Chemical polishing of CdZnTe substrates with achievement of surface morphology for synthesis of A2B6 solid solutions by molecular beam epitaxy

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The structural perfection of the HgCdTe epitaxial layer with a minimum number of extended structural defects is ensured using the molecular beam epitaxy method, as well as growth on substrates matched to the crystal lattice parameter. CdZnTe (211)B substrates manufactured at Orion R&P Association JSC have a thickness variation (TTV) of less than 1.5 μm and a surface roughness of Ra = 0.45 nm (rms = 0.58 nm).

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

A. Trofimov

Orion R&P Association JSC; MIREA — Russian Technological University

Autor responsável pela correspondência
Email: aa-trofimov@yandex.ru
Rússia, Moscow; Moscow

I. Denisov

Giredmet JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Rússia, Moscow

M. Grishechkin

Giredmet JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Rússia, Moscow

D. Tsaregorodcev

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Rússia, Moscow

A. Goncharov

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Rússia, Moscow

K. Gladysheva

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Rússia, Moscow

V. Malygin

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Rússia, Moscow

A. Kosyakova

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Rússia, Moscow

Bibliografia

  1. Rogalski A. Infrared detectors. CRC Press, 2019. 898 p.
  2. Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Кузнецов С.А. и др. // В кн.: Материалы XXVI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2022). 475 с.
  3. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С. и др. // Физ. и техн. полупровод. 2001. Т. 35. № 9. С. 1092. // Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. No. 9. P. 1092.
  4. Якушев М.В., Брунев Д.В., Варавин В.С. и др. // Физ. и техн. полупровод. 2011. Т. 45. № 3. С. 396; Yakushev M.V., Brunev D.V., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. No. 3. P. 396.
  5. Якушев М.В. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si. Дисс. … докт. физ.-мат. наук. Новосибирск: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 2011. 251 с.
  6. Базовкин В.М., Варавин В.С., Васильев В.В. и др. // УПФ. 2018. Т. 6. № 6. С. 501.
  7. Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Варавин В.С. и др. // Тезисы докл. XXVI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2022). С. 66.
  8. Capper P. Mercury Cadmium Telluride. Growth, properties and applications. Wiley, 2011. 600 р.
  9. de Lyon T.J., Rajavel R.D., Roth J.A. et al. // In: Handbook of infrared detection technoloqies. Ch. 9. Elsevier Science, 2002. P. 309.
  10. Павлюк М.Д. Детекторные кристаллы на основе CdTe и CdZnTe для прямого счета рентгеновских и гамма-квантов. Дисс. … канд. физ.-мат наук. Москва: ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, 2020. 153 с.
  11. Трофимов А.А., Денисов И.А., Смирнова Н.А. и др. // УПФ. 2022. Т. 10. № 3. С. 289.
  12. Трофимов А.А., Денисов И.А., Гришечкин М.Б. и др. // Тезисы докладов ФОТОНИКА 2023. (Новосибирск, 2023). С. 24.
  13. Гришечкин М.Б., Денисов И.А., Силина А.А. и др. // Прикл. физ. 2014. № 5. С. 72.
  14. Grishechkin M.B., Denisov I.A., Silina A.A. et al. // Non-Ferrous Metals. 2016. No. 2. P. 23.
  15. Кузнецов И.А., Ларюшина Н.Н., Смирнов А.С. и др. Устройство для синтеза сверхтвердых материалов. Патент РФ № 2671731. 2017.
  16. Жуков Б.П. Энергетические конденсированные системы. Краткий энциклопедический словарь. М.: Янус-К, 1999. 595 с.
  17. ТУ 321212-001-07512007-2019 Микропорошок алмазный поликристаллический детонационный. АО «ГосНИИмаш».
  18. Трофимов А.А., Ухабин О.А., Смирнов А.С. и др. // УПФ. 2022. Т. 10. № 5. С. 459.
  19. Мирофянченко Е.В., Мирофянченко А.Е., Попов В.С. // Прикл. физ. 2020. № 2. С. 46.
  20. Moravec P., Höschl P., Franc J. et al. // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. No. 6. P. 1206.
  21. Lauten O. Comparative study of CdZnTe substrates prepared by different methods. Master of science in physics and mathematics thesis. Norwegian University of Science and Technology, 2017.
  22. Kakkireni S. Сhemical polishing of cadmium zinc telluride (CdZnTe) and cadmium telluride (CdTe) for molecular beam epitaxy (MBE) applications. Master of science in mechanical engineering thesis. Washington State University, 2017.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar
2. Fig. 1. Measurement of the surface roughness of a 30×30 μm2 area of the CdZnTe sample after prefinish polishing. At a length of 26 μm2, Ra = 1.55 nm, rms = 1.93 nm.

Baixar (32KB)
Metadados
3. Fig. 2. Evaluation of the surface morphology and roughness of a 337´282 μm2 area of the CdZnTe sample after final chemical-mechanical polishing. At a length of 330 μm2, Ra = 0.69 nm, rms = 0.80 nm.

Baixar (29KB)
Metadados
4. Fig. 3. Measurement of the surface roughness of a 15´15 μm2 area of the CdZnTe sample after final chemical-mechanical polishing. At a length of 21 μm, Ra = 0.45 nm, rms = 0.58 nm.

Baixar (38KB)
Metadados
5. Fig. 4. Results of preparation of commercially available CdZnTe substrates with crystallographic orientation (211) B for growing HgCdTe by MBE: substrate of size 20x20 mm2, atomic force microscope image of 5x5 μm2 region, rms = 0.44 nm (a); substrate of size 25x25 mm2 (Nippon, Japan), atomic force microscope image of 5x5 μm2 region, rms = 0.3 nm (in the center of the region), rms = 0.95 nm (taking into account Te precipitates) (b); substrate of size 15x15 mm2 (Nippon, Japan), atomic force microscope image of 20x20 μm2 region, rms = 1.0 nm (c).

Baixar (14KB)
Metadados

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».