Manufacture and Study of Switch  p – n -Junctions for Cascade Photovoltaic Cells

R. V. Levin; A. E. Marichev; E. V. Kontrosh; N. D. Prasolov; V. S. Kalinovskii; B. V. Pushnyi

doi:10.1134/S1063785018120490

Manufacture and Study of Switch p–n-Junctions for Cascade Photovoltaic Cells

Авторы: Levin R.V.¹, Marichev A.E.¹, Kontrosh E.V.¹, Prasolov N.D.¹, Kalinovskii V.S.¹, Pushnyi B.V.¹
Учреждения:
1. Ioffe Physical Technical Institute
Выпуск: Том 44, № 12 (2018)
Страницы: 1130-1132
Раздел: Article
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7850/article/view/208110
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018120490
ID: 208110

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Some results of studies on the creation of new junction elements for application in monolithic multijunction InP based photovoltaic cells are presented. A new type of junction elements with a specific ohmic resistance of less than 2 mΩ cm² within a range of current densities of up to 700 A/cm² is presented as an alternative to tunnel junctions.