Отправить статью по E-mail The Determining Role of the (HF2)– Ion in the Formation of Pores in Silicon in Its Electrochemical Etching with Hydrofluoric Acid Solutions
- Авторы: Abramova E.N.1, Khort A.M.1, Yakovenko A.G.1, Slipchenko E.A.1, Kornilova D.S.1, Tsygankova M.V.1, Shvets V.I.1
-
Учреждения:
- Institute of Fine Chemical Technologies
- Выпуск: Том 63, № 9 (2018)
- Страницы: 1236-1242
- Раздел: Physical Chemistry of Solutions
- URL: https://journal-vniispk.ru/0036-0236/article/view/168996
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0036023618090024
- ID: 168996
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
A model of the chemical interaction of Si with the (HF2)– ion was propsoed to explain some experimental data on the formation of porous silicon.
Об авторах
E. Abramova
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
A. Khort
Institute of Fine Chemical Technologies
Автор, ответственный за переписку.
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
A. Yakovenko
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
E. Slipchenko
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
D. Kornilova
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
M. Tsygankova
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
V. Shvets
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
Дополнительные файлы
