping of a metallic ferromagnet // Nature Physics. 2016. V. 12. No. 839.
- Schoen M.A.W., Lucassen J., Nembach H.T., Silva T.J., Koopmans B., Back C.H. and Shaw J.M. Magnetic properties in ultrathin 3d transition-metal binary alloys. II. Experimental verification of quantitative theories of damping and spin pumping // Phys. Rev. B. 2017. V. 95. No. 134411.
- Chang H., Li P., Zhang W., Liu T., Hoffmann A., Deng L., Wu M. Nanometer-Thick Yttrium Iron Garnet Films with Extremely Low Damping // IEEE Magnetics Letters. 2014. V. 5. No. 1.
- Emori S., Yi D., Crossley S., Wisser J.J., Balakrishan P.P., Khodadadi B., Shafer P., Klewe C., N`Diaye A.T., Urwin B.T., Mahalingam K., Suzuki Y. Ultralow Damping in Nanometer-Thick Epitaxial Spinel Ferrite Thin Films // Nano Letters. 2018. V. 18. No. 4273.
- Jermain C.L., Paik H., Aradhya S.V., Buhrman R.A., Schlom D.G., Ralph D.C. Low-damping sub-10-nm thin films of lutetium iron garnet grown by molecular-beam epitaxy // Appl. Phys. Letters. 2016. V. 109. No. 192408.
- Andrieu S., Neggache A., Hauet T., Devolder T., Hallal A., Chshiev M., Bataille A.M., Fevre P.L., Bertran F. Direct evidence for minority spin gap in the Co2MnSi Heusler compound // Phys. Rev. B. 2016. V. 93. No. 094417.
- Oogane M., McFadden A. P., Fukuda K., Tsunoda M., Ando Y., Palmstrom J. Low magnetic damping and large negative anisotropic magnetoresistance in half-metallic Co2-xMn1+xSi Heusler alloy films grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Letters. 2018. V. 112. No. 262407.
- Guillemard C., Petit-Watelot S., Pasquier L., Pierre D., Ghanbaja J., Rojas-Sanchez J-C., Batasille A., Rault J., Le Fevre P., Bertran F. and Andrieu S. Ultra-low magnetic damping in Co2Mn- based Heusler compounds: promising materials for spintronic // Phys. Rev. Appl. 2019. V. 11. No. 064009.
- Scheck C., Cheng L., Barsukov I., Frait Z., Bailey W.E. Low Relaxation Rate in Epitaxial Vanadium-Doped Ultrathin Iron Films // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 98. No. 117601.
- Devolder T., Tahmasebi T., Eimer S., Hauet T., Andrieu S. Compositional dependence of the magnetic properties of epitaxial FeV/MgO thin films // Appl. Phys. Letters. 2013. V. 103. No. 242410.
- Arora M., Delczeg-Czirjak E. K., Riley G., Silva T.J., Nembach H.T., Eriksson O., Shaw J.M. Magnetic damping in polycrystalline Fe–V thin film alloys // Phys. Rev. Appl. 2021. V. 15. No. 054031.
- Zhao Y., Song Q., Yang S.-H., Su. T, Yuan W., Parkin S.S.P., Shi J. and Han W. Experimental Investigation of Temperature-Dependent Gilbert Damping in Permalloy Thin Films // Sci. Reports. 2016. V. 6. No. 1.
- Martin-Rio S., Pomar A., Balcells L., Bozzo B., Frontera C., Martinez B. Temperature dependence of spin pumping and inverse spin Hall effect in permalloy/Pt bilayers // J. Magn. Magn. Mater. 2020. V. 500. No. 166319.
- Barati E., Cinal M., Edwards D.M. and Umerski A. Gilbert damping in magnetic layered systems // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. No. 014420.
Дополнительные файлы
