Influence of a Buffer Layer on the Formation of a Thin-Film Nickel Catalyst for Carbon Nanotube Synthesis


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The formation of nanoparticles of a thin-film nickel catalyst applied on a buffer layer in the form of pure titanium, titanium oxide, or titanium nitride has been studied. It has been shown that if nanotubes are synthesized in three stages (oxidation, reduction, and growth of nanotubes), the situation may arise when the metallic catalyst becomes isolated from the surface, and hence, from the hydrocarbon flux, as a result of which the nanotube growth stops. Isolation takes place when the interface between titanium oxide and the gas phase in the reactor moves. In this case, titanium oxide goes round a nickel oxide nanoparticle and insulates it. The displacement rate of this interface and the coefficient of hydrogen diffusion in titanium dioxide have been determined.

Об авторах

S. Bulyarskiy

Institute of Nanotechnologies for Microelectronics, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: bulyar2954@mail.ru
Россия, Leninskii pr. 32A, Moscow, 119991

E. Zenova

Institute of Nanotechnologies for Microelectronics, Russian Academy of Sciences

Email: bulyar2954@mail.ru
Россия, Leninskii pr. 32A, Moscow, 119991

A. Lakalin

Institute of Nanotechnologies for Microelectronics, Russian Academy of Sciences

Email: bulyar2954@mail.ru
Россия, Leninskii pr. 32A, Moscow, 119991

M. Molodenskii

Institute of Nanotechnologies for Microelectronics, Russian Academy of Sciences

Email: bulyar2954@mail.ru
Россия, Leninskii pr. 32A, Moscow, 119991

A. Pavlov

Institute of Nanotechnologies for Microelectronics, Russian Academy of Sciences

Email: bulyar2954@mail.ru
Россия, Leninskii pr. 32A, Moscow, 119991

A. Tagachenkov

Institute of Nanotechnologies for Microelectronics, Russian Academy of Sciences

Email: bulyar2954@mail.ru
Россия, Leninskii pr. 32A, Moscow, 119991

A. Terent’ev

Institute of Nanotechnologies for Microelectronics, Russian Academy of Sciences; National Research University Higher School of Economics

Email: bulyar2954@mail.ru
Россия, Leninskii pr. 32A, Moscow, 119991; Myasnitskaya ul. 20, Moscow, 101000

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).