Отправить статью по E-mail Основные аспекты формирования металлизации в субдесятинанометровой технологии изготовления интегральных схем
- Авторы: Амиров И.И.1, Куприянов А.Н.1, Наумов В.В.1, Изюмов М.О.1, Волошин Д.Г.2, Кропоткин А.Н.2, Лопаев Д.В.2, Рахимова Т.В.2
-
Учреждения:
- Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
- Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, МГУ им. М.В. Ломоносова
- Выпуск: Том 118, № 2 (2023): ТЕМАТИЧЕСКИЙ БЛОК: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ МНОГОУРОВНЕВЫХ СИСТЕМ МЕТАЛЛИЗАЦИИ УЛЬТРАБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- Страницы: 63-76
- Раздел: Тематический блок
- URL: https://journal-vniispk.ru/1605-8070/article/view/301132
- DOI: https://doi.org/10.22204/2410-4639-2023-118-02-63-76
- ID: 301132
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Приведены основные результаты теоретического и экспериментального исследования параметров плазмы Ar/Cl2 и Ar/Cl2/О2 в реакторе атомно-слоевого травления, исследования травления пленок Мо, W, Ru в хлорсодержащей плазме с in situконтролем непрерывного процесса травления и циклического атомно-слоевого травления пленки W во фторсодержащей плазме. Результаты расчета концентрации ионов, полученных с использованием разработанной двумерной гидродинамической модели хлорсодержащей плазмы ВЧИ разряда находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Обнаружено сильное увеличение скорости травления Мо, W в хлорсодержащей плазме с увеличением энергии ионов. Показано, что использование in situ рефлектометрического метода определения скорости травления дает возможность контролировать процесс травления на отдельных стадиях циклического атомно-слоевого травления металлов. Это способствует более быстрой его разработке. Кратко обсуждается механизм травления металлов в хлорсодержащей плазме.
Об авторах
Ильдар Искандерович Амиров
Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: ildamirov@yandex.ru
Россия, 150007, Россия, Москва, ул. Университетская, 21
Александр Николаевич Куприянов
Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
Email: shurik7777@mail.ru
Россия, 150007, Россия, Москва, ул. Университетская, 21
Виктор Васильевич Наумов
Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
Email: vvnau@rambler.ru
Россия, 150007, Россия, Москва, ул. Университетская, 21
Михаил Олегович Изюмов
Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
Email: mikhail-izyumov@yandex.ru
Россия, 150007, Россия, Москва, ул. Университетская, 21
Дмитрий Григорьевич Волошин
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, МГУ им. М.В. Ломоносова
Email: dvoloshin@mics.msu.ru
Россия, 119991, Россия, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, 1-2
Андрей Никитич Кропоткин
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, МГУ им. М.В. Ломоносова
Email: kropotkin.an14@physics.msu.ru
Россия, 119991, Россия, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, 1-2
Дмитрий Викторович Лопаев
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, МГУ им. М.В. Ломоносова
Email: d.lopaev@gmail.com
Россия, 119991, Россия, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, 1-2
Татьяна Викторовна Рахимова
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, МГУ им. М.В. Ломоносова
Email: trakhimova@mics.msu.ru
Россия, 119991, Россия, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, 1-2
Список литературы
- A.A Vyas., C. Zhou, C.Y. Yang IEEE T. Nanotechnol., 2018, 17(1), 4. doi: 10.1109/TNANO.2016.2635583.
- D. Gall J. Appl. Phys., 2016, 119(8), 085101. doi: 10.1063/1.4942216.
- A. Pacco, Y. Akanishi, Q.T. Le, E. Kesters, G. Murdoch, F. Holsteyns Microelectron. Eng., 2019, 217, 111131. doi: 10.1016/j.mee.2019.111131.
- K. Barmak, S. Ezzat, R. Gusley, A. Jog, S. Kerdsongpanya, A. Khaniya, E. Milosevic, W. Richardson, K. Sentosun, A. Zangiabadi, D. Gall, W.E. Kaden, E.R. Mucciolo, P.K. Schelling, A.C. West, K.R. Coffey J. Vac. Sci. Technol. A, 2020, 38(3), 033406. doi: 10.1116/6.0000018.
- S.S. Ezzat, P.D. Mani, A. Khaniya, W. Kaden, D. Gall, K. Barmak, K.R. Coffey J. Vac. Sci. Technol. A, 2019, 37(3), 031516-1. doi: 10.1116/1.5093494.
- S. Paolillo, D. Wan, F. Lazzarino, N. Rassoul, D. Piumi, Z. Tokei J. Vac. Sci. Technol. B, 2018, 36(3), 03E103. doi: 10.1116/1.5022283.
- L. Chen, S. Kumar, M. Yahagi, D. Ando, Y. Sutou, D. Gall, R. Sundararaman, J. Koike J. Appl. Phys., 2021, 129(3), 035301. doi: 10.1063/5.0026837.
- L. Jablonka, L. Riekehr, Z. Zhang, S.-L. Zhang, T. Kubart Appl. Phys. Lett., 2018, 112(4), 043103. doi: 10.1063/1.5011109.
- И.И. Амиров, Р.В. Селюков, В.В. Наумов, Е.С. Горлачев Микроэлектроника, 2021, 50(1), 3. doi: 10.31857/S0544126921010038.
- K.J. Kanarik, T. Lill, E.A. Hudson, S. Sriraman, S.S.H. Tan, J. Marks, V. Vahedi, R.A. Gottscho J. Vac. Sci. Technol. A, 2015, 33(2), 020802. doi: 10.1116/1.4913379.
- K.J. Kanarik, S. Tan, W. Yang, T. Kim, T. Lill, A. Kabansky, E.A. Hudson, T. Ohba, K. Nojiri, J. Yu, R. Wise, I.L. Berry, Y. Pan, J. Marks, R. A. Gottscho J. Vac. Sci. Technol. A, 2017, 35(5), 05C302-301. doi: 10.1116/1.4979019.
- Y. Lee, Y. Kim, J. Son, H. Chae J. Vac. Sci. Technol. A, 2022, 40(2), 022602. doi: 10.1116/6.0001603.
- A.N. Kropotkin, D.G. Voloshin Plasma Phys. Rep., 2019, 45, 786. doi: 10.1134/S1063780X19070055.
- C. Corr, E. Despiau-Pujo, P. Chaber, W.G. Graham, F.G. Marro, D.B. Graves J. Phys. D: Appl. Phys., 2008, 41(18), 185202. doi: 10.1088/0022-3727/41/18/185202.
- C. Hsu, M.A. Nierode, J.W. Coburn, D.B. Graves J. Phys. D: Appl. Phys, 2006, 39, 3272. doi: 10.1088/0022-3727/39/15/009.
- M. Bogdanova, D. Lopaev, T. Rakhimova, D. Voloshin, A. Zotovich, S. Zyryanov Plasma Sources Sci. Technol., 2021, 30(7), 075020. doi: 10.1088/1361-6595/abf71b.
- D. Voloshin, T. Rakhimova, A. Kropotkin, I. Amirov, M. Izyumov, D. Lopaev, A. Zotovich, S. Ziryanov Plasma Sources Sci. Technol., 2023, 32(4), 044001. doi: 10.1088/1361-6595/acc355.
- I.I. Amirov, M.O. Izyumov, V.V. Naumov, E.S. Gorlachev J. Phys. D: Appl. Phys., 2021, 54(6), 065204. doi: 10.1088/1361-6463/abc3ed.
- C.C. Hsu, J.W. Coburn, D.B. Graves J. Vac. Sci. Technol. A, 2006, 24, 1. doi: 10.1116/1.2121751.
- S. Decoster, E. Camerotto, G. Murdoch, S. Kundu, Q.T. Le, Z. Tőkei, G. Jurczak, F. Lazzarino J. Vac. Sci. Technol. B, 2022, 40(3), 032802. doi: 10.1116/6.0001791.
Дополнительные файлы
