Отправить статью по E-mail 
Образование радиационных дефектов в широкозонных полупроводниках на основе галлия (Ga2O3, GaN) при торможении протонов - PDF (Русский)
© В.В. Козловский, А.Э. Васильев, А.А. Лебедев, Е.Е. Журкин, М.Е. Левинштейн, А.М. Стрельчук, 2023
© В.В. Козловский, А.Э. Васильев, А.А. Лебедев, Е.Е. Журкин, М.Е. Левинштейн, А.М. Стрельчук, 2023