Nuclear scanning microprobe in the study of silicon carbide epilayers

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

We presented the results of the study of surfaces of homoepitaxial 4H-SiC layers using a nuclear scanning microprobe in the Rutherford backscattering mode. Analysis of the state of the sample surfaces and synthesis modes showed that an increase in the silicon (Si) content in the upper layers of some samples precedes the formation of highly defective 4H-SiC layers.

全文:

受限制的访问

作者简介

M. Buzoverya

Russian Federal Nuclear Center — All-Russia Research Institute of Experimental Physics

Email: dismos51@gmail.com
俄罗斯联邦, Sarov, 607188

I. Karpov

Russian Federal Nuclear Center — All-Russia Research Institute of Experimental Physics

Email: dismos51@gmail.com
俄罗斯联邦, Sarov, 607188

A. Arkhipov

Russian Federal Nuclear Center — All-Russia Research Institute of Experimental Physics

Email: dismos51@gmail.com
俄罗斯联邦, Sarov, 607188

D. Skvortsov

National Research Ogarev Mordovia State University

编辑信件的主要联系方式.
Email: dismos51@gmail.com

Research Laboratory “Synthesis and Processing of Silicon Carbide Single Crystals”

俄罗斯联邦, Saransk, 430005

V. Neverov

National Research Ogarev Mordovia State University

Email: dismos51@gmail.com

Research Laboratory “Synthesis and Processing of Silicon Carbide Single Crystals”

俄罗斯联邦, Saransk, 430005

B. Mamin

National Research Ogarev Mordovia State University

Email: dismos51@gmail.com

Research Laboratory “Synthesis and Processing of Silicon Carbide Single Crystals”

俄罗斯联邦, Saransk, 430005

参考

  1. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. // Изв. вузов. Электроника. 2011. № 6(92). С. 3.
  2. Афанасьев А.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Решанов С.А. // Изв. вузов. Электроника. 2020. Т. 25. № 6. С. 483.
  3. Авров Д.Д., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. // Изв. вузов. Электроника. 2015. Т. 20. № 3. С. 225.
  4. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Волкова А.А. // ЖТФ. 2005. Т. 75. № 4. С. 114; Davydov S.Yu., Lebedev A.A., Savkina N.S., Volkova A.A. // Tech. Phys. 2005. V. 50. No. 4. P. 503.
  5. Schöler M., Schuh P., Steiner J., Wellmann P.J. // Mat. Sci. Forum. 2019. V. 963. P. 157.
  6. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 2. С. 153.
  7. Гаврилов Г.Е., Бузоверя М.Э., Карпов И.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 8. С. 1155; Gavrilov G.E., Buzoverya M.E., Karpov I.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 8. P. 956.
  8. Lilov S.K. // Mater. Sci. Engin. B. 1993. V. 21. P. 65.
  9. Vasiliauskas R., Marinova M., Hens P. et al. // Cryst. Growth Des. 2012. V.12. P. 197.
  10. Быков Ю.О., Лебедев А.О., Щеглов М.П. // Неорг. матер. 2020. T. 56. № 9. C. 979.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2. Fig. 1. Schematic diagram of an epitaxial sandwich cell in the thermal unit of the growth setup (a): 1 — zone of transfer of molecular components of vapor; 2 — source of SiC vapor (sublimation wafer); 3 — seed crystal (single-crystal 4H-SiC substrate); 4 — graphite ring (spacer); 5 — graphite crucible; 6 — graphite thermal insulation; 7 — quartz tube; 8 — induction heater. Dynamics of epitaxy processes (b) EPI-1 (top) and EPI-2 (bottom): TYaCh (exp.) — temperature of the top of the epitaxial cell, recorded by a pyrometer; TIST (model) — calculated surface temperature of the sublimation wafer; GES (model) — calculated growth rate of the epitaxial layer.

下载 (247KB)
索引源数据
3. Fig. 2. AFM images: sample EPI-1 (a), step height is 0.5 nm, terrace width is 2.76 µm, the number of peaks in the region is 13; sample EPI-2 (b), step height is 0.5 nm, terrace width is 5.61 µm, the number of peaks in the region is 58.

下载 (208KB)
索引源数据
4. Fig. 3. RBS spectra of samples EPI-1 (a) and EPI-2 (b). Element distribution maps (size 30 × 30 μm), samples EPI-1 (c) and EPI-2 (d).

下载 (308KB)
索引源数据
5. Fig. 4. Calculated dynamics of growth parameters in the region corresponding to the final stage of growth of SiC EPI-1 (left) and EPI-2 (right) ES. The dotted lines mark the region of formation of the near-surface layer with a thickness of ~ 2 μm. TEP (model) is the calculated temperature of the epitaxial surface.

下载 (182KB)
索引源数据

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».