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Volume 61, Nº 12 (2019)
Method for Controlling the Polarity of Gallium Nitride Layers in Epitaxial Synthesis of GaN/AlN Heterostructures on Hybrid SiC/Si Substrates
Mizerov A., Kukushkin S., Sharofidinov S., Osipov A., Timoshnev S., Shubina K., Berezovskaya T., Mokhov D., Buravlev A.
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Volume 61, Nº 12 (2019)
Effect of Solid-State Epitaxial Recrystallization on Defect Density in Ultrathin Silicon-on-Sapphire Layers
Fedotov S., Statsenko V., Egorov N., Golubkov S.
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(Eng)
Volume 61, Nº 12 (2019)
Forming the GaN Nanocrystals on the Graphene-Like g-AlN and g-Si3N3 Surface
Kozhukhov A., Aleksandrov I., Rzheutski N., Lebiadok E., Razumets E., Zhuravlev K., Milakhin D., Malin T., Mansurov V., Galitsyn Y.
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(Eng)
Volume 61, Nº 10 (2019)
InAs(1 – y)Sby/InAsSbP Narrow-Gap Heterostructures (y = 0.09–0.16) Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for the Spectral Range of 4–6 μm
Romanov V., Ivanov E., Moiseev K.
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(Eng)
Volume 61, Nº 12 (2019)
Effect of Elastic Stresses on the Formation of Axial Heterojunctions in Ternary AIIIBV Nanowires
Koryakin A., Leshchenko E., Dubrovskii V.
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(Eng)
Volume 60, Nº 11 (2018)
Detectors of Circularly Polarized Radiation Based on Semiconductor Heterostructures with a CoPt Schottky Barrier
Kudrin A., Zdoroveyshchev A., Vikhrova O., Dorokhin M., Kalent’eva I., Demina P.
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(Eng)
Volume 58, Nº 5 (2016)
Pyroelectric and piezoelectric responses of thin AlN films epitaxy-grown on a SiC/Si substrate
Kukushkin S., Osipov A., Sergeeva O., Kiselev D., Bogomolov A., Solnyshkin A., Kaptelov E., Senkevich S., Pronin I.
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(Eng)
Volume 61, Nº 12 (2019)
A New Method of Growing AlN, GaN, and AlGaN Bulk Crystals Using Hybrid SiC/Si Substrates
Kukushkin S., Sharofidinov S.
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(Eng)
Volume 58, Nº 4 (2016)
Electrophysical properties of CdxHg1–xTe (x = 0.3) films grown by molecular beam epitaxy on Si(013) substrates
Varavin V., Marin D., Yakushev M.
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(Eng)
Volume 61, Nº 12 (2019)
Mechanism of Diffusion of Carbon and Silicon Monooxides in a Cubic Silicon Carbide Crystal
Kukushkin S., Osipov A.
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(Eng)
Volume 61, Nº 12 (2019)
GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography
Rodin S., Lundin W., Tsatsulnikov A., Sakharov A., Usov S., Mitrofanov M., Levitskii I., Evtikhiev V., Kaliteevski M.
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