Rost silitsena metodom molekulyarno-luchevoy epitaksii na podlozhkakh CaF2/Si(111), modifitsirovannykh elektronnym oblucheniem

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

Впервые экспериментально продемонстрирована возможность получения силицена на модифицированных электронным облучением подложках CaF2/Si(111). Показано, что формирующиеся под электронным пучком участки планарной поверхности CaSi2 с гексагональной упаковкой могут быть использованы как естественная основа для последующего роста силицена. На таких поверхностях проведено осаждение кремния и методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света получено подтверждение формирования островков силицена.

References

  1. К. А. Лозовой, В. В. Дирко, В. П. Винарский, А.П. Коханенко, А. В. Войцеховский, Н.Ю. Акименко, Изв. вузов. Физика. 63, 104 (2021).
  2. P. Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M. C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, and G. Le Lay, Phys. Rev. Lett. 108, 155501 (2012).
  3. B. Feng, Z. Ding, S. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, and K. Wu, Nano Lett. 12, 3507 (2012).
  4. D. Chiappe, C. Grazianetti, G. Tallarida, M. Fanciulli, and A. Molle, Adv. Mater. 24, 5088 (2012).
  5. H. Enriquez, S. Vizzini, A. Kara, B. Lalmi, and H. Oughaddou, J. Phys.: Condens. Matter 24, 314211 (2012).
  6. M. E. Davila, L. Xian, S. Cahangirov, A. Rubio, and G. Le Lay, New J. Phys. 16, 095002 (2014)
  7. S. Kokott, P. Pflugradt, L. Matthes, and F. Bechstedt, J. Phys.: Condens. Matter 26, 185002 (2014).
  8. A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin, and A. Krupin, Mater. Lett. 268, 127554 (2020).
  9. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, and Z. V. Smagina, Nanomaterials 12, 1407 (2022).
  10. A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin, and A. Krupin, J. Cryst. Growth 562, 126080 (2021).
  11. R. Gonzalez-Rodriguez, R. M. del Castillo, E. Hathaway, Y. Lin, J. L. Coffer, and J. Cui, ACS Appl. Nano Mater. 5, 4325 (2022).
  12. R. Yaokawa, T. Ohsuna, T. Morishita, Y. Hayasaka, M. J. S. Spencer, and H. Nakano, Nat. Commun. 7, 10657 (2016).
  13. В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А.К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А.Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, Письма в ЖЭТФ 116, 608 (2022).
  14. P. De Padova, H. Feng, J. Zhuang, Z. Li, A. Generosi, B. Paci, C. Ottaviani, C. Quaresima, B. Olivieri, M. Krawiec, and Y. Du, Phys. Chem. C 121, 27182 (2017).
  15. L. S. Charles, W. E. Moddeman, and J. T. Grant, Appl. Phys. Lett. 52, 6921 (1981).
  16. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, N. P. Stepina, A. F. Zinovieva, and V. A. Zinovyev, Mater. Proc. 14, 68 (2023).
  17. G. Vogg, Martin S. Brandt, M. Stutzmann, and M. Albrecht, J. Cryst. Growth 203, 570 (1999).
  18. X. Meng, A. Ueki, H. Tatsuoka, and H. Itahara, Chem. Eur. J. 23, 3098 (2017).
  19. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, V. A. Volodin, A. Y. Krupin, A. V. Kacyuba, and A. V. Dvurechenskii, Nanomaterials 12, 3623 (2022)
  20. V. A. Zinovyev, A. V. Kacyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinovieva, S. G. Cherkova, Z. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Y. Krupin, O.M. Borodavchenko, and V. D. Zhivulko, Semiconductors 55, 808 (2021).
  21. A. Klust, M. Grimsehl, and J. Wollschlager, Appl. Phys. Lett. 82, 4483 (2003).
  22. C. R. Wang, B. H. Muller, E. Bugiel, and K. R. Hofmann, Appl. Surf. Si. 211, 203 (2003).
  23. J. Suela, E. Abramof, P. H. O. Rappl, F. E. Freitas, H. Closs, and C. Boschetti, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 185405 (2011).
  24. P. Vogt, P. Capiod, M. Berthe, A. Resta, P. De Padova, T. Bruhn, G. Le Lay, and B. Grandidier, Appl. Phys. Lett. 104, 021602 (2014).
  25. C. Grazianetti, E. Cinquanta, L. Tao, P. De Padova, C. Quaresima, C. Ottaviani, D. Akinwande, and А. Molle, ACS Nano 11, 3376 (2017).
  26. E. Noguchi, K. Sugawara, R. Yaokawa, T. Hitosugi, H. Nakano , and T. Takahashi, Adv. Mater. 27, 856 (2015).
  27. S. M. Castillo, Z. Tang, A. P. Litvinchuk, and A. M. Guloy, Inorg. Chem. 55, 10203 (2016).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Российская академия наук

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».