Hydrothermal synthesis and morphology of Ga-bearing tourmaline


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Ga-bearing tourmaline was originally synthesized in boron, boron–alkaline, and boron–fluorine hydrothermal solutions at a temperature of 600–650°C and pressure of 100 MPa as crystals of spontaneous growth and on seeds. The maximal concentration of Ga2O3 in synthetic crystals reaches ~24.5 wt %. In addition to Ga-bearing tourmaline, Ga-bearing topaz crystallizes in boron–fluorine solution. Ga-bearing albite crystallizes in boron–alkaline solutions, whereas no additional phases are formed in pure boron solutions.

Авторлар туралы

T. Setkova

Institute of Experimental Mineralogy

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: setkova@iem.ac.ru
Ресей, Chernogolovka, Moscow oblast

V. Balitsky

Institute of Experimental Mineralogy

Email: setkova@iem.ac.ru
Ресей, Chernogolovka, Moscow oblast

O. Vereschagin

St. Petersburg State University

Email: setkova@iem.ac.ru
Ресей, St. Petersburg

Yu. Shapovalov

Institute of Experimental Mineralogy

Email: setkova@iem.ac.ru
Ресей, Chernogolovka, Moscow oblast

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017