Отправить статью по E-mail 
Магнитная энергия взаимодействия синтетического антиферромагнетика со свободным слоем спин-туннельного элемента
- Авторы: Поляков О.П.1,2, Поляков П.А.1, Васильев Д.В.3, Амеличев В.В.3, Касаткин С.И.2, Костюк Д.В.3, Шевцов В.С.1,3, Орлов Е.П.3
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт проблем управления имени В.А. Трапезникова Российской академии наук”,
- Федеральное государственное бюджетное научное учреждение “Научно-производственный комплекс “Технологический центр”
- Выпуск: Том 87, № 11 (2023)
- Страницы: 1653-1657
- Раздел: Статьи
- URL: https://journal-vniispk.ru/0367-6765/article/view/232515
- DOI: https://doi.org/10.31857/S036767652370285X
- EDN: https://elibrary.ru/FHJTCJ
- ID: 232515
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Найдено точное выражение для магнитостатической энергии взаимодействия синтетического антиферромагнетика со свободным слоем спин-туннельного элемента, ферромагнитные слои которых имеют форму сильно сплюснутых эллипсоидов вращения. Установлено, что точное значение этой энергии взаимодействия может существенно отличаться от обычного значения, которое рассчитывается с помощью выражения для размагничивающего поля. Вычислены параметры, при которых происходит полная компенсация магнитного взаимодействия синтетического антиферромагнетика.
Об авторах
О. П. Поляков
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования“Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт проблем управления имени В.А. Трапезникова Российской академии наук”,
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва; Россия, Москва
П. А. Поляков
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования“Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва
Д. В. Васильев
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение“Научно-производственный комплекс “Технологический центр”
Автор, ответственный за переписку.
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва
В. В. Амеличев
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение“Научно-производственный комплекс “Технологический центр”
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва
С. И. Касаткин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт проблем управления имени В.А. Трапезникова Российской академии наук”,
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва
Д. В. Костюк
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение“Научно-производственный комплекс “Технологический центр”
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва
В. С. Шевцов
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования“Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”; Федеральное государственное бюджетное научное учреждение
“Научно-производственный комплекс “Технологический центр”
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва; Россия, Москва
Е. П. Орлов
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение“Научно-производственный комплекс “Технологический центр”
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Liu M., Du W., Su H. et al. // NPG Asia Mater. 2021. V. 13. P. 7.
- Zavornitsyn R.S., Naumova L.I., Milyaev M.A. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2019. V. 1389. Art. No. 012157.
- Silva A.V., Leitao D.C., Valadeiro J. et al. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2015. V. 72. Art. No. 10601.
- Chan P.H., Li X., Pong P.W.T. // Vacuum. 2017. V. 140. P. 111.
- Liu M., Du W., Su H. et al. // Nanotechnology. 2021. V. 32. Art. No. 505504.
- Fowley C., Chun B.S., Wu H.C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. Art. No. 222506.
- Амеличев В.В., Васильев Д.В., Костюк Д.В. и др. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 6. С. 461; Amelichev V.V., Vasiliev D.V., Kostyuk D.V. et al. // Russ. Microelectron. 2021. V. 50. No. 6. P. 420.
- Ikegawa S., Mancoff S.F., Janesky J., Aggarwal S. // IEEE Trans. Electron Devices. 2020. V. 67. No. 4. P. 1407.
- Wang S., Fujiwaraa H., Sunb M. // J. Magn. Magn. Mater. 2005. V. 295. P. 246.
- Worledge D.C. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 2847.
- Polyakov O., Amelichev V., Zhukov D. et al. // Sensors. 2021. V. 21. Art. No. 2118.
- Поляков О.П., Касаткин С.И., Амеличев В.В., Поляков П.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 11. С. 1554; Polyakov O.P., Polyakov P.A., Kasatkin S.I., Amelichev V.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2021. V. 85. No. 11. P. 1217.
- Стрэттон Дж. Теория электромагнетизма. М.–Л.: ГИТТЛ, 1948. 539 с.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. Теоретическая физика. Т. 8. М.: Наука, 1982. 620 с.
Дополнительные файлы
