Оптические свойства кремниевых нанонитей, полученных методом металл-стимулированного химического травления с использованием золотых наночастиц

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Кремниевые нанонити (КНН), благодаря их уникальным структурным и физическим свойствам, являются перспективным материалом для использования в электронике, фотовольтаике, фотонике, сенсорике и биомедицине. Несмотря на множество методов, доступных для синтеза КНН, металл-стимулированное химическое травление (MСХТ) сегодня является одним из наиболее перспективных для их экономически эффективного производства. В большинстве работ в качестве катализатора химической реакции травления кристаллического кремния используют наночастицы серебра. Однако использование золотых наночастиц в МСХТ может существенно повлиять на морфологию и оптические характеристики получаемых образцов. В представленной работе КНН синтезированы методом МСХТ кристаллического кремния с использованием золотых наночастиц. Показано с помощью методов растровой и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, что полученные нанонити имеют диаметр ~ 100 нм и представляют собой ~ 50 нм кристаллический стержень, покрытый ~ 25 нм слоем SiO2, на границе которых присутствуют кремниевые нанокристаллы. Пористость массивов КНН оценивалась из их спектров зеркального отражения, и рассчитывалась с помощью модели эффективной среды Бруггемана, и составляет 70 %. При этом образцы демонстрируют крайне низкое (3-7 %)полное отражение в спектральной области 250-1000 нм, увеличение интенсивностей межзонной фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света по сравнению с исходной подложкой кристаллического кремния, за счет эффекта локализации света. Кроме того, обнаружена фотолюминесценция нанонитей в области 500-1000 нм с максимумом на 700 нм, что объясняется излучательной рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах с размером 3-5 нм.

Об авторах

К. А Гончар

МГУ имени М. В. Ломоносова

Email: k.a.gonchar@gmail.com
119991, г. Москва, Россия

И. В Божьев

МГУ имени М. В. Ломоносова

Email: k.a.gonchar@gmail.com
119991, г. Москва, Россия

О. А Шалыгина

МГУ имени М. В. Ломоносова

Email: k.a.gonchar@gmail.com
119991, г. Москва, Россия

Л. А Осминкина

МГУ имени М. В. Ломоносова;Институт биологического приборостроения РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: k.a.gonchar@gmail.com
119991, г. Москва, Россия; 142290, г. Пущино, Московская область, Россия

Список литературы

  1. A. S. Kalyuzhnaya, A. I. E mova, L. A. Golovan, K. A. Gonchar, V. Y. Timoshenko, Silicon nanomaterials sourcebook: Volume II: Arrays,functional materials, and industrial nanosilicon, CRC Press-Taylor & Francis Group, London (2017), p. 3.
  2. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
  3. J. E. Allen, E. R. Hemesath, D. E. Perea, J. L. Lensch-Falk, Z. Y. Li, F. Yin, M. H. Gass, P. Wang, A. L. Bleloch, R. E. Palmer, and L. J. Lauhon, Nat. Nanotechnol 3, 168 (2008).
  4. K. Q. Peng, Y. J. Yan, S. P. Gao, and J. Zhu, Adv. Mater. 14(16), 1164 (2002).
  5. K. Q. Peng, J. J. Hu, Y. J. Yan, Y. Wu, H. Fang, Y. Xu, S. T. Lee, and J. Zhu, Adv. Funct. Mater. 16(3), 387 (2006).
  6. K. Q. Peng, A. J. Lu, R. Q. Zhang, and S. T. Lee, Adv. Funct. Mater. 18(19), 3026 (2008).
  7. V. A. Sivakov, F. Voigt, A. Berger, G. Bauer, and S. H. Christiansen, Phys. Rev. B 82(12), 125446 (2010).
  8. A. E mova, A. Eliseev, V. Georgobiani, M. Kholodov, A. Kolchin, D. Presnov, N. Tkachenko, S. Zabotnov, L. Golovan, and P. Kashkarov, Opt. Quantum Electron. 48, 232 (2016).
  9. L. A. Golovan, K. A. Gonchar, L. A. Osminkina, V. Yu. Timoshenko, G. I. Petrov, and V. V. Yakovlev, Laser Phys. Lett. 9(2), 145 (2012).
  10. К. А. Гончар, Л. А. Головань, В. Ю. Тимошенко, В. А. Сиваков, С. Кристиансен, Изв. РАН. Серия физическая 74(12), 1782 (2010)
  11. K. A. Gonchar, L. A. Golovan, V. Y. Timoshenko, V. A. Sivakov, and S. Christiansen, Bull.Russ. Acad. Sci. Phys. 74(12), 1712 (2010).
  12. В. А. Георгобиани, К. А. Гончар, Л. А. Осминкина, В. Ю. Тимошенко, ФТП 49(8), 1050 (2015)
  13. V. A. Georgobiani, K. A. Gonchar, L. A. Osminkina, and V. Yu. Timoshenko, Semicond. 49(8), 1025 (2015).
  14. S. S. Bubenov, S. G. Dorofeev, A. A. Eliseev, N. N. Kononov, A. V. Garshev, N. E. Mordvinova, and O. I. Lebedev, RSC Adv. 8(34), 18896 (2018).
  15. A. I. E mova, E. A. Lipkova, K. A. Gonchar, D. E. Presnov, A. A. Eliseev, A. V. Pavlikov, and V. Yu. Timoshenko, J. Raman Spectrosc. 51(11), 2146 (2020).
  16. P. Gorostiza, R. Diaz, M. A. Kulandainathan, F. Sanz, and J. R. Morante, J. Electroanal. Chem. 469(1), 48 (1999).
  17. X. Li and P. W. Bohn, Appl. Phys. Lett. 77(16), 2572 (2000).
  18. S. Chattopadhyay, X. Li, and P. W. Bohn, J. Appl. Phys. 91(9), 6134 (2002).
  19. V. A. Sivakov, G. Bronstrup, B. Pecz, A. Berger, G. Z. Radnoczi, M. Krause, and S. H. Christiansen, J. Phys. Chem. C 114(9), 3798 (2010).
  20. M. K. Dawood, S. Tripathy, S. B. Dolmanan, T. H. Ng, H. Tan, and J. Lam, Appl. Phys. 112, 073509 (2012).
  21. I. V. Bagal, M. A. Johar, M. A. Hassan, A. Waseem, and S.-W. Ryu, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 29, 18167 (2018).
  22. F. J. Wendisch, M. Rey, N. Vogel, and G. R. Bourret, Chem. Mater. 32(21), 9425 (2020).
  23. S. Wang, H. Liu, and J. Han, Coatings 9, 149 (2019).
  24. B. Li, G. Niu, L. Sun, L. Yao, C. Wang, and Y. Zhang, Mater. Sci. Semicond. Proc. 82, 1 (2018).
  25. M. Bechelany, E. Berodier, X. Maeder, S. Schmitt, J. Michler, and L. Philippe, ACS Appl. Mater.Interfaces 3(10), 3866 (2011).
  26. A. D. Kartashova, K. A. Gonchar, D. A. Chermoshentsev, E. A. Alekseeva, M. B. Gongalsky, I. V. Bozhev, A. A. Eliseev, S. A. Dyakov, J. V. Samsonova, and L. A. Osminkina, ACS Biomater. Sci. Eng. 8(10), 4175 (2021).
  27. B. Rossi, Optics, Addison-Wesley, Reading, MA (1957).
  28. D. A. G. Bruggeman, Ann. Phys. (Leipzig) 416(7), 636 (1935).
  29. G. Ledoux, O. Guillois, D. Porterat, C. Reynaud, F. Huisken, B. Kohn, and V. Paillard, Phys. Rev. B 62(23), 15942 (2000).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2023

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».