Metamorfnye geterostruktury s kvantovymi tochkami InAs/InGaAs dlya generatsii odinochnykh fotonov v spektral'nom S-diapazone

Capa

Citar

Texto integral

Resumo

В работе приведены результаты исследований по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs и метаморфными буферными слоями (МБС) InxGa1−xAs/GaAs(001), предназначенных для получения однофотонной генерации в телекоммуникационном С-диапазоне длин волн. Проанализирована возможность уменьшения толщины градиентного слоя InxGa1−xAs с целью формирования эффективных микрорезонаторных структур с толщиной резонаторной полости вплоть до двух длин волн. Приведены данные характеризации методами просвечивающей электронной микроскопии в геометрии поперечного сечения и спектроскопии фотолюминесценции структур с метаморфными буферными слоями, выращенных на поверхности распределенного брэгговского отражателя Al0.9Ga0.1As/GaAs.

Bibliografia

  1. T. Mu¨ller, J. Skiba-Szymanska, A. B. Krysa, J. Huwer, M. Felle, M. Anderson, R. M. Stevenson, J. Heffernan, D. A. Ritchie, and A. J. Shields, Nat. Commun. 9, 862 (2018); https://doi.org/10.1038/s41467-018-03251-7.
  2. D. A. Vajner, P. Holewa, E. Zieba-Ost´oj, M. Wasiluk, M. von Helversen, A. Sakanas, A. Huck, K. Yvind, N. Gregersen, A. Musial, M. Syperek, E. Semenova, and T. Heindel, ACS Photonics 11(2), 339 (2024); https://doi.org/10.1021/acsphotonics.3c00973.
  3. P. Holewa, D. A. Vajner, E. Zieba-Ost´oj, M. Wasiluk, B. Ga´al, A. Sakanas, M. Burakowski, P. Mrowin´ski, B. Krajnik, M. Xiong, K. Yvind, N. Gregersen, A. Musial, A. Huck, T. Heindel, M. Syperek, and E. Semenova, Nat. Commun. 15, 3358 (2024); https://doi.org/10.1038/s41467-024-47551-7.
  4. M. Yacob, J. P. Reithmaier, and M. Benyoucef, Appl. Phys. Lett. 104(2), 022113 (2014); https://doi.org/10.1063/1.4861940.
  5. J. Kaupp, Y. Reum, F. Kohr, J. Michl, Q. Buchinger, A. Wolf, G. Peniakov, T. Huber-Loyola, A. Pfenning, and S. H¨ofling, Adv. Quantum Technol. 6, 2300242 (2023); https://doi.org/10.1002/qute.202300242.
  6. M. Paul, F. Olbrich, J. Hoschele, S. Schreier, J. Kettler, S. L. Portalupi, M. Jetter, and P. Michler, Appl. Phys. Lett. 111(3), 033102 (2017); https://doi.org/10.1063/1.4993935.
  7. P. Wyborski, M. Gawelczyk, P. Podemski, P. A. Wron´ski, M. Pawlyta, S. Gorantla, F. Jabeen, S. H¨ofling, and G. Sek, Phys. Rev. Appl. 20, 044009 (2023); https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.20.044009.
  8. R. Sittig, C. Nawrath, S. Kolatschek, S. Bauer, R. Schaber, J. Huang, P. Vijayan, P. Pruy, S. L. Por-talupi, M. Jetter, and P. Michler, Nanophotonics 11(6), 1109 (2022); https://doi.org/10.1515/nanoph-2021-0552.
  9. С. В. Сорокин, Г. В. Климко, И. В. Седова, А. И. Галимов, Ю. В. Серов, Д. А. Кириленко, Н. Д. Прасолов, А. А. Торопов, Письма в ЖЭТФ 120(9), 694 (2024); doi: 10.31857/S0370274X24110072.
  10. E. M. Purcell, Phys. Rev. 69, 681 (1946).
  11. D. J. Dunstan, R. H. Dixon, P. Kidd, L. K. Howard, V. A. Wilkinson, J. D. Lambkin, C. Jeynes, M. P. Halsall, D. Lancefield, M. T. Emeny, P. J. Goodhew, K. P. Homewood, B. J. Sealy, and A. R. Adams, J. Cryst. Growth 26, 589 (1993); https://doi.org/10.1016/0022-0248(93)90808-A.
  12. A. M. Ceschin and J. Massies, J. Cryst. Growth 114(4), 693 (1991); https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90418-5.
  13. V. A. Solov’ev, M. Yu. Chernov, M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. A. Sitnikova, T. A. Komissarova, P. S. Kop’ev, and S. V. Ivanov, Superlat. & Microstr. 113, 777 (2017). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2017.12.018
  14. S. V. Sorokin, G. V. Klimko, I. V. Sedova, A. A. Sitnikova, D. A. Kirilenko, M. V. Baidakova, M. A. Yagovkina, T. A. Komissarova, K. G. Belyaev, and S. V. Ivanov, J. Cryst. Growth 455, 83?89 (2016); https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.09.071.
  15. B. A. Joyce, J. L. Sudijono, J. G. Belk, H. Yamaguchi, X. M. Zhang, H. T. Dobbs, A. Zangwill, D. D. Vvedensky, and T. S. Jones, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4111 (1997); https://doi.org/10.1143/jjap.36.4111.
  16. J.S. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, C.M. Tsai, and J. C. Fan, J. Appl. Phys. 79(2), 664 (1996); https://doi.org/10.1063/1.360810.
  17. B. Scaparra, E. Sirotti, A. Ajay, B. Jonas, B. Costa, H. Riedl, P. Avdienko, I. D. Sharp, G. Koblmueller, E. Zallo, J. J. Finley, and K. Mueller, ACS Applied Nano Materials 7(23), 26297 (2024); https://doi.org/10.1021/acsanm.4c04810.
  18. T. J. Kim, T. H. Ghong, Y. D. Kim, S. J. Kim, D. E. Aspnes, T. Mori, T. Yao, and B. H. Koo, Phys. Rev. B 68, 115323 (2003); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.115323.
  19. Z. Hang, D. Yan, Fred H. Pollak, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, Phys. Rev. B 44, 10546 (1991); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.10546.
  20. D. K. Gaskill, N. Bottka, L. Aina, and M. Mattingly, Appl. Phys. Lett. 56, 1269 (1990); https://doi.org/10.1063/1.102533.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).