Optical Properties of Nonstoichiometric Tantalum Oxide TaOx (x < 5/2) According to Spectral-Ellipsometry and Raman-Scattering Data


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Optical properties of amorphous nonstoichiometric tantalum-oxide films of variable composition (TaOx, x = 1.94–2.51) in the spectral range of 1.12–4.96 eV, obtained by ion-beam sputtering-deposition of metallic tantalum at different partial oxygen pressures (0.53–9.09 × 10–3 Pa), have been investigated. It is shown by spectral ellipsometry that the character of dispersion of the absorption coefficient and refractive index in TaOx of variable composition suggests that light-absorbing films with dispersion similar to that in metals are formed at oxygen pressures in the growth chamber below 2.21 × 10–3 Pa, whereas transparent films with dielectric dispersion are formed at pressures above 2.81 × 10–3 Pa. According to the data of quantumchemical simulation, the absorption peak at a photon energy of 4.6 eV in TaOx observed in the absorptioncoefficient dispersion spectrum is due to oxygen vacancy. The peak in the Raman-scattering spectra of TaOx films with metallic dispersion at frequencies of 200–230 cm–1 is presumably related to tantalum nanoclusters.

Об авторах

V. Kruchinin

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Автор, ответственный за переписку.
Email: kruch@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Volodin

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Email: kruch@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

T. Perevalov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Email: kruch@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

A. Gerasimova

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: kruch@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Aliev

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: kruch@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Gritsenko

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University; Novosibirsk State Technical University

Email: kruch@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630073

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).