A Material for Difference-Frequency Generation of Terahertz Radiation

G. M. Savchenko; V. V. Dudelev; E. A. Kognovitskaya; S. N. Losev; A. G. Deryagin; V. I. Kuchinskii; N. S. Averkiev; G. S. Sokolovskii

doi:10.1134/S0030400X1810020X

A Material for Difference-Frequency Generation of Terahertz Radiation

Авторлар: Savchenko G.M.¹, Dudelev V.V.¹, Kognovitskaya E.A.², Losev S.N.¹, Deryagin A.G.¹, Kuchinskii V.I.¹, Averkiev N.S.¹, Sokolovskii G.S.¹
Мекемелер:
1. Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences
2. St. Petersburg Electrotechnical University
Шығарылым: Том 125, № 4 (2018)
Беттер: 582-585
Бөлім: Uv, Ir, and Terahertz Optics
URL: https://journal-vniispk.ru/0030-400X/article/view/165826
DOI: https://doi.org/10.1134/S0030400X1810020X
ID: 165826

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The possibility of efficient difference-frequency generation of terahertz radiation in a metamaterial representing a structure consisting of alternating layers of a semiconductor materials exhibiting intrinsic or metallic conductivity that can be grown by epitaxial methods is investigated theoretically.