New color centers in short-wave range in sodium and lithium fluorides
- Authors: Maksimova N.T.1, Miroshnik D.D.1, Evdokimova A.I.1
-
Affiliations:
- Irkutsk State University
- Issue: Vol 88, No 7 (2024)
- Pages: 1039-1044
- Section: Luminescence and Laser Physics
- URL: https://journal-vniispk.ru/0367-6765/article/view/279455
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524070062
- EDN: https://elibrary.ru/PCFFPM
- ID: 279455
Cite item
Full Text
Abstract
The formation mechanism of luminescence centers in short-wave range (400—500 nm) in LiF crystals is investigated. It is established, that the investigated centers are own crystal defects created in the result of the radiation-thermal process. The offered model of the center is realized in a NaF crystal. It is revealed, that in sodium fluoride the new centers allow to obtain short-wave luminescence in yellow-green range.
Keywords
Full Text
Введение
Дефектность, сформированная в объеме кристаллов LiF и NaF в результате ионизирующего воздействия, обладает необычайно длительной стабильностью в процессе хранения объекта. Одной из причин является высокий порог радиационного повреждения. Другая причина в том, что NaF и LiF — кристаллы широкозонные, и окрашенные образцы нечувствительны к видимому свету. Отмеченные особенности дают значительные перспективы при использовании таких сред для визуализации источников излучения [1—6]. В числе наиболее перспективных направлений следует отметить такие, как лазерная запись цифровой или визуальной информации в прозрачных объемных и многослойных оптических носителях [2], формирование изображений, которые визуализируются в их люминесцентном излучении [3—5], получение эффективных кристаллических, пленочных и наноструктурных фторидных материалов для современных приложений в фотонике и электронике [6]. Кристалл LiF, являясь эффективным детектором рентгеновского спектрального диапазона, может быть использован для записи изображения в 3D-формате [1].
Аддитивная модель (RGB) описывает способ кодирования цвета для воспроизведения посредством трех основных цветов. Результатом является полноцветная запись информации. Формирование видимого изображения в объеме кристалла может быть обеспечено наличием центров, люминесцирующих в видимом диапазоне [2]. В LiF в числе таких центров F2 (λm = 670 нм, красное свечение) и F3+ (λm = 543 нм, зеленое свечение). О формировании центров окраски, люминесцирующих в LiF в голубом диапазоне, заявлено в ряде работ [7, 8]. Вместе с тем, структура и модель обнаруженных центров требуют дальнейшего изучения.
Поиск новых центров RGB-диапазона, установление их структуры и выявление условий достижения максимальной концентрации остаются в числе основных проблем данного направления [9, 10]. Так для получения голубой компоненты люминесценции необходимо преодолеть ряд сложностей. Прежде всего, максимально подавить поглощение в области возможной голубой люминесценции. Во-вторых, нужно создать условия для выделения полосы поглощения, которая может быть возможным кандидатом для возбуждения свечения.
Диапазон люминесценции центров окраски во фториде лития простирается от 400 до 1400 нм. Люминесценция в зеленом и красном диапазонах широко изучена в связи с многочисленными работами по лазерной генерации на F2 и F3+-центрах. Вместе с тем сообщения о люминесценции в LiF в голубом диапазоне (420—490 нм) весьма немногочисленны.
Так при исследовании полос поглощения при 320 нм и 378 нм, которые в LiF были приписаны R1- и R2-центрам в соответствии с R-полосами в других ЩГК, было обнаружено свечение. Причем при возбуждении в полосе R1 — 730 нм, а в R2 — 495 нм [11]. О том, что R1- и R2-полосы возникают при переходе в одном и том же центре отмечено также в работе [12]. Однако авторы [12] обнаружили, что в области перекрытия R1- и R2-полос образуется центр окраски, который не связан ни с каким-либо из известных центров. По мнению авторов [12], этот X-центр является общей характеристикой кристалла LiF, облученного при КТ. Модель нового центра предложена не была. Слабое голубое свечение с максимумом при 490 нм наблюдалось в работе [13] при возбуждении с коротковолнового края М-полосы. Полоса возбуждения соответствует области поглощения X-центров. Авторы [13] связывают наблюдаемую люминесценцию с центрами, лежащими под М-полосой. Целью нашего исследования было выявление природы центров голубого свечения и определение оптимальных условий их образования.
Эксперимент
Монокристаллы LiF и NaF в наших экспериментах были выращены в вакууме без добавления примесей, или на воздухе с добавлением кислородсодержащих примесей в виде солей и окислов. Концентрация ОН– ионов, оценивалась с использованием формулы Смакулы [14], и составляла от 5·1017—3·1018 см-3. Ряд кристаллов имел небольшое содержание металлической примеси.
Кристаллы были предварительно облучены гамма-излучением от источника 60Со в интервале доз (3·103—2·105 Кл·кг-1). Температурный интервал облучения составлял 77—600 К.
Спектры поглощения в видимом диапазоне измерялись с помощью спектрофотометра Lomo SF-56 и в ИК-диапазоне с помощью фурье-спектрофотометра Shimadzu IR Affinity-1S. Низкотемпературные измерения спектров поглощения были выполнены с использованием спектрофотометра Perkin-Elmer Lambda-950. Спектры свечения были измерены на флуоресцентном спектрофотометре Hitachi 650-10S.
Результаты и их обсуждение
Формирование дефектов, обеспечивающих голубое свечение во фториде лития, мы наблюдали в образцах окрашенных кристаллов LiF вне зависимости от источника облучения (гамма-кванты, рентгеновское излучение или пучок ускоренных электронов). Характерный спектр поглощения таких образцов представлен на рис. 1а. При возбуждении в полосе поглощения с λm = 380 нм наблюдается свечение, спектр которого представлен на рис. 1б. Особенностью является присутствие в спектре поглощения, наряду с пиками F и M, полосы, которая по положению в спектре соответствует R2-центрам. Для выявления механизма образования дефектов, ответственных за эту полосу, было проведено формирование центров окраски при различных радиационно-термических условиях. Ключевыми моментами для выбора температурного режима создания центров являются температуры ограничения подвижности анионных вакансий (ниже 150 К), температуры, при которых затормаживается колебательный процесс ОН-ионов (–60 °C), а также температурные диапазоны существования центров окраски различного типа.
Рис. 1. Спектры поглощения (а) и люминесценции (б) голубого диапазона в кристаллах LiF. 1 — возбуждение, 2 — свечение.
Так в кристалле, облученном при 300 К, присутствуют центры окраски; F, M, R1, R2 и поглощение в области 500 нм, обычно отмечающееся как N-область (рис. 2a).
Рис. 2. Спектры поглощения центров окраски в кристаллах LiF, облученных гамма-квантами при различных температурах. (а) 300 K, (б) 77 K, (в) 1 — 217—253 К, 2 — 440—580 К. Экспозиционная доза облучения — 5·103 Кл·кг−1.
После облучения при температуре кипения жидкого азота и последующего нагрева до 300 К в спектре поглощения не наблюдалось полос в R-области спектра (рис. 2б). Сформированы F, M и полоса в области 500 нм. При возбуждении в М-полосе наблюдается свечение F3+-центров (λm = 532 нм). Согласно [13], в данном температурном диапазоне протекают следующие процессы: Va + F → F2+, F2+ + F → F3+ и идет частичное преобразование F2+ + e → F2. Образования F3-центров не происходит. Вероятно, это связано с недостатком свободных электронов.
Диапазон 217—253 К характеризуется высокой подвижностью анионных вакансий. После облучения в этих условиях и последующей выдержки при КТ наблюдается эффективное образование F3+-центров, при этом М-полоса уширяется (рис. 2в, кривая 1).
Диапазон температур 440—580 К был выбран с целью оценки роли в формировании центров голубой люминесценции продуктов разрушения F2+-центров, роли освобожденных анионных вакансий, а также продуктов разрушения F3+-центров.
Вне зависимости от примесного состава облучение при повышенных температурах с последующим охлаждением до КТ и выдержкой при КТ приводит к эффективному образованию центров в области 360—380 нм (рис. 2в, кривая 2). Причем облучение в области температур разрушения F3+ позволяет выделить полосу поглощения центров, отвечающих за голубую люминесценцию.
Возникает вопрос о возможном участии примеси кислорода в формировании центров голубого свечения. Однако в кристаллах LiF, выращенных в вакууме и не содержащих активирующих примесей, облучение при повышенных температурах в диапазоне 440—473 К приводит к получению выраженной полосы с λm = 380 нм, в которой возбуждается голубое свечение в диапазоне 390 нм. Возбуждение в максимуме М-полосы этого кристалла дает зеленое свечение F3+-центров, а также слабое красное свечение, вероятно связанное с остаточной концентрацией F2-центров. Спектр поглощения таких образцов на рис. 2в, кривая 1.
В образцах LiF, выращенных на воздухе и содержащих активирующие примеси в виде диполей кислорода и анионной вакансии O–Va+, а также ионов гидроксила ОН–, после облучения при пониженных температурах (217—253 К) и последующего нагрева до КТ образуются центры О–F3+ [15], полоса поглощения которых сдвинута в коротковолновую сторону относительно полосы обычных F3+ (458 → 400 нм) (рис. 3а, кривая 1). При возбуждении в этой полосе наблюдается сине-зеленое свечение. Термическая обработка из области температур разрушения F3+ приводит к спаду полосы О–F3+ и выделению пика с λm = 380 нм (рис. 3а, кривая 2).
Рис. 3. Спектры поглощения (a), (в) и спектры люминесценции (б) центров окраски в кристаллах Li F (а) 1 — LiF-O, ОH после облучения гамма-квантами; 2 — LiF-O, ОH после термообработки; (б) 1 — люминесценция LiF-O, ОH перед термообработкой, 2 — после термообработки; (в) спектры поглощения при температуре кипения жидкого азота, 1 — полоса R2, 2 — полоса центров голубого свечения.
Этот результат предполагает возможный путь разрушения О–F3+-центров. В частности, отход примесно-вакансионного диполя О–Va+. При этом возможен некоторый рост F2 полосы: О–F3+ — O–Va+ → F2. Это мы видим в спектре. Далее распад диполя O–F3+ — O– – → F3+ с последующим захватом электрона, освобожденного из ловушки: F3+ + e → F3.
Наличие голубой компоненты в образце до термической обработки вероятно связано с присутствием центров с λm = 380 нм, полоса поглощения которых скрыта под широкой полосой O–F3+-центров. Отсюда следует, что формирование центров с λm = 380 нм, ответственных за голубое свечение не имеет прямой связи с наличием кислородных диполей.
В наблюдаемых нами условиях есть пик, совпадающий по положению с R2 (380 нм), и не наблюдается пик, соответствующий центрам R1. Следует отметить, что согласно имеющимся данным [16], R2-полоса, как в LiF, так и в других ЩГК имеет ряд особенностей. В частности, в отличие от R1, R2 проявляет тонкую структуру, которой нет у R1 [16]. Вместе с тем сравнительные измерения спектров поглощения при температуре жидкого азота показали, что в отличие от R2, которая дает классический вариант тонкой структуры, центры голубого свечения в этих условиях дают абсолютно гладкую кривую (рис. 3в, кривая 2).
Вероятно, условия формирования существенным образом влияют на конфигурационную структуру образующихся агрегатных центров. Наблюдаемый экспериментальный факт соответствует выводам, сделанным авторами [17], а также [18, 19] об изомерическом характере F3-центров в LiF.
Таким образом, можно заключить следующее. В кристаллах LiF, облученных при температурах выше комнатной, а также в результате радиационно-термического преобразования дефектов формируются агрегатные центры с широкой полосой поглощения в области 360—380 нм. При возбуждении в этой полосе наблюдается свечение в голубом диапазоне спектра 460—490 нм. Отличительной особенностью является присутствие в R-области спектра одной полосы, которая по положению совпадает с известной R2-полосой, но не проявляет фононной структуры, характерной для R2-полосы. Образованию «голубых» центров может сопутствовать образование F3+-центров зеленого свечения. Исследуемые «голубые» центры остаются стабильными в термическом диапазоне разрушения F3+-центров. Усиление полосы поглощения «голубых» центров при одновременном снижении F3+-полосы вероятно связано с процессом F3+ + e → F3, в результате которого происходит образование устойчивой конфигурации F3-центра.
Известно, что F3-центр обладает несколькими электронными состояниями [20—22]. В абсорбционном спектре такой структуры возможно проявление нескольких полос поглощения [23]. В работе [18] приведены доказательства существования различных конфигураций (изомеров) F3-центров в LiF. Такие агрегатные дефекты отличаются пространственной формой и окружением в кристаллической решетке. В нашем случае последний факт, вероятно, определяет особенности их спектральных характеристик и их высокую термическую стабильность.
Для проверки и подтверждения полученных выводов мы обратились к кристаллу NaF. Во фториде натрия образуется тот же набор собственных дефектов решетки, что и в LiF [24, 25]. Особенностью является то, что в NaF полосы собственных дефектов сдвинуты в сторону длинноволнового диапазона. Это открывает возможность наблюдения за коротковолновой областью в диапазоне 200—400 нм, которая в LiF скрыта под интенсивной F-полосой.
В NaF дефекты, подобные тем, которые в LiF дают голубую люминесценцию, по нашим предположениям должны располагаться с коротковолнового края М полосы. Это область R-центров, которые в NaF, согласно литературным данным [26], имеют максимумы 395 нм (R1) и 495 нм (R2). В кристаллах NaF люминесценция видимого диапазона располагается в оранжевой и красной областях. Наиболее коротковолновое — оранжевое свечение принадлежит F3+-центрам [27]. О люминесценции, возбуждаемой в области R1- и R2-центров в NaF не сообщалось. Преобразования, проведенные нами в NaF, аналогичные тем, что были проведены на LiF, дали возможность получить достаточно выраженную полосу, при возбуждении в которой мы смогли наблюдать люминесценцию в желто-зеленой области. Максимум возбуждения приходится на 435 нм, максимум свечения в области 530—540 нм. Цветное изображение люминесцирующих образцов полученных кристаллов представлено на рис. 4.
Рис. 4. Образцы кристаллов LiF (а) и NaF (б) с характерной коротковолновой люминесценцией, возбуждение 365 нм.
Заключение
Результаты проведенных исследований показывают, что в кристаллах LiF и NaF могут быть созданы центры, люминесценция которых сдвинута в сторону голубого и зеленого диапазона. Исследуемые структуры отличаются повышенной оптической и термической устойчивостью. В кристалле NaF с новыми центрами связана не наблюдавшаяся ранее люминесценция в желто-зеленом диапазоне. Экспериментальное подтверждение одновременного формирования в LiF этих центров и F3+-центров, увеличение их концентрации в процессе термического разрушения F3+-центров, и отсутствие фононной структуры в спектре поглощения дает основание связать рассматриваемые центры с устойчивой конфигурацией собственных радиационных дефектов, представляющих собой изомер F3-центра.
В работе использована приборная база Байкальского аналитического центра коллективного пользования СО РАН.
Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках темы государственного задания на проведение научных исследований (базовая часть, проект FZZE-2023-0004).
About the authors
N. T. Maksimova
Irkutsk State University
Author for correspondence.
Email: Natmax_2001@mail.ru
Russian Federation, Irkutsk
D. D. Miroshnik
Irkutsk State University
Email: Natmax_2001@mail.ru
Russian Federation, Irkutsk
A. I. Evdokimova
Irkutsk State University
Email: Natmax_2001@mail.ru
Russian Federation, Irkutsk
References
- Pikuz T., Faenov A., Matsuoka T. et al. // Sci. Reports. 2016. V. 5. Art. No. 17713.
- Мартынович Е.Ф., Чернова Е.О., Дресвянский В.П. Способ записи полноцветных люминесцентных изображений в объеме оптического носителя. Патент РФ № 2653575, кл. C03B33/09, B44F1/06. 2018.
- Makarov S., Pikuz S., Ryazantsev S. et al. // J. Synchrotron Radiat. 2020. V. 27. No. 3. P. 625.
- Макаров С.С., Жвания И.А., Пикуз С.А. и др. // ТВТ. 2020. Т. 58. № 4. С. 670; Makarov S.S., Zhvania I.A., Pikuz S.A. et al. // High Temp. 2020. V. 58. No. 4. P. 615.
- Makarov S.S., Pikuz T.A., Buzmakov A.V. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 1787. 2021. Art. No. 012027.
- Мартынович Е.Ф. Нелинейный фотографический материал. Патент РФ № 2781512, кл. G03C1/725, C09K11/55, C09K11/61, C09K11/62, G02F1/355, C30B29/12. 2022.
- Martynovich E.F., Chernova E.O., Dresvyansky V.P. et al. // Opt. Laser Technol. 2020. V. 131. Art. No. 106430.
- Maksimova N.T., Kostyukov V.M. // AIP Conf. Proc. 2019. V. 2069. Art. No. 020006.
- Максимова Н.Т., Костюков В.М. // Изв. РАН. Сер. физ. 2015. Т. 79. № 2. С. 291; Maksimova N.T., Kostyukov V.M. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2015. V. 79. No. 2. P. 267.
- Максимова Н.Т., Костюков В.М., Иноземцева А.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 9. С. 1279; Maksimova N.T., Kostyukov V.M., Inozemtseva A.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 9. P. 1150.
- Okuda A. // J. Phys. Soc. Japan. 1961. V. 16. No. 9. P. 1746.
- Van der Lugt K.L., Kim Y.W. // Phys. Rev. 1968. V. 171. No. 3. P. 1096.
- Nahum J., Wiegand D.A. // Phys. Rev. 1967. V. 154. No. 3. Р. 817.
- Fowler W.B. Physics of colour centers. New York: Academic Press, 1968. 655 p.
- Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Исянова Е.Д. и др. // Опт. и спектроск. 1987. Т. 63. № 4. С. 816; Lobanov B.D., Maksimova N.T, Isianova E.D. et al. // Opt. Spectrosc. 1987. V. 63. No. 4. P. 485.
- Pierce C.B. // Phys. Rev. 1964. V. 135. No. 1A. P. A83.
- Костюков В.М., Максимова Н.Т., Мыреева З.И., Зилов С.А. // Опт. и спектроск. 1995. Т. 79. № 4. С. 625; Kostyukov V.M., Maksimova N.T., Myreeva Z.I., Zilov S.A. // Opt. Spectrosc. 1995. V. 79. No. 4. P. 574.
- Voitovich А.Р., Kalinov V.S, Martynovich E.F. et al. // Cryst. Res. Technol. 2013. V. 48. No. 6. P. 381.
- Войтович А.П., Калинов В.С. Машко В.В. и др. // ЖПС. 2019. Т. 86. № 1. С. 71; Voitovich A.P., Kalinov V.S. Mashko V.V. et al. // J. Appl. Spectrosc. 2019. V. 86. No. 1. P. 61.
- Стоунхэм А.М. Теория дефектов в твердых телах. Т. 2. М.: Мир, 1978. 358 с.
- Hughes A.E., Henderson B. // in: Point defects in solids. V. 1. General and ionic crystals. New York-London: Plenum Press, 1972. P. 381.
- Зилов С.А., Войтович А.П., Бойченко С.В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 1. С. 89; Zilov S.A., Voitovich A.P., Bojchenko S.V. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. No. 1. P. 81.
- Лисицын В.М., Лисицына Л.А., Полисадова Е.Ф. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 3. С. 401; Lisitsyn V.M., Lisitsyna L.A., Polisadova E.F. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 3. P. 336.
- Chandra A. // J. Chem. Phys. 1969. V. 51. No. 4. P. 1499.
- Chandra A., Holcomb D.F. // J. Chem. Phys. 1969. V. 51. No. 4. P. 1509.
- Elsässer K., Seidel H. // Phys. Stat. Sol. B. 1971. V. 43. No. 1. P. 301.
- Konrad K., Neubert T.J. // J. Chem. Phys. 1967. V. 47. No. 12. P. 4946.
Supplementary files
