Effects of quantum recoil forces in resistive switching in memristors

Capa

Citar

Texto integral

Sobre autores

O. Kharlanov

Lomonosov Moscow State University

Autor responsável pela correspondência
Email: letters@kapitza.ras.ru

Bibliografia

  1. L. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507 (1971).
  2. D. Ielmini and H.-S. P. Wong, IEEE Nanotechnol. Mag. 1, 333 (2018).
  3. Z. Wang, H. Wu, G. W. Burr, C. S. Hwang, K. L. Wang, Q. Xia, and J. J. Yang, Nat. Rev. Mater. 5, 173 (2020).
  4. R. Landauer, IBM J. Res. Dev. 1, 223 (1957).
  5. W. Xue, S. Gao, J. Shang, X. Yi, G. Liu, and R. Li, Adv. Electron. Mater. 5, 1800854 (2019).
  6. A. A. Minnekhanov, B. S. Shvetsov, M. M. Martyshov, K. E. Nikiruy, E. V. Kukueva, M. Yu. Presnyakov, P. A. Forsh, V. V. Rylkov, V. V. Erokhin, V. A. Demin, and A. V. Emelyanov, Org. Electron. 74, 89 (2019).
  7. D. Dundas, E. J. McEniry, and T. N. Todorov, Nat. Nanotechnol. 4, 99 (2009).
  8. O. G. Kharlanov, B. S. Shvetsov, V. V. Rylkov, and A. A. Minnekhanov, Phys. Rev. Applied 17, 054035 (2022).
  9. V.-N. Do, Adv. Nat. Sci: Nanosci. Nanotechnol. 5, 033001 (2014).
  10. R. E. Peierls, Quantum Theory of Solids, Oxford University Press, London (1955).
  11. H. W. Sheng, M. J. Kramer, A. Cadien, T. Fujita, and M. W. Chen, Phys. Rev. B 83, 134118 (2011).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2023

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).