Ферромагнетизм при комнатной температуре кристаллического полупроводникового соединения Hg 1 –    x  Fe  x  Se с предельно низким содержанием примесных атомов железа ( x  ≤ 0.06 ат. %)

Говоркова Т. Е.; Окулов В. И.; Памятных Е. А.; Гавико В. С.; Суриков В. Т.

Room temperature ferromagnetism of a crystalline semiconductor compound Hg_{1 – x}Fe_xSe at extremely low concentration of impurity iron atoms (x ≤ 0.06 at %) - PDF (Russian)

Согласие на обработку персональных данных

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).

TOP

Username
Password
Remember me

Forgot password?	Register

Username
Password
Remember me

Forgot password?	Register

Vol 89, No 10 (2025)

Vol 89, No 10 (2025)

Room temperature ferromagnetism of a crystalline semiconductor compound Hg1 – xFexSe at extremely low concentration of impurity iron atoms (x ≤ 0.06 at %) - PDF (Russian)

Room temperature ferromagnetism of a crystalline semiconductor compound Hg_{1 – x}Fe_xSe at extremely low concentration of impurity iron atoms (x ≤ 0.06 at %) - PDF (Russian)