Kinetika obrazovaniya i struktura ferroshpineley prigazofaznoy epitaksii


Cite item

Full Text

Abstract

Приведены экспериментальные данные и теоретический анализ процесса формирования
эпитаксиального слоя на (001) плоскости оксида магния в зависимости от состава
и технологических условий. Показано, что особенности зарождения и роста
пленок феррошпинелей определяются характером межфазного взаимодействия на
границе пленка-подложка, несоответствием геометрических параметров решеток,
термодинамическими параметрами синтеза. Процесс кристаллизации феррошпинелей
удовлетворительно описывается в рамках вероятностно-феноменологической теории
роста. При небольших термодинамических пересыщениях разориентация блоков определяется,
в основном, несоответствием решеток феррита и оксида магния, составляет
десятки угловых минут, слабо зависит от условий кристаллизации; размеры блоков
в плоскости (001) определяются тангенциальной скоростью роста и временем синтеза.

References

  1. Aleksandrov L. N., Mitlina L. А., Molchanov V. V. Mechanism of epitaxial ferrite- spinel layers formation on magnesium oxide substrate//Cryst. Res. Technol. 1981. V. 16. №4. P. 405-412.
  2. Aleksandrov L. N., Mitlina L. A., Molchanov V. V., Vasilyev A. L. Heteroepitaxy of ferrite-spinel layers by CVD metod//Cryst. Res. Technol. 1983. V. 18. № 11. P. 1333-1339.
  3. Aleksandrov L. N., Mitlina L. A., Vasilyev A. L., Mikhailov V. A. Dislocation structure of epitaxial ferrite//spinel fiIms//Cryst. Res. Technol. 1986. V. 20. № 1 . P. 89-95.
  4. Митлина Л. A. Кинетика эпитаксиального роста феррошпинелей//Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. Т.24. №12. С. 290-293.
  5. Беленький В. 3. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации. М.: Наука, 1980. 84 с.
  6. Трефилов В. И. Влияние коалесценции на кинетику роста тонкой пленки//Кристаллография. 1978. Т. 23. № 3. С. 605-607.
  7. Ощерин Б. Н. Модель разорванных связей и поверхностная энергия кристаллов полупроводников и их расплавов вблизи точки плавления//Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Минск: Наука и техника, 1976. Т. 1. С. 224-230.
  8. Сергеева Л. А. Поверхностная энергия и критические зародыши некоторых полупроводников $A^N B^{8-N}$// Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука, 1981. С. 33-38.
  9. Бабкин Е. В. Наведенная магнитная анизотропия в эпитакснальных кристаллах феррита марганца: Автореф. дис. ...канд. физ.-мат. наук. Красноярск: ИФ СО АН СССР, 1980. 24 с.
  10. Садилов К. А. Монокристаллические пленки кобальтового феррита: Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук. Куйбышев; Куйбыш. гос. пед. ин-т, 1974. 24 с.
  11. Александров Л. Н., Сидоров Ю. Г., Криворотое Е. А. Газотранспортная эпитаксия// Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. Новосибирск: Наука, 1977. С. 58-105.
  12. Пинтус С. М., Стенин С. И., Торопов А. И., Труханов Е. М. Анализ морфологической стабильности тонких гетероэпитаксиальных пленок//Тез. докл. VII конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1986. Ч. I. С. 34-35.
  13. Александров Л. Н. Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок//Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1972. С. 5-30.
  14. Агапова Н. Н., Митлина Л. А., Макаров А. В., Петрованова Л. М. Влияние условий синтеза на дефектность структуры пленок магний-марганцевой шпинели//Физика прочности и пластичности металлов и сплавов: Сб. науч. тр. Куйбышев: КуАИ, 1981. С. 105-111.
  15. Иевлев В. М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в топких пленках. М.: Металлургия, 1982. 247 с.
  16. Косевич В. М., Иевлев В. М., И салатник Л. С, Федоренко А. И. Структура межкристаллитных и межфазных границ. М.: Металлургия, 1980. 256 с.
  17. Кондратенко В. В., Федоренко А. И., Филин А. В. О роли межфазного взаимодействия при эпитаксии металлов на щелочно-галлоидные подложки//Кристаллография. 1978. Т. 23. С. 588-594.
  18. Трусов Л. И., Холмянский В. А. Островковые металлические пленки М.: Металлургия, 1973. 321 с.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 1996 Samara State Technical University

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».