ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СТРУКТУР МНОГОСЛОЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Актуальность и цели. Актуальность данного исследования связана с развитием радиоэлектронной аппаратуры, которая требует улучшения электрических параметров электронных компонентов, в том числе временной и температурной стабильности. Материалы и методы. Исследованы процессы, протекающие в структуре тонких пленок, приводящие к изменению сопротивления тонкопленочного резистора с течением времени. Результаты. Представлена технология синтеза тонкопленочных резисторов с защитным покрытием и параметры, определяющие материалы тонких пленок и их последовательность. Выводы. Разработанная технология позволяет до- биться значений ТКС тонкопленочных резисторов в диапазоне ±3 1/°C.

Об авторах

Виталий Сергеевич Мамонтов

Пензенский государственный университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: kipra@pnzgu.ru

доцент кафедры конструирования и производства радиоаппаратуры

(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)

Сергей Александрович Гурин

Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов

Email: teslananoel@rambler.ru

кандидат технических наук, начальник лаборатории,

(Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44)

Максим Дмитриевич Новичков

Пензенский государственный университет; Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов

Email: novichkov1998maks@gmail.com

аспирант; инженер-технолог

(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40); (Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44)

Дмитрий Вячеславович Агафонов

Пензенский государственный университет; Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов

Email: dmitryagafonov@list.ru

магистрант; инженер-конструктор

(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40); (Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44)

Камила Ленаровна Закирова

Пензенский государственный университет

Email: Zakirovacamila@yandex.ru

магистрант

(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)

Список литературы

  1. Лучинин В. В., Мальцев П. П. Нанотехнологии в новом технологическом укладе // Нано- и микро- системная техника. 2021. Т. 23, № 1. С. 3–5.
  2. Волков В. С., Баринов И. Н. Компенсация температурной погрешности чувствительности высоко- температурных полупроводниковых датчиков давления // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2013. № 1. С. 30–36.
  3. Лугин А. Н. Конструкторско-технологические основы проектирования тонкопленочных прецизионных резисторов : монография. Пенза : Инф.-изд. центр ПГУ, 2009. 287 с.
  4. Асташенкова О. Н., Корляков А. В. Контроль физико-механических параметров тонких пленок // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 2. С. 24–29.
  5. Сергеев В. Е., Воротынцев В. М. Разработка модифицированной технологии термостабилизации тонкопленочных резистивных элементов // Проектирование и технология электронных средств. 2021. № 1. С. 4–9.
  6. Chen C., Zhu J., Chen Y., Wang G. Unveiling structural characteristics for ultralow resistance drift in BiSb- Ge2Sb2Te5 materials for phase-change neuron synaptic devices // Journal of Alloys and Compounds. 2022. Vol. 892. P. 162148.
  7. Pecherskaya E. A., Gurin S. A., Novichkov M. D. Combined Thin-Film Resistive and Strain-Resistant Structures with Temperature Self-Compensation // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2022. Vol. 16, № 6. P. 1074–1080. doi: 10.1134/s1027451022060209
  8. Сергеев В. Е., Воротынцев В. М. Разработка модифицированной технологии термостабилизации тонкопленочных резистивных элементов // Проектирование и технология электронных средств. 2021. № 1. С. 4–9.
  9. Аверин И. А., Печерская Р. М. Управление параметрами резистивных структур посредством отжига // Труды Международного симпозиума Надежность и качество. 2008. Т. 2. С. 144–145.
  10. Печерская Е. А., Гурин С. А., Новичков М. Д. Высокотемпературный отжиг многослойных резистивных структур // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2023. № 1. С. 56–61. doi: 10.21685/2307-5538-2023-1-7
  11. Гурин С. А. Исследование и разработка тонкопленочных гетерогенных структур чувствительных элементов датчиков давлений с экстремальными условиями эксплуатации : дис. … канд. техн. наук. СПб., 2016. 157 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML


Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».