Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source

W. V. Lundin; E. E. Zavarin; P. N. Brunkov; M. A. Yagovkina; A. V. Sakharov; M. A. Sinitsyn; B. Ya. Ber; D. Yu. Kazantsev; A. F. Tsatsulnikov

doi:10.1134/S106378501605028X

Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source

Авторлар: Lundin W.V.¹, Zavarin E.E.¹, Brunkov P.N.¹, Yagovkina M.A.¹, Sakharov A.V.¹, Sinitsyn M.A.¹, Ber B.Y.¹, Kazantsev D.Y.¹, Tsatsulnikov A.F.¹
Мекемелер:
1. Ioffe Physical Technical Institute
Шығарылым: Том 42, № 5 (2016)
Беттер: 539-542
Бөлім: Article
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7850/article/view/199306
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501605028X
ID: 199306

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The influence of propane present in a reactor at various stages of GaN growth by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on sapphire substrates on the character of epitaxial process and the properties of epilayers has been studied. Doped GaN epilayers with carbon concentration 5 × 10¹⁸ cm^–3 characterized by high crystalline perfection, an atomically smooth surface, and electric breakdown voltage above 500 V at a doped layer thickness of 4 μm have been obtained.