Моделирование электронных свойств, энтальпия образования и диэлектрические характеристики Yb-легированного монокристалла TlInS2

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

На геометрически оптимизированных суперъячейках T1InS2 и T1InS2< Yb > с использованием теории функционала плотности (DFT) рассчитаны электронные свойства образцов. Рассчитана также энтальпия образования T1InS2. Установлено, что T1InS2 имеет слоистую моноклинную сингонию с пространственной группой C2/c–C2h6 . В образцах изучена частотная дисперсия тангенса угла ди­электрических потерь (tgδ), действительной (ε′) и мнимой (ε″) составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости в переменных электрических полях (ac-проводимость – σac) поперек слоев в области частот f = 5 × 104–3.5 × 107 Гц. В диапазоне частот f = 5 × 104–2.4 ×107 Гц ac-проводимость монокристалла T1InS2 < 1 ат% Yb > подчинялась закономерности σac ∼ f 0.8, характерной для прыжковой проводимости носителей заряда по состояниям, лежащим в окрестности уровня Ферми. Оценены плотность и энергетический разброс состояний вблизи уровня Ферми, среднее время и расстояние прыжков, концентрация ловушек, ответственных за проводимость T1InS2 < 1 ат% Yb > на переменном токе.

About the authors

С. М. Асадов

Научно-исследовательский институт «Геотехнологические проблемы нефти, газа и химии (НИИ ГПНГХ АГУНП)»; Институт катализа и неорганической химии

Author for correspondence.
Email: mirasadov@gmail.com
Azerbaijan, Баку; Баку

С. Н. Мустафаева

Институт физики

Email: mirasadov@gmail.com
Azerbaijan, Баку

С. С. Гусейнова

Институт физики

Email: mirasadov@gmail.com
Azerbaijan, Баку

В. Ф. Лукичев

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: mirasadov@gmail.com
Russian Federation, Москва

References

  1. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Ismailov A.A. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. No 11. P. 2269. https://doi.org/10.1134/S1063783409110122]
  2. Allakhverdiev K.R., Akhmed-zade N.D., Mamedov T.G. et al. // Low Temp. Phys. 2000. V. 26. No 1. P. 56. https://doi.org/10.1063/1.593863
  3. Allakhverdiev K.R., Mammadov T.G., Suleymanov R.A. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 1291. https://doi.org/10.1088/0953-8984/15/8/313
  4. Qasrawi A.F., Gasanly N.M. // J. Mater. Sci. 2006. V. 41. P. 3569. https://doi.org/10.1007/s10853-005-5618-0
  5. Henkel W., Hochheimer H.D., Carlone C. et al. // Phys. Rev. B. 1982. V. 26. P. 3211. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.26.3211
  6. Hahn H., Wellman B. // Naturwis. 1967. V. 54. No 2. P. 42. https://doi.org/10.1007/bf00680166
  7. Мустафаева С.Н., Асадов M.M., Гусейнова С.C. и др. // ФТТ. 2022. T. 64. № 6. C. 628. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.06.52388.299.
  8. Shklovskii B.I., Efros A.L. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer, Berlin, Heidelberg. 1984. 393 p. ISBN: 978-3-662-02403-4
  9. Asadov M.M., Mustafaeva S.N., Guseinova S.S. et al. // Phys. Solid State. 2021. V. 63. No 5. P. 797. https://doi.org/10.1134/S1063783421050036]
  10. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. No 18. P. 3865. https://doi.org/10.1103/physrevlett.77.3865
  11. Monkhorst H.J., Pack J.D. // Phys. Rev. B. 1976. V. 13. No 12. P. 5188. https://doi.org/10.1103/physrevb.13.5188
  12. Асадов М.М., Мустафаева С.Н., Гусейнова С.С., Лукичев В.Ф. // Микроэлектроника. 2023. T. 52. № 1. C. 46. https://doi.org/10.31857/S0544126922700181, EDN: CXXQYI
  13. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Gasanov N.Z. // Inorg. Mater. 2013. V. 49. No 12. P. 1175. https://doi.org/10.1134/S0020168518070099
  14. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Guseinova S.S. et al. // Phys. Solid State. 2022. V. 64. No 4. P. 428. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251
  15. Kashida S., Kobayashi Y. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11, No 4. P. 1027. https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/4/010
  16. https://materialsproject.org/materials/mp-865274 #thermodynamic_stability
  17. Semiconductors. Data Handbook, Ed. by O. Madelung. Springer, Berlin, 3rd ed. 2004. ISBN 978-3-642-62332-5
  18. Johnson K.A., Ashcroft N.W. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 15548. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.58.15548
  19. Mott N.F., Davis E.A. Electronic Processes in NonCrystalline Materials, 2nd ed. Oxford Univ. Press. New York. 2012. 590 p. ISBN 978-0-19-964533-6
  20. Pollak M. // Philos. Mag. 1971. V. 23. P. 519. http://dx.doi.org/10.1080/14786437108216402
  21. Asadov S.M. // Russ. J. Phys. Chem. A. 2022. V. 96. No. 2. P. 259. http://dx.doi.org/10.1134/S0036024422020029

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».