The atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in anatase


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

We investigate oxygen-deficient anatase using quantum-chemical simulation within the density functional theory and X-ray photoelectron spectroscopy. It is demonstrated that etching of anatase with argon ions with an energy of 2.4 keV results in the formation of oxygen vacancies and polyvacancies at a concentration of approximately 1020 cm–3 in the crystal. It was found that the most energetically favorable spatial configuration of an oxygen polyvacancy is a three-dimensional chain in crystallographic direction [100] or [010]. The ability of oxygen polyvacancy in the form of a chain to act as a conductive filament and to participate in the resistive switching is discussed.

Об авторах

T. Perevalov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: timson@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

D. Islamov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Email: timson@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

A. Saraev

Novosibirsk State University; Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch

Email: timson@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).