Physics of the Solid State
ISSN 1063-7834 (Print)
ISSN 1090-6460 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Domain Wall
Epitaxial Layer
Ferrite
Hall Coefficient
Magnetization Reversal
Manganite
Phonon Spectrum
Raman Spectrum
electrical conductivity
epitaxy
graphite
ionic conductivity
microstructure
phase transition
phase transitions
silicon
silicon carbide
single crystals
superconductivity
thermal expansion
thin films
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Domain Wall
Epitaxial Layer
Ferrite
Hall Coefficient
Magnetization Reversal
Manganite
Phonon Spectrum
Raman Spectrum
electrical conductivity
epitaxy
graphite
ionic conductivity
microstructure
phase transition
phase transitions
silicon
silicon carbide
single crystals
superconductivity
thermal expansion
thin films
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Ivanova, E. V.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 58, № 10 (2016)
Dielectrics
Transformation of point defects in silicon dioxide during annealing
Том 60, № 10 (2018)
Optical Properties
The Evolution of the Conductivity and Cathodoluminescence of the Films of Hafnium Oxide in the Case of a Change in the Concentration of Oxygen Vacancies
Том 61, № 8 (2019)
Dielectrics
Traps in the Nanocomposite Layer of Silicon–Silicon Dioxide and Their Effect on the Luminescent Properties
Том 61, № 11 (2019)
Semiconductors
Electronic Structure of Molybdenum Oxidized in Air
TOP