High-Temperature Interaction in the ZrSi2–ZrSiO4 System and Its Mechanism


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The physicochemical interaction in the ZrSi2–ZrSiO4 system at temperatures higher than 1620°C under the conditions of molecular oxygen deficiency is established and experimentally confirmed. Elemental silicon is reduced simultaneously with the oxidation of zirconium to the thermodynamically stable ZrO2 phase. The mechanism and steps of the interaction processes are proposed.

Авторлар туралы

A. Astapov

Moscow Aviation Institute (National Research University)

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Lexxa1985@inbox.ru
Ресей, Moscow, 125993

I. Lifanov

Moscow Aviation Institute (National Research University)

Email: Lexxa1985@inbox.ru
Ресей, Moscow, 125993

M. Prokofiev

Moscow Aviation Institute (National Research University)

Email: Lexxa1985@inbox.ru
Ресей, Moscow, 125993

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019