Metal–insulator phase transition in hydrogenated thin films of V 2 O 3

V. N. Andreev; V. A. Klimov; M. E. Kompan

doi:10.1134/S1063783417120046

Metal–insulator phase transition in hydrogenated thin films of V₂O₃

Авторлар: Andreev V.N.¹, Klimov V.A.¹, Kompan M.E.¹
Мекемелер:
1. Ioffe Institute
Шығарылым: Том 59, № 12 (2017)
Беттер: 2441-2443
Бөлім: Lattice Dynamics
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7834/article/view/201760
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783417120046
ID: 201760

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Temperature dependences of the electrical conductivity of thin vanadium sesquioxide V2O3 films obtained by using the laser sputtering technique have been studied. A significant decrease (by four–five orders of magnitude) in the electrical conductivity has been observed below 150 K as a result of a metal–insulator phase transition. It is shown that hydrogenation of films lowers the temperature of this phase transition.