Отправить статью по E-mail 
Исследование влияния параметров фторидного процесса осаждения вольфрама на свойства вольфрамовых самокомпозитов, полученных методом химической пропитки из газовой фазы
- Авторы: Букатин Т.Н.1, Карпенков Д.Ю.1, Душик В.В.2, Тен Д.В.1
-
Учреждения:
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физической химии и электрохимии имени А.Н. Фрумкина Российской академии наук»
- Выпуск: Том 88, № 5 (2024)
- Страницы: 760-766
- Раздел: Физика сегнетоэлектриков
- URL: https://journal-vniispk.ru/0367-6765/article/view/274208
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524050112
- EDN: https://elibrary.ru/OWWIZF
- ID: 274208
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Изучено влияние параметров процесса химической инфильтрации из газовой фазы порошка вольфрама на глубину его пропитки, механические свойства и плотность полученных заготовок. Обнаружено, что глубина пропитки зависит от скорости осаждения вольфрама из газовой фазы, а максимальная прочность на изгиб достигается на образце, полученном при температуре 450 °C и давлении газа 133 мбар. Метод химической пропитки из газовой фазы перспективен для разработки технологии аддитивного формирования деталей из вольфрама и композитов на его основе.
Об авторах
Т. Н. Букатин
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Автор, ответственный за переписку.
Email: bukatin.t@gmail.com
Россия, Москва
Д. Ю. Карпенков
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Email: bukatin.t@gmail.com
Россия, Москва
В. В. Душик
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физической химии и электрохимии имени А.Н. Фрумкина Российской академии наук»
Email: bukatin.t@gmail.com
Россия, Москва
Д. В. Тен
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Email: bukatin.t@gmail.com
Россия, Москва
Список литературы
- Zohm H. // Fusion Eng. Des. 2013. V. 88. No. 6—8. P. 428.
- https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/Tungsten.
- Kim H., Lee H.J., Kim S.H., Jang C. // Fusion Eng. Des. A. 2016. V. 109—111. P. 590.
- Gallardo J.A.G., Giménez M.A.N., Gervasoni J.L. // Ann. Nucl. Energy. 2020. V. 147. Art. No. 107739.
- Xie J., Lu H., Lu J. et al. // Surf. Coat. Technol. 2021. V. 409. Art. No. 126884.
- Pitts R.A., Bonnin X., Escourbiac F. et al. // Nucl. Mater. Energy. 2019. V. 20. Art. No. 100696.
- Хорьков К.С., Абрамов В.Д., Кочуев Д.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 1619; Khorkov K.S., Abramov V.D., Kochuev D.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 12. P. 1429.
- Bachmann C., Arbeiter F., Boccaccini L.V. et al. // Fusion Eng. Des. 2016. V. 112. P. 527.
- Harutyunyan Z., Ogorodnikova O., Gasparyan Y. et al. // J. Nucl. Mater. 2022. V. 567. No. 153811.
- Marinelli G., Martina F., Lewtas H. et al. // J. Nucl. Mater. 2019. V. 522. P. 45.
- Крат С.А., Фефелова Е.А., Пришвицын А.С. и др. // Изв. РАН Сер. физ. 2022. Т. 86. № 5. С. 627; Krat S.A., Fefelova E.A., Prishvitsyn A.S. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. P. 521.
- Jasper B., Coenen J.W., Riesch J. et al. // Mater. Sci. Forum. 2015. V. 825. P. 125.
- Dong Z., Ma Z., Yu L. et al. // Nature Commun. 2021. V. 12. P. 5052.
- Rieth M., Dudarev S.L., De Vicente S.G. et al. // J. Nucl. Mater. 2013. V. 432. No. 1—3. P. 482.
- Puma G.L., Bono A., Krishnaiah D., Collin J.G. // J. Hazard. Mater. 2008. V. 157. No. 2—3. P. 209.
- Fotovvati B., Namdari N., Dehghanghadikolaei A. // J. Manuf. Mater. Process. 2019. V. 3. No. 1. P. 28.
- Tamura S., Tokunaga K., Yoshida N. // J. Nucl. Mater. 2002. V. 307. P. 735.
- Song J., Yu Y., Zhuang Z. et al. // J. Nucl. Mater. 2013. V. 442(1—3). P. S208.
- Murphy J.D., Giannattasio A., Yao Z. et al. // J. Nucl. Mater. 2009. V. 386. P. 583.
- Angelescu D. E., Schroeder R. J. Технология изготовления металлических устройств со встроенными оптическими элементами, оптическими устройствами или оптическими и электрическими вводами. Патент США № 20100041155A1. 2008.
- Raumann L., Coenen J.W., Riesch J. et al. // Surf. Coat. Technol. 2020. V. 381. Art. No. 124745.
Дополнительные файлы
