Specific Features of the Luminescence of ZnO:Te/GaN/Al 2 O 3  Heterostructures

A. M. Bagamadova; A. Sh. Asvarov; A. K. Omaev; M. E. Zobov

doi:10.1134/S1063785018120398

Specific Features of the Luminescence of ZnO:Te/GaN/Al₂O₃ Heterostructures

Авторлар: Bagamadova A.M.¹, Asvarov A.S.¹, Omaev A.K.¹, Zobov M.E.¹
Мекемелер:
1. Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center
Шығарылым: Том 44, № 12 (2018)
Беттер: 1142-1144
Бөлім: Article
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7850/article/view/208128
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018120398
ID: 208128

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

High-quality heteroepitaxial (0001)ZnO:Te/(0001)GaN/(0001)Al₂O₃ structures have been grown by hydrogen vapor-phase epitaxy in a low-pressure continuous flow reactor. X-ray diffraction analysis of these heterostructures has been carried out, which revealed the high structural quality of thin zinc oxide layers. The surface morphology and specific features of UV photoluminescence of the ZnO/GaN/Al₂O₃ heterostructure have been analyzed.