Optical Properties of Single-Crystal Germanium in the THz Range


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The transmission of intrinsic, antimony-doped, and gallium-doped Ge single crystals in the THz spectral range have been experimentally investigated. It is shown that the attenuation coefficient of intrinsic germanium in the range of 160‒220 μm is at a level of ~0.5 cm‒1, a value comparable with that for silicon. The free-carrier absorption cross sections of silicon and germanium are significantly different, which may be caused by the difference in the mechanisms of carrier–phonon interaction in these materials.

Авторлар туралы

I. Kaplunov

Tver State University

Email: grigorykropotov@tydex.ru
Ресей, Tver, 170100

A. Kolesnikov

Tver State University

Email: grigorykropotov@tydex.ru
Ресей, Tver, 170100

G. Kropotov

Tydex Company

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: grigorykropotov@tydex.ru
Ресей, St. Petersburg, 194292

V. Rogalin

Tver State University; National Center of Laser Systems and Integrated Units Astrofizika

Email: grigorykropotov@tydex.ru
Ресей, Tver, 170100; Moscow, 125424

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019