Determination of constants and construction of field dependences of parameters of metal-oxide-semiconductor structures with ultrathin layers of silicon oxide based on their experimental high-frequency voltage-capacitance-characteristics - PDF (俄语)

Согласие на обработку персональных данных

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).