Developing Methods for Wet Chemical Etching of a Separation Mesa Structure during Creation of Multijunction Solar Cells


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The postgrowth processing of mesa structures for multijunction solar cells based on GaInP/GaInAs/Ge heterostructure has been studied. Methods of wet chemical and electrochemical etching are considered, and a technology of forming a separation mesa structure is proposed that ensures improved surface quality and profile of the side wall of a mesa for heterostructures with various compositions of layers.

Об авторах

A. Malevskaya

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

N. Il’inskaya

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences

Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

V. Andreev

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences

Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).