Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures

L. S. Lunin; M. L. Lunina; A. S. Pashchenko; D. L. Alfimova; D. A. Arustamyan; A. E. Kazakova

doi:10.1134/S1063785019030313

Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures

Авторы: Lunin L.S.¹, Lunina M.L.¹, Pashchenko A.S.¹, Alfimova D.L.¹, Arustamyan D.A.¹, Kazakova A.E.¹
Учреждения:
1. Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences
Выпуск: Том 45, № 3 (2019)
Страницы: 250-252
Раздел: Article
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7850/article/view/208247
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019030313
ID: 208247

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

GaP/Si/Ge nanoheterostructures have been obtained using the method of pulsed laser deposition, and an energy band diagram of cascade solar cells based on these heterostructures were modeled. GaP and Ge nanolayers grown on Si substrates were studied by Raman spectroscopy and X-ray diffraction. Spectral dependences of the external quantum efficiency response of GaP/Si/Ge nanoheterostructures were determined.