Широкополосная ИК-фотопроводимость кремниевого p-n перехода с участием донорных состояний серы и ее температурный контроль
- Авторы: Кудряшов С.И.1, Настулявичус А.А.1, Болдырев К.Н.2, Ковалев М.С.1
-
Учреждения:
- Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН
- Институт спектроскопии РАН (ИСАН)
- Выпуск: Том 117, № 1 (2023): ТЕМАТИЧЕСКИЙ БЛОК: СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФОТОНИКИ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА
- Страницы: 99-108
- Раздел: Тематический блок
- URL: https://journal-vniispk.ru/1605-8070/article/view/299518
- DOI: https://doi.org/10.22204/2410-4639-2023-117-01-99-108
- ID: 299518
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Исследован новый физический эффект сильной низкотемпературной широкополосной (2–40 мкм) ИК-фотопроводимости в p-n переходе кремния, сформированном n-сверхлегированным слоем на p-легированной подложке. Широкополосную ИК- фотопроводимость обеспечивает ясно выраженный дискретный спектр нейтральных и однократно ионизованных донорных состояний атомной примеси замещения и кластеров серы вблизи дна зоны проводимости (так называемая «промежуточная» зона шириной до 0.6 эВ), распределение населенностей внутри которой плавно по спектру, хорошо выражено и управляется по амплитуде тепловым возбуждением в диапазоне 5–250 К. В результате на базе одного кремниевого фотоэлемента выбором температурного режима реализуется регистрация излучения дальнего-ближнего ИК-диапазона для широкого круга разноплановых практических задач – солнечной энергетики, тепловидения и биовизуализации.
Об авторах
Сергей Иванович Кудряшов
Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: kudryashovsi@lebedev.ru
Россия, 119991, Россия, Москва, Ленинский проспект, 53
Алена Александровна Настулявичус
Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН
Email: nastulyavichusaa@lebedev.ru
Россия, 119991, Россия, Москва, Ленинский проспект, 53
Кирилл Николаевич Болдырев
Институт спектроскопии РАН (ИСАН)
Email: kn.boldyrev@gmail.com
Россия, 108840, Россия, Москва, Троицк, ул. Физическая, 5
Михаил Сергеевич Ковалев
Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН
Email: kovalevms@lebedev.ru
119991, Россия, Москва, Ленинский проспект, 53
Список литературы
- S. Kudryashov, A. Nastulyavichus, G. Krasin, K. Khamidullin, K. Boldyrev, D. Kirilenko, A. Yachmenev, D. Ponomarev, G. Komandin, S. Lebedev, D. Prikhod’ko, M. Kovalev. Opt. Laser Technol., 2023, 158, 108873. doi: 10.1016/j.optlastec.2022.108873.
- L. Gyongyosi, S. Imre. Comput. Sci. Rev., 2019, 31, 51. doi: 10.1016/j.cosrev.2018.11.002.
- N. Volet, A. Spott, E.J. Stanton, M.L. Davenport, L. Chang, I.D. Peters, T.C. Briles, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, J.E. Bowers. Laser Photonics Rev., 2017, 11(2), 1600165. doi: 10.1002/lpor.201600165.
- D.J. Thomson, L. Shen, J.J. Ackert, E. Huante‑Ceron, A.P. Knights, M. Nedeljkovic, A.C. Peacock, G.Z. Mashanovich. Opt. Express, 2014, 22(9), 10825. doi: 10.1364/OE.22.010825.
- V. Kesaev, A. Nastulyavichus, S. Kudryashov, M. Kovalev, N. Stsepuro, G. Krasin. Opt. Mater. Express, 2021, 11(7), 1971. doi: 10.1364/OME.428047.
- В.В. Гаврушко, А.С. Ионов, О.Р. Кадриев, В.А. Ласткин. ЖТФ, 2017, 87(2), 310. doi: 10.21883/JTF.2017.02.44144.1752.
- S.Q. Lim, J.S. Williams. Micro, 2022, 2(1), 1. doi: 10.3390/micro2010001.
- Z. Tong, M. Bu, Y. Zhang, D. Yang, X. Pi. J. Semicond., 2022, 43(9), 093101. doi: 10.1088/1674-4926/43/9/093101.
- S. Kudryashov, A. Nastulyavichus, D. Kirilenko, P. Brunkov, A. Shakhmin, A. Rudenko, N. Melnik, R. Khmelnitskii, V. Martovitskii, M. Uspenskaya, D. Prikhodko, S. Tarelkin, A. Galkin, T. Drozdova, A. Ionin. ACS Appl. Electron. Mater., 2021, 3(2), 769. doi: 10.1021/acsaelm.0c00914.
- M.A. Foster, A.C. Turner, J.E. Sharping, B.S. Schmidt, M. Lipson, A.L. Gaeta. Nature, 2006, 441(7096), 960. doi: 10.1038/nature04932.
- M.A. Foster, R. Salem, D.F. Geraghty, A.C. Turner‑Foster, M. Lipson, A.L. Gaeta. Nature, 2008, 456(7218), 81. doi: 10.1038/nature07430.
- В.С. Вавилов, А.Р. Челядинский. УФН, 1995, 165(3), 347. doi: 10.3367/UFNr.0165.199503g.0347.
- P. Migliorato, C.T. Elliott. Solid State Electron., 1978, 21(2), 443. doi: 10.1016/0038-1101(78)90276-9.
- Ю.А. Астров, S.A. Lynch, В.Б. Шуман, Л.М. Порцель, А.А. Махова, А.Н. Лодыгин. Физика и техника полупроводников, 2013, 47(2), 211.
- B.K. Newman, M.J. Sher, E. Mazur, T. Buonassisi. Appl. Phys. Lett., 2011, 98(25), 251905. doi: 10.1063/1.3599450.
- C.B. Simmons, A.J. Akey, J.J. Krich, J.T. Sullivan, D. Recht, M.J. Aziz, T. Buonassisi. J. Appl. Phys., 2013, 114(24), 243514. doi: 10.1063/1.4854835.
- I. Umezu, J.M. Warrender, S. Charnvanichborikarn, A. Kohno, J.S. Williams, M. Tabbal, D.G. Papazoglou, Xi‑Ch. Zhang, M.J. Aziz. J. Appl. Phys., 2013, 113(21), 213501. doi: 10.1063/1.4804935.
- M.J. Sher, E. Mazur. Appl. Phys. Lett., 2014, 105(3), 032103. doi: 10.1063/1.4890618.
- L.P. Cao, Z.D. Chen, C.L. Zhang, J.H. Yao. Front. Phys., 2015, 10(4), 1. doi: 10.1007/s11467-015-0468-y.
- K.F. Wang, P. Liu, S. Qu, Y. Wang, Z. Wang. J. Mater. Sci., 2015, 50(9), 3391. doi: 10.1007/s10853-015-8895-2.
- M.V. Limaye, S.C. Chen, C.Y. Lee, L.Y. Chen, S.B. Singh, Y.C. Shao, Y.F. Wang, S.H. Hsieh, H.C. Hsueh, L.W. Chiou, C.H. Chen, L.Y. Jang, C.L. Cheng, W.F. Pong, Y.F. Hu. Sci. Rep., 2015, 5(1), 1. doi: 10.1038/srep11466.
- T. Gimpel, S. Winter, M. Bossmeyer, W. Schade. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 2018, 180, 168. doi: 10.1016/j.solmat.2018.03.001.
- B. Franta, D. Pastor, H.H. Gandhi, P.H. Rekemeyer, S. Gradečak, M.J. Aziz, E. Mazur. J. Appl. Phys., 2015, 118(22), 225303. doi: 10.1063/1.4937149.
- S. Paulus, P. McKearney, F. Völklein, S. Kontermann. AIP Advances, 2021, 11(7), 075014. doi: 10.1063/5.0044678.
- E. Janzén, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 1984, 29(4), 1907. doi: 10.1103/PhysRevB.29.1907.
- P. Wagner, C. Holm, R. Oeder, W. Zulehner. ASSP, Vol. 24, Berlin, Heidelberg: Springer Verlag, 1984, pp. 191–228. doi: 10.1007/BFb0107451.
- R.E. Peale, K. Muro, A.J. Sievers. Materials Sci. Forum, 1991, 65‑66, 151. doi: 10.4028/ href='www.scientific.net/MSF.65‑66.151' target='_blank'>www.scientific.net/MSF.65‑66.151.
- X. Jin, Q. Wu, S. Huang, G. Deng, J. Yao, H. Huang, P. Zhao, J. Xu. Opt. Mater., 2021, 113, 110874. doi: 10.1016/j.optmat.2021.110874.
- S. Kudryashov, K. Boldyrev, A. Nastulyavichus, D. Prikhod’ko, S. Tarelkin, D. Kirilenko, P. Brunkov, A. Shakhmin, R. Khamidullin, G. Krasin, M. Kovalev. Opt. Mater. Express, 2021, 11(11), 3792. doi: 10.1364/OME.438023.
- S.I. Kudryashov, L.V. Nguyen, D.A. Kirilenko, P.N. Brunkov, A.A. Rudenko, N.I. Busleev, A.L. Shakhmin, A.V. Semencha, R.A. Khmelnitsky, N.N. Melnik, I.N. Saraeva, A.A. Nastulyavichus, A.A. Ionin, E.R. Tolordava, Y.M. Romanova. ACS Appl. Nano Mater., 2018, 1(6), 2461. doi: 10.1021/acsanm.8b00392.
- N. Stsepuro, M. Kovalev, G. Krasin, I. Podlesnykh, Y. Gulina, S. Kudryashov. Photonics, 2022, 9, 815. doi: 10.3390/photonics9110815.
- D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, Y.G. Goncharov, K.I. Zaytsev, R.A. Khabibullin, A.M. Buryakov, E.D. Mishina, D.S. Ponomarev. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 2021, 11(4), 417. doi: 10.1109/TTHZ.2021.3079977.
Дополнительные файлы
