Оптомагнитные эффекты в центроантисимметричных и нецентросимметричных магнитоупорядоченных средах

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Для реально существующих магнитоупорядоченных монокристаллов с различной магнитной симметрией определены условия существования определенных однородных и неоднородных оптомагнитных эффектов, обусловленных светоиндуцированными изменениями основного состояния.

Полный текст

ВВЕДЕНИЕ

Прохождение света через магнитоупорядоченную среду следует рассматривать как самосогласованный процесс, когда возникающее из-за наличия намагниченности изменение параметров световой волны в свою очередь влияет на модуль и (или) направление вектора намагниченности. При малой интенсивности света его влиянием на намагниченность можно пренебречь, но при большой длине пробега света будут наблюдаться так называемые магнитооптические (МО) эффекты, заключающиеся в изменении поляризации и амплитуды световой волны (см., например, [1–6]). Такие эффекты, обнаруженные более 170 лет тому назад, в настоящее время изучены достаточно подробно. При большой интенсивности света и малой длине пробега, когда параметры световой волны можно считать практически постоянными, могут наблюдаться обратные магнитооптические эффекты, называемые также оптомагнитные (ОМ) эффектами, при которых имеют место изменения модулей и (или) направлений векторов намагниченности подрешеток и магнитных состояний (статических и динамических) (см., например, [7–15]). Экспериментальное исследование ОМ-эффектов началось 60 лет назад [7, 8], когда появились источники мощного когерентного оптического излучения. При промежуточных параметрах возникают продольные и поперечные неустойчивости световой волны. Развития этих неустойчивостей приводят к МО солитонам и МО каналам [11]. К настоящему времени, несмотря на многие работы и обзоры, сведения об ОМ-эффектах нельзя считать исчерпывающими.

Цель данной работы – изучить ОМ-эффекты в средах разной магнитной симметрии.

  1. ОСНОВНЫЕ УРАВНЕНИЯ

Для определения условий существования однородных и неоднородных ОМ-эффектов в реально существующих монокристаллических магнитоупорядоченных кристаллах с различной магнитной симметрией, обусловленных светоиндуцированными (СИ) изменениями основного состояния, воспользуемся известным выражением для средней по времени плотности энергии кристалла в световом поле (СП) при слабом поглощении

wl=(1/16π)εωijEiEj*, (1)

где εωij=ωεij/ωij – диэлектрическая проницаемость), Ei – компоненты комплексного электрического поля световой волны [1, 7]. Выделяя симметричную и антисимметричную части в (1) при слабой временной дисперсии (εij>>ωωij/ω), это выражение можно представить в виде

wl=εijsTijsg,G, (2)

где Tijs=(1/32π)(EiEj*+Ei*Ej) и εijs – симметричные части тензора «светового напряжения» и диэлектрической проницаемости соответственно, g – вектор гирации, G=(i/16π)[E*,E] – эффективная «напряженность магнитного поля» [14]. В общем случае εijs и g зависят от таких параметров (и их производных), как напряженность постоянного электрического поля E0 и поляризация P, напряженность постоянного магнитного поля H0 и вектор ферромагнетизма (намагниченность) M и вектор антиферромагнетизма L, упругие напряжения σij и деформации uij. Следует отметить, что εijs и g являются четной и нечетной функциями магнитных параметров, соответственно.

Выражения для СИ электрической индукции, магнитной индукции и упругих деформаций представим соответственно в следующем виде:

Dl=(δwl/δE0), Bl=(δwl/δH0), uijl=(δwl/δσij), (3)

а для эффективных напряженностей полей электрических, «ферромагнитных и антиферромагнитных» магнитных и для упругих напряжений соответственно в виде

El=(δwl/δP), HlM=(δwl/δM), HlL=(δwl/δL), σijl=(δwl/δuij). (4)

Эффективные поля содержат СИ-слагаемые и, следовательно, оптические поля влияют на динамику поляризации, намагниченности подрешеток, упругих смещений [10–15].

  1. ОПТОМАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ

Рассмотрим оптомагнитоэлектрический (ОМЭ) эффект. Слагаемое, связанное с этим эффектом, а именно giE=αijEE0j, дает вклад в энергию, равный wlE=αijEGiE0j, который подобен вкладу магнитоэлектрическому и существует в 58 магнитных классах [1, 16–18]. Среди них имеется 21 магнитный класс центроантисимметричных (ЦАС) антиферромагнетиков (АФМ), в частности Cr2O3 (класс симметрии 3¯ʹmʹ), где

wlE=α||EGzE0zαEGxE0x.

В этом случае выражение для СИ-поляризации имеет вид

PilE=(1/4π)(wlE/E0i)|E0

и, следовательно, получаем

PzlE=(1/4π)α||EGz,PylE=(1/4π)αEGy,PxlE=(1/4π)αEGx. (5)

Коэффициенты αE ~ 10–4 [17], эффективное поле G ~ 1 Э при интенсивности излучения I ~ 107 Вт/см2 [10]. В частности, гауссов пучок циркулярно-поляризованный и распространяющийся по оси z (E0y = –iE0x) производит эффективное магнитное поле

Gz=G0zw02/w2exp(2x2+y2/w2),

где G0z = |E0x|2 / 8π – поле в центре пучка, w0 – минимальный поперечный размер пучка, w2=w02+(2z/kw0)2, k – волновое число и, следовательно, создает поляризацию вдоль пучка.

Неоднородный ОМЭ-эффект, связанный со слагаемым giEn=αijkEnE0j/xk, дает вклад в энергию, равный wlEn=αijkEnGiE0j/xk с учетом того, что E0j/xk=E0k/xj и, следовательно, СИ-поляризация будет равна

PjlEn=(1/4π)(δwlEn/δE0j)|E0=(1/4π)αijkEnGi/xk.

Этот эффект существует в АФМ, в которых группа симметрии либо не содержит операцию инверсии времени вообще, либо эта операция входит в группу симметрии в комбинациях с пространственной инверсией или поворотами, и не существует в ЦАС АФМ. По симметрии ОМЭ-эффект подобен пьезомагнетизному эффекту и существует в 66 магнитных классах [1, 18]. Энергия АФМ класса симметрии 4ʹ/mmmʹ(MnF2, CoF2, FeF2) выражается соотношением

wlEn=α1En(GyE0x/z+GxE0y/z)α2EnGzE0x/y, (6)

а компоненты СИ-поляризации составляют

PxlEn=(1/4π)(α1EnGy/z+α2EnGz/y),PylEn=(1/4π)(α1EnGx/z+α2EnGz/x),PzlEn=(1/4π)α1En(Gy/x+Gx/y). (7)

В отличие от однородного ОМЭ, здесь гауссов пучок Gz создает поляризацию в поперечном сечении

PlEn=(α2En/πw2)Gz(iy+jx),

где ,  – базисные векторы. Распределение поляризации будет типа «седло» (антивихрь). Подобный поляризационный СИ-антивихрь будет в магнетиках симметрии 222, mm2, mmm, 4ʹ22, 4ʹmmʹ, ʹ4¯2mʹ, 4¯ʹ2ʹm, 23, m3, 4ʹ32, 4¯ʹ3mʹ, m3mʹ.

В магнетиках симметрии 422, 4mʹmʹ, 4¯mʹ, 4/mmʹmʹ, 62ʹ2ʹ, 6mʹmʹ, 6¯mʹ2ʹ, 6/mmʹmʹ энергия будет

wlEn=α15En(GxE0z/x+GyE0y/z)+α31EnGz(E0x/x+E0y/y)+α33EnGzE0z/z (8)

и, следовательно, поляризация будет

PxlEn=(1/4π)(α15EnGx/z+α31EnGz/x),PylEn=(1/4π)(α15EnGy/z+α31EnGz/y),PzlEn=(1/4π)(α15En(Gx/x+Gy/y)+α33EnGz/z). (9)

Гауссовой пучок создает поляризацию вида

PlEn=(Gz/πw2)[α31En(ix+jy)+α33'Enzk],

где α33'En=α33En2/k2w02(2x2+y2/w21).

В поперечном сечении распределение поляризации будет типа неустойчивого узла («еж»), в отличие от предыдущего примера. Компонента Pz изменяет знак на поверхности 2(x2 + y2) – w2 = 0, в частности, на оси пучка поляризация будет направлена к центру пучка. Следовательно, в магнетиках данной симметрии гауссов пучок наводит поляризационный скирмион. Также поляризационный СИ-скирмион будет в магнетиках симметрии 22ʹ2ʹ, mʹmʹ2, mʹm2ʹ, mmʹmʹ, 4, 4/m, 6, 6/m, 3, 3ʹ, 32ʹ, 3mʹ,mʹ. Кроме того, гауссов пучок с Gz наводит одновременно антивихрь и скирмион в магнетиках симметрии 2, m, 2/m.

Оптомагнитополяризованный (ОМП) эффект, связанный с giP=αijPPj, подобен ОМЭ-эффекту. Однако неоднородный ОМП, связанный с giPn=αijkPnPj/xk и энергией wlPn=αijkPnGiPj/xk, будет отличаться от ОМЭ, поскольку тензор αijkPn будет несимметричный. Энергию можно представить в виде суммы симметричной части, подобной ОМЭ-эффекту, и антисимметричной части

wlPn=αijkPnsGiPj/xk+MnlPnGn,

где MnlPn=αinPnCi – СИ-намагниченность, обусловленная неоднородной магнитоэлектрической связью,

αinPn=1/2enjkαijkPna, αjkPna=enjkαinPn,

где enjk – антисимметричный единичный тензор, C =rotP  – вихрь поляризации (электрический тороидный момент). Антисимметричное слагаемое энергии можно записать в виде CnIln, где Inl=αinPnGi – четное СИ-поле, сопряженное четному вектору C .

В кубических АФМ класса 432, 4ʹ32ʹ, 4¯3m, 4¯ʹ3mʹ, m3m, m3mʹ энергия равна wlPn=αPn GC и, следовательно, эффективное электрическое СИ-поле равно ElPn=αPnrotG. Гауссов пучок с Gz наводит вихрь эффективного электрического поля

ElPn=4/w2GzαPn(yixj).

Оптоантиферромагнитоэлектрический эффект, обусловленный слагаемым giLE=aijkLELjE0k и, следовательно, энергией wlLE=αijkLEGiLjE0k, существует в ЦАС АФМ. В этом случае СИ-поляризация равна

PkLE=(1/4π)αijkLEGiLj

и эффективное антиферромагнитное СИ-поле имеет вид

HjlLE=αijkLEGiE0k.

Например, в Cr2O3 энергия определяется по выражению

wlLE=α111LE(Gx(LxE0xLyE0y)Gy(LxE0y+LyE0x))α123LE(GxLyGyLx)E0zα231LE(GyE0xGxE0y)Lzα312LEGz(LxE0yLyE0x), (10)

а СИ-поляризация –

PxlLE=(1/4π)(α111LE(GxLxGyLy)+α231LEGyLzα312LEGzLy),PylLE=(1/4π)(α111LE(GxLy+GyLx)+α231LEGxLzα312LEGzLx),PzlLE=(1/4π)α123LE(GxLyGyLx). (11)

В СП с Gz компоненты поляризации будут нормальными к компонентам вектора АФМ. Этот эффект в АФМ с эквивалентными подрешетками будет подобным пьезоэлектрическому эффекту и существует в нецентросимметричных (НЦС) АФМ. В АФМ симметрии mm2(KNiPO4) энергия определяется по выражению

wlLE=Gz(α311LELxE0x+α322LELyE0y+α333LEL3E03)Gy(α223LELyE0z+α232LELzE0y)Gx(α131LELzE0x+α113LELxE0z),

а поляризация –

PxlLE=(1/4π)(α311LEGzLx+α131LEGxLz),PylLE=(1/4π)(α322LEGzLy+α232LEGyLz),PzlLE=(1/4π)(α333LEGzLz+α223LEGyLy+α113LEGxLx).

по сравнению с Cr2O3 здесь Распространяющая по оси z циркулярно-поляризационная волна наводит поляризацию с компонентами, параллельными компонентам вектора АФМ (P lLEm || Lm ),.

Нелинейный оптомагнитоэлектрический эффект, определяемый наличием слагаемого giHE=αijkHEH0jE0k и энергии wlHE=αijkHEGiH0jE0k, будет обратным к электромагнитнооптическому эффекту [19]. Этот эффект существует в НЦС-средах симметрии 2, m, 222, mm2, 4, 422, 4mm, 4¯2m, 32, 3m, 6, 622, 6mm, 6¯, 6¯m2, 2m, 23, 4¯3m, 432. Выражения для СИ-поляризации и намагниченности имеют вид соответственно

PklHE=(1/4π)αijkHEGiH0j,MjlHE=(1/4π)αijkHEGiE0k.

В гексагональных кристаллах симметрии 6¯ выражение для энергии имеет вид

wlHE=α1HE(Gx(H0yE0yH0xE0x)+GyH0xE0y+H0yE0x)++α2HE(Gy(H0xE0xH0yE0y)+GxH0xE0y+H0yE0x), (12)

выражение для СИ-намагниченности можно записать в виде

MxlHE=(1/4π)(α1HE(GyE0yGxE0x)+α2HE(GyE0xGxE0y)),MylHE=(1/4π)(α1HEGxE0y+GyE0x+α2HE(GxE0xGyE0y)),MzlHE=0, (13)

а для СИ-поляризации – в виде

PxlHE=(1/4π)(α1HE(GyH0yGxH0x)+α2HE(GyH0x+GxH0y)),PylHE=(1/4π)(α1HE(GxH0y+GyH0x)+α2HE(GxH0xGxE0y)),PzlHE=0. (14)

В кубических АФМ симметрии 432 СИ-поляризация и СИ-намагниченность имеют вид соответственно

PlHE=(1/4π)α123HE[G,H0],MlHE=(1/4π)α123HE[E0,G].

Если представить тензор αijkHE в виде суммы симметричной и антисимметричной по индексам jk частей

αijkHE=αijkHEs+αijkHEa,

то выражение для энергии приобретает вид

wlHE=αijkHEsGiH0jE0kJ0mlV0m,

где J0ml=αmiHEGi – светоиндуцированный «тороидный момент», αmiHE=1/2emjkαijkHEa – аксиальный тензор второго ранга, V0=E0,H0 – внешнее «поле», сопряженное тороидному моменту. В частности, в кристаллах кубической симметрии 23, 432 тензор αmiHE=αHEδmi и, следовательно, в скрещенных полях (V0z) излучение круговой поляризации с Gz наводит тороидный СИ-момент J0zl=αHEGz.

  1. ОПТОПЬЕЗОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ

Рассмотрим оптопьезомагнитный (ОПМ) эффект. Связанное с этим эффектом слагаемое, описываемое формулой giu=αijkuσjk, дает вклад в энергию wlu=αijkuGiσjk, подобный пьезомагнитной энергии [1, 20]. ОПМ-эффект существует в АФМ, в которых группа симметрии либо не содержит операцию инверсия времени вообще, либо она входит в группу в комбинациях с пространственной инверсией или поворотами, и не существует в ЦАС АФМ. В антиферромагнетиках MnF2, CoF2, FeF2 (класс симметрии 4ʹ/mmmʹ) энергия равна

wlu=α1u(Gxσyz+Gyσxz)α2uGzσxy

и, следовательно, компоненты СИ-деформаций равны

uyzl=α1uGx, uxzl=α1uGy, uxyl=α2uGz. (15)

На основе работы [20] можно считать, что величина коэффициентов равна αu ~10–6 Э/(дин/см2). Из (15) видно, что гауссов пучок Gz создает деформации в поперечном сечении пучка.

Неоднородный ОПМ-эффект является аналогом флексомагнитного эффекта [14, 21, 22] и обусловлен слагаемым giun=αijklunσjk/xl. Энергия при этом равна wlun=αijklunGiσjk/xl, a деформации ujkun=αijklunGi/xl. Тензор оптофлексомагнитного эффекта изменяет знак под действием операций временной и пространственной инверсии. Следовательно, эффект отсутствует в кристаллах, магнитная группа которых содержит операции обращения времени и пространственной инверсии. Однако этот эффект может существовать в кристаллах, магнитная группа которых содержит операцию центроантиинверсии (произведение операций инверсии во времени и в пространстве). К точечным магнитным группам, содержащим эту операцию, принадлежат следующие:

  • кубические mʹ3, mʹ3m, mʹ3mʹ;
  • тетрагональные 4/mʹ, 4ʹ/mʹ ,4/mʹmʹmʹ (Fe2TeO6), 4/mʹmm, 4/mʹmʹm;
  • гексагональные 6/mʹ, 6ʹ/m, 6ʹ/mmm, 6/mʹmʹmʹ, 6/mʹmm, ʹ3¯, 3¯ʹmʹ(Cr2O3), ʹm;
  • ромбические mʹmʹmʹ, mmmʹ (Cr2TeO6,Cr2WO6, V2WO6);
  • моноклинные 2/mʹ, 2ʹ/m;
  • триклинная 1¯ʹ.

Для кристалла Cr2O3 выражение для энергии записывается в виде

wlun=α33unGzσzz/zα11un(Gxσxx/x+σxy/y)+Gy(σyy/y+σxy/x)α12un(Gx(σyy/xσxy/y)+Gy(σxx/yσxy/x))α13un(Gxσzz/x+Gyσzz/y)2α88un(Gxσxz/z)+Gyσyz/z)α31unGz(σxx+σyy)/z2α55unGz(σxz/x+σyz/y)2α24un(Gy(σyz/yσxz/x)Gx(σxz/y+σyz/x))α42unGy((σyyσxx)/z)2Gxσxy/z)α72unGz((σyyσxx)/y2σxy/x), (16)

где при индексировании компонент тензора 4-го ранга αijklun были использованы следующие замены: 11 → 1, 22 → 2, 33 → 3, 23 → 4, 31 → 5, 12 → 6, 32 → 7, 13 → 8, 21 → 9. После использования указанных замен выражения для СИ-деформаций приобретают вид

uzzl=α33unGz/zα13un(Gx/x+Gy/y),uyyl=α11unGy/yα12unGx/xα31unGz/zα42unGy/zα72unGz/y,uxxl=α11unGx/xα12unGy/yα31unGz/z+α42unGy/z+α72unGz/y,uzyl=2α88unGy/z2α55unGz/y2α24un(Gy/yGx/x),uzxl=2α88unGx/z2α55unGz/x+2α24un(Gy/x+Gx/y),uyxl=(α11unα12un)(Gx/y+Gy/x)+2α42unGx/z+2α72unGz/x, (17)

а гауссов пучок Gz вызывает относительное изменение объема

uiil=(α33un+2α31un)Gz8z/k2w02w2(12x2+y2/w2).

При отдалении от оси пучка знак изменения объема поменяется.

  1. ОПТОФЛЕКСОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ

Обратный эффект Фарадея, связанный со слагаемым giH=αijHH0j и энергией wlH=αijHGiH0j, существует во всех средах [1], а СИ-намагниченность при этом составляет MjlH=(1/4π)αijHGi.

Существование оптофлексомагнитного эффекта связано со слагаемым

giHn=αijkHnH0j/xk,

где H0j/xk=H0k/xj, с соответствующей энергией

Этот эффект подобен пьезоэлектрическому эффекту и существует в НЦС-магнетиках следующих кристаллических групп: ромбических 222, тетрагональных 422, 42m, 4¯, ромбоэдрических 32, гексагональных 622, 6¯, 6¯m2 и кубических 23, 4¯3m, 432. Намагниченность при этом составляет

MjlHn=(1/4π)αijkHnGi/xk.

В гексагональных кристаллах симметрии 6¯ энергия определяется по выражению

wlHn=α1Hn(Gx(H0y/yH0x/x) +Gy(H0x/y+H0y/x))+α2Hn(Gy(H0x/xH0y/y)+Gx(H0x/y+H0y/x)), (18)

а выражения для компонент намагниченности имеют вид

MxlHn=(1/4π)(α1Hn(Gy/yGx/x)+α2Hn(Gy/xGx/y)),MylHn=(1/4π)(α1Hn(Gx/y+Gy/x)+α2Hn(Gx/xGy/y)),MzlHn=0. (19)

В магнетиках симметрии 23, 4¯3m энергия определяется выражением

wlHn=2α123Hn(GxH0y/z+GyH0z/x+GzH0x/y) (20)

и, следовательно, гауссов пучок с Gz наводит магнитный СИ-антивихрь –

MlHn=(1/πw2)α123HnGz(iy+jx).

Неоднородный ОМ-эффект, связанный со слагаемым

giMn=αijkMnMj/xk

и энергией

wlMn=αijkMnGiMj/xk,

существует в НЦС-магнетиках. Выделяя симметричную и антисимметричную части тензора, энергию можно записать как

wlMn=αijkMnsGiMj/xk+JnVnl,

где J=rotM – вихрь намагниченности (магнитный тороидный момент), Vnl=αinMnGi – магнитоэлектрическое СИ-поле,

αinMn=1/2enjkαijkMna,αijkMna=enjkαinMn.

В ферромагнетике с классом симметрии 23 энергия равна

wlMn=α1Mn(GxMy/z+GyMz/x+GzMx/y)α2Mn(GxMz/y+GyMx/z+GzMy/x) (21)

и эффективное магнитное СИ-поле –

HxlMn=α1MnGz/y+α2MnGy/z,HylMn=α1MnGx/z+α2MnGz/x,HzlMn=α1MnGy/x+α2MnGx/y. (22)

Гауссов пучок с Gz наводит поле типа антивихрь

HlMn=4/w2Gz(α1Mnyi+α2Mnxj).

В кубических магнетиках симметрии 432 энергия равна

wlMn=αMn(G,rotM)

и, следовательно, эффективное магнитное СИ-поле равно

HlMn=αMnrotG.

Световой луч с Gz наводит вихревое магнитное поле

HlMn=4/w2GzαMn(yixj)

подобно электрическому току.

Оптофлексоантиферромагнитный эффект, за который ответственно слагаемое giLn=αijkLnLj/xk и энергия wlLn=αijkLnGiLj/xk, существует в ЦАС АФМ [22], а также в НЦС АФМ с эквивалентными подрешетками.

  1. НЕОДНОРОДНЫЕ ОПТОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ КОТТОНА–МУТОНА

Оптомагнитные эффекты, обусловленные симметричной частью тензора диэлектрической проницаемости типа

εijs=aijknMMMkMl, εijs=αijknLLLkLl, εijs=αijknMLMkLl,

проявляются в виде СИ-изменений обменного поля, поля анизотропии, намагниченности подрешеток [8–15].

Неоднородные обратные эффекты Коттона–Мутона (К–М), описывающие слагаемые [21]

εijs=αijklnMMnMkMl/xn, εijs=αijklnLLnLkLl/xn,

и обратные эффекты К–М в электрическом поле, описывающие слагаемые

εijs=αijklnMMEMkMlE0n, εijs=αijklnLLELkLlE0n,

существуют в НЦС магнетиков, а обратные эффекты К-М в поле упругих напряжений

εijs=αijklnmMMuMkMlσnm, εijs=αijklnmLLuLkLlσnm

существуют в любых НЦС-магнетиках.

Оптомагнитные эффекты, описывающие слагаемые

εijs=αijklnMLnMkLl/xn, εijs=αijklnHLnÍ0kLl/xn,εijs=αijklnMLEMkLlE0n, εijs=αijklnHLEÍ0kLlE0n,

существуют в ЦАС АФМ и в НЦС АФМ с эквивалентными подрешетками.

ОМ-эффект К–М в неоднородном магнитном поле (εijs=αijklnLHnLkH0l/xn) и в поле линейно поляризованной по x волны в АФМ симметрии 3¯ʹmʹ(Cr2O3), 3¯ʹm, 3¯ʹ определяется энергией

wlLHn=Txxs[α11123LHn(LxH0y/zLyH0x/z)++α11132LHn(LxH0z/yLyH0z/x)+α11312LHnLz(H0x/yH0y/x)],

и, следовательно, СИ-намагниченность имеет вид

MxlLHn=(1/4π)(α11123LHn(TxxsLy)/zα11312LHn(TxxsLz)/y),MylLHn=(1/4π)(α11123LHn(TxxsLx)/zα11312LHn(TxxsLz)/x),MzlLHn=(1/4π)α11132LHn((TxxsLx)/y(TxxsLy)/x).

В однородном СП намагниченность определяется неоднородностями вектора антиферромагнетизма, в частности, MzlLHn=(1/4π)α11132LHnTxxsrotzL, в отличие от слабого ферромагнетизма [1, 3, 23].

В магнитном и электрическом поле и в поляризованном по z СП в магнетиках симметрии 3¯ʹmʹ, 3¯ʹm, 3¯ʹ энергия будет

wlHLE=Tzzs[α33312HLEH0z(LxE0yLyE0x)++α33231HLELz(H0yE0xH0xE0y)+α33123HLE(H0xLyH0yLx)E0z++α33111HLE(H0x(E0xLxLyE0y)H0y(LxE0y+LyE0x))] (23)

и, следовательно, СИ-намагниченность равна

Mzl=(1/4π)Tzzsα33312HLE(LxE0yLyE0x),Myl=(1/4π)Tzzs[α33231HLELzE0xα33123HLELxE0z+α33111HLE(LxE0y+LyE0x)],Mxl=(1/4π)Tzzs[α33123HLELzE0yα33111HLELyE0z+α33111HLE(E0xLxLyE0y)], (24)

а СИ-поляризация равна

Pzl=(1/4π)Tzzsα33312HLE(H0xLyH0yLx),Pyl=(1/4π)Tzzs[α33312HLEH0zLxα33231HLEH0xLzα33111HLE(H0xLy+H0yLx)],Pxl=(1/4π)Tzzs[α33312HLE)H0zLy+α33231HLEH0yLz+α33111HLE(H0xLxH0yLy)]. (25)

Гауссов пучок с линейно-поляризованным излучением наводит намагниченность, так же как циркулярно-поляризованным излучением.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Результаты описанных выше исследований представляют определенный интерес не только в гносеологическом плане, но и с точки зрения возможности их практического использования. При этом вряд ли стоит надеяться на однородные ОМ-эффекты, поскольку они проявляют себя лишь при большой интенсивности светового поля, в отличие от неоднородных ОМ-эффектов, которые могут проявлять себя и в слабом световом поле с достаточно сильной неоднородностью [21]. Рассмотренные выше эффекты можно использовать для управления магнитными и электрическими параметрами магнетиков путем СИ-наведения или изменения параметров за счет СИ-полей. Эффективные СИ-поля обладают несомненными преимуществами по сравнению с обычными полями, поскольку они локализуются в пределах светового луча, могут иметь очень малую длительность и не создают электромагнитных помех. Кроме однородных и неоднородных «обобщенных поляризаций» P, M, J, C, СП наводит неоднородные «поляризации» высшего порядка (например, полоидальные дипольные моменты, спиральные структуры).

Учесть временную дисперсию можно путем замены αi,n. на αωi,n. = ωαi,n./ω. Рассмотренные ОМ-эффекты будут слабыми из-за нелинейности и низких величин МО-констант. Поэтому они будут более заметными вблизи точек неустойчивости (статических и динамических) состояний, например, близи точек фазовых переходов и точек образования МО-солитонов и МО-каналов [10, 11, 15, 24].

Свет производит СИ изменений во всех подсистемах магнетика, а также нагревает магнетик. Поэтому приходится использовать короткие мощные импульсы в эксперименте. Мощный пучок излучения наводит квазистатические и динамические, однородные и неоднородные изменения в магнитной, поляризационной и упругой подсистемах, поэтому однозначная интерпретация будет нелегкой задачей.

ФИНАНСИРОВАНИЕ РАБОТЫ

Работа выполнена в рамках госзадания для Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН.

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

×

Об авторах

А. Ф. Кабыченков

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: lisovsky.f@yandex.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская обл., 141190

Ф. В. Лисовский

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: lisovsky.f@yandex.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская обл., 141190

Список литературы

  1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1992.
  2. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1979.
  3. Туров Е.А., Колчанов А.В., Меньшинин В.В. и др. Симметрия и физические свойства антиферромагнетиков. М.: Физматлит, 2001.
  4. Смоленский Г.А., Писарев Р.В., Синий И.Г. // Успехи физ. наук. 1975. Т. 116. № 2. С. 231.
  5. Звездин А.К., Котов В.А. Магнитооптика тонких пленок. М.: Наука, 1988.
  6. Ожогин В.И., Шапиро В.Г. Физические величины / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З.Мелихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.
  7. Питаевский Л.П. // ЖЭТФ. 1960. Т. 39. № 5. С. 1450.
  8. Pershan P.S., van der Ziel I.P., Malmstrom L.D. // Phys. Rev. 1966.V. 143. № 2. P. 574.
  9. Балбашов А.М., Зон Б.А., Купершмидт В.Я. и др. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. № 5. С. 304.
  10. Кабыченков А.Ф. // ЖЭТФ. 1991. Т. 100. № 10. С. 1219.
  11. Kabychenkov А. // Studies in Applied Electromagnetics and Mechanics. Non-linear Electromagnetic Systems / Ed. V. Kose, J. Sievert. Amsterdam: IOS Press, 1998. V. 13. P. 879.
  12. Иванов Б.А. // Физика низких температур. 2014. Т. 40. № 2. С. 119.
  13. Калашниковa А.М., Киммель А.В., Писарев Р.В. // Успехи физ. наук. 2005. Т. 185. № 10. С. 1064.
  14. Кабыченков А.Ф., Лисовский Ф.В. // ЖТФ. 2022. Т. 92. № 3. С. 453.
  15. Кабыченков А.Ф. // ФТТ. 2006. Т. 48. № 3. С. 485.
  16. Дзялошинский И.Е. // ЖЭТФ. 1957. Т. 37. №3. С. 881.
  17. Астров Д.Н. // ЖЭТФ. 1960. Т. 38. №3. С. 984.
  18. Birss R. Symmetry and Magnetism. Amsterdam: North-Holland Publ. Co, 1964.
  19. Кричевцов Б.Б., Писарев Р.В., Селицкий А.Г. // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т. 41. №6. С. 259.
  20. Боровик-Романов А.С. // ЖЭТФ. 1960. Т. 38. №4. С. 1088.
  21. Кабыченков А.Ф., Лисовский Ф.В. // ЖЭТФ. 2014. Т. 145. № 4. С. 733.
  22. Кабыченков А.Ф., Лисовский Ф.В. // ЖТФ. 2019. Т. 89. № 7. С. 1039.
  23. Дзялошинский И.Е. // ЖЭТФ. 1957. Т. 32. № 6. С. 1548.
  24. Кабыченков А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. № 1. С. 45.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).