The thermovoltaic effect in variband solid solution Si 1– x  Ge  x   (0 ≤  x  ≤ 1)

A. S. Saidov; A. Yu. Leyderman; A. B. Karshiev

doi:10.1134/S1063785016070270

The thermovoltaic effect in variband solid solution Si_1–xGe_x (0 ≤ x ≤ 1)

Авторлар: Saidov A.S.¹, Leyderman A.Y.¹, Karshiev A.B.¹
Мекемелер:
1. Physicotechnical Institute, Solar Physics Research and Production Corporation
Шығарылым: Том 42, № 7 (2016)
Беттер: 725-728
Бөлім: Article
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7850/article/view/200055
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016070270
ID: 200055

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The thermovoltaic effect in films of variband solid solution Si_1–xGe_x (0 ≤ x ≤ 1) has been observed for the first time. The samples comprised n-Si–p-Si_1–xGe_x (0 ≤ x ≤ 1) heterostructures grown by liquid phase epitaxy. An electromotive force within 0.05–0.3 mV and a current of 0.0025–0.0035 μA appeared on heating samples in a temperature range from 40 to 250°C.